毫米波脉冲体效应二极管

报导了脉冲输出大于1W的8mm体效应二极管，给出了器件结构和参数设计及其电参数研究。器件最佳性能为36．5GHz下，脉冲输出功率1．5W。用于8mm脉冲锁相放大器中，获得了增益13dB，输出大于0．66W，带宽大于1．5GHz的结果。     

毫米波磷化铟体效应二极管

南京固体器件研究所采用In/PCI_3/H_2系统气相外延生长的n~+-n-n~+InP材料,采用适用于InP的Au-Ge-Ni合金欧姆接触、化学腐蚀减薄衬底和光照刻蚀台面等工艺,制作了台式镀金热沉结构的毫米波段连续波体效应振荡二极管(见照片)。该器件有源区的掺杂浓度为7.35×10~(15)cm~(-3),厚度为2.85μm;台面直径约70μm,台面高度为15μm;管壳系无边缘同轴封装。用V波段同轴波导腔测试微波性能,得到的初     

毫米波InP耿二极管的设计和制作

本文简述毫米波InP耿二极管的设计、制作工艺和主要性能,分析了与GaAs耿二极管相比较的特点,制成了一批具有良好性能的器件.     

InP异质结晶体管

提出了准平面构成的InP HBT新结构。用Si离子注入在半绝缘In P:Fe上形成隐埋n型区来代替通常采用的外延n型收集区,可有效降低器件的高度,减小寄生参数,提高器件的可靠性。测量结果表明,晶体管的h_(fe)=100,V_(CE)=3～4V,f_T=10GHz。     

InP异质结晶体管

提出了准平面构成的InP HBT新结构，用Si离子注入在半绝缘InP：Fe上形成隐埋n型区来代替通常采用的外延n型收集区，可有效降低器件的高度，减小寄生参数，提高器件的可靠性，测量结果表明，晶体管的hfe=100,VCE=3-4V,fT=10GHz。     

一种改进的毫米波体效应二极管混频接收机

本文提出了把自动频率控制(AFC)用于体效应二极管自振混频器,可以获得混频器性能改善的实验结果和理论分析结果。获得性能改善的原因,主要是由于改善了振荡器的频谱。     

基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管

采用金属有机化学气相沉积生长了InP/GaAs0.5Sb0.5/InP 双异质结晶体三极管(DHBT)材料,研究了材料质量对器件性能的影响.制备的器件不但具有非常好的直流特性,而且还表现出良好的微波特性,其结果与能带理论的预言一致,DHBT集电结和发射结的电流理想因子分别为1.00和1.06,击穿电压高达15V,电流放大增益截止频率超过100GHz.     

基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管

采用金属有机化学气相沉积生长了InP/GaAs0.5Sb0.5/InP 双异质结晶体三极管(DHBT)材料,研究了材料质量对器件性能的影响.制备的器件不但具有非常好的直流特性,而且还表现出良好的微波特性,其结果与能带理论的预言一致,DHBT集电结和发射结的电流理想因子分别为1.00和1.06,击穿电压高达15V,电流放大增益截止频率超过100GHz.     

InP衬底上的HEMT毫米波单片放大器

<正>据《Electronics Lett.》1989年第20期报道,由于Inp材料比GaAs具有更高的热导率.同时高电子迁移率和高饱和速度的GaInAs材料亦与InP晶格匹配,因此,采用InP材料制成的HEMT器件具有诱人的应用前景.美国Varian研究中心制成了以InP为衬底的HEMT毫米波单片放大器.InP也是长波长激光器使用的材料,因此,这一工作可以推广应用于长波长激光器与高性能微波器件集成的光电子电路的研制.     

基于0.7μm InP DHBT的毫米波数字化功率放大器

基于磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)实现了一款K波段数字化功率放大器芯片。该芯片利用InP DHBT工艺兼容高速数字与射频功率电路的优点,采用多个数字功放单元并联连接的形式,每个数字功放单元可以根据数字基带控制信号接通或断开,形成多位的射频功率直接输出。在分析了基于共射-共基结构数字功放单元电路的瞬态响应和大信号特性的基础上,设计并实现8位数字化功率放大器,其不同权重功放单元输出经过下层金属接地作为地平面的总线式结构进行功率合成,有效调节了传输线的阻抗和信号的耦合,有利于输出功率的合成。在20 GHz时,最大饱和输出功率和附加效率分别为27 dBm和21%,归一化输出电压的均方差为0.031 5,电路线性度较好。     

体效应管大信号特性的测量

本文首先分析了单回路振荡器中的谐波分量与器件特性的关系,然后在 B.A.Syrett 方法的基础上发展了一种新的测量方法。应用网络分析仪和计算机,可以测出包括平方项在內的完整的体效应管大信号特性。     

一种高性能体效应管电调振荡器

本文介绍了一种高性能W波段高频端Gunn振荡器.其基波和二次谐波共用一个波导振荡腔,基波频率低于W波段波导截止频率,机械调节频宽100～115GHz,输出功率大于5mW,最大可达18.5mW,线性电调范围大于250MHz.该振荡器用于三毫米锁相系统和大型毫米波望远境2.6mm波段的锁相本振系统.     

Ku波段低相位噪声体效应管

体效应振荡器相位噪声主要决定于体效应管的噪声.文中介绍了Ku波段低相位噪声体效应管的设计与工艺实现,并制作出了与设计结果基本一致的器件.该器件在Ku波段高端输出功率大于150 mW,转换效率大于5%.将其安装于低相噪介质振荡器中,在保证一定的输出功率的情况下,相位噪声小于-98dBc/Hz(偏离载频为5 kHz时),-10dB谱线宽度小于200Hz.     

6毫米波段鳍线体效应管振荡器

本文利用直线法(method of lines)对不对称单脊鳍线的特性进行了分析。设计了一种6mm波段鳍线体效应管振荡器。在频率为49.2GHz左右得到最大功率为60mW,且有约1GHz的机械调谐带宽。     

八毫米单调谐体效应管振荡器

<正> 南京固体器件研究所研制成的八毫米单调谐体效应管振荡器采用Kurkawa提出的传输腔稳频电路,由一个TE_(011)模式的高Q腔进行稳频,以满足微波通讯设备对噪声及频率稳定度的要求。 振荡器中的体效应二极管安装在同轴线的末端,同轴线的另一端接由羧基铁制成的吸收体,同轴线的中段与高Q腔耦合,高Q腔通过小圆孔同外负载耦合。 为了改善振荡器的频温系数,除了选择频温系数小的体效应二极管外,主要途径是提高谐振腔的Q值(这对降低调频噪声也是有益的),另外应选择低膨胀系数的金属材料制作腔体。 该振荡器经过一年时间的研制,获得了良好的性能。其特点是受负载影响小,无跳模问     

26GHz变容管调谐体效应振荡器

本文给出一种微带波导型变容二极管调谐体效应振荡器设计过程。采用国产器件制作了三只中心频率为25.7GH_z的电调振荡器:在大于500MH_z电调范围内,输出功率均大于120mw 0.5dB,且具有小于0.5dB的功率平坦度、良好的频谱质量及电调线性度。目前已用于26GH_2锁相源系统。实际使用表明:该振荡器结构可靠,性能优良。     

微波和毫米波用波导管

大阪大学接合科学研究所与村田制作所利用光造形法成功地研制出一种微波和毫米波用波导管。这种波导管是由树脂和陶瓷复合材料构成的具有金刚石结构的光子晶体。据专家验证 ,这种晶体能在 1 0GHz左右的频带传输信号 ,因此期望能用于千兆赫频带的无线局域网或兆兆赫频带的器件上。波导管是用三维CAD组合的光造形装置制成 ,所用材料是一种光固化树脂 ,采用的技术是大阪大学宫本研究室独创的技术。该研究所今后的目标是研制出数兆兆赫频带的波导管 ,以使激光器的光斑直径提高一个数量级 ,达到 1 0 μm。微波和毫米波用波导管…     

毫米波宽带鳍线PIN管开关

本文介绍了3mm波宽带鳍线PIN管接收保护开关的设计和实验结果。