离子辅助制备碳化硅改性用硅膜的研究

本文介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发，在碳化硅（Silicon Carbide: SiC）材料上制备硅改性薄膜的方法，研究了不同沉积速率下改性后的抛光效果。对样品进行了表面散射及反射的测量。通过样品的显微照片可知硅膜层在沉积速率增大条件下结构趋于疏松。通过精细抛光改性的反应烧结碳化硅（Reaction Bonded Silicon Carbide: RB-SiC）样品表面散射系数减小到1.46%，反射率接近抛光良好的微晶玻璃。温度冲击实验和表面拉力实验表明硅膜无龟裂和脱落，性质稳定，与碳化硅基底可以良好的结合。     

空间RB-SiC反射镜的表面离子辅助镀硅改性技术

针对空间用RB-SiC材料由Si\SiC两相结构引起的光学表面缺陷问题,提出了表面离子辅助沉积（IAD）硅膜的改性新方案以优化RB-SiC光学表面反射率。对厚度为10µm的IAD-Si改性层的主要性能研究显示：IAD-Si膜层为非结晶结构,能够提供较好的抛光表面,在77K-673K的热冲击下膜层稳定性良好。以Si膜的抛光机理为依据对IAD-Si改性层进行了大量抛光工艺实验和表面质量测试,给出了关键的抛光工艺参数和实验结果。通过表面IAD-Si改性及本文提出的改性层超精加工技术能够在反射镜表面得到面形精度的RMS值低于1/20λ(λ=632.8nm)且表面粗糙度的RMS值低于0.5nm的超光滑表面;与改性前相比,反射镜改性层抛光表面在360-1100 nm 波段的反射率提高了4.5%以上。     

霍尔离子源辅助制备碳化硅改性薄膜的初步研究

应用电子枪蒸发硅,霍尔离子源电离甲烷,并辅助沉积的方法在反应烧结碳化硅（Reaction Bonded Silicon Carbide: RB SiC）基底上沉积了碳化硅（SiC:H）改性薄膜。XRD测试表明制备的碳化硅改性薄膜为α相。通过控制沉积速率,制备了硬度从9.781 GPa-13.087 GPa,弹性模量89.344 GPa-123.413 GPa的碳化硅改性薄膜。比较同样条件下都镀制银膜的抛光良好微晶玻璃和经过精细抛光的改性反应烧结碳化硅,两者有相近的反射率。附着力实验表明制备的薄膜和基底有良好的结合。在温度冲击实验下,制备的薄膜无龟裂和脱落。     

应用表面改性技术降低烧结碳化硅反射镜的表面散射

针对烧结碳化硅在制作过程中形成的孔洞缺陷会造成严重的反射镜表面散射问题,提出了用等离子体辅助沉积技术镀制硅表面改性层来消除表面缺陷以降低反射镜的表面散射。应用扫描电子显微镜测量了未改性的烧结碳化硅试片,并分析了表面散射成因。搭建了总积分散射仪,测试了改性前后的烧结碳化硅试片及抛光良好的K9玻璃试片的总积分散射。结果显示:烧结碳化硅试片改性前后的总积分散射分别为3.92%和1.42%,K9玻璃的总积分散射为1.36%。使用原子力显微镜测试了烧结碳化硅试片改性抛光后表面和K9试片表面的均方根粗糙度,结果分别为1.63nm和1.04nm,证明了改性后的烧结碳化硅试片消除了表面缺陷,显著地降低了表面散射,表面光学性能与抛光良好的K9玻璃接近。     

反应烧结碳化硅表面改性的初步研究

应用电子束蒸发硅,霍尔离子源电离甲烷,并辅助沉积的方法在反应烧结碳化硅(RB SiC)基底上沉积了碳化硅(SiC:H)改性薄膜.X射线衍射(XRD)测试表明制备的碳化硅改性薄膜为α相.通过控制沉积速率,制备了硬度为9.781～13.087GPa,弹性模量为89.344～123.413GPa的碳化硅改件薄膜.比较同样条件下镀制银膜的抛光良好微晶玻璃和经过精细抛光的改性 RB SiC,结果表明两者反射率相近;附着力实验表明,制备的薄膜和基底结合良好;在温度冲击实验下,制备的薄膜无龟裂和脱落.     

离子表面改性技术的回顾与前瞻

简要回顾了化学气相沉积、离子镀及离子化学热处理等表面改性技术的发展历程，指出了它们的优缺点及技术上的改进；并对近年来新开发的同基合金离子镀进行了扼要推介。     

离子表面改性技术的发展

介绍了化学气相沉积、离子镀及离子化学热处理等表面改性技术的发展历程，指出了它们的优缺点及技术上的改进，对近年来新开发的同基合金离子镀进行了推荐。     

表面改性非球面碳化硅反射镜的加工

为了获得高质量光学表面的非球面碳化硅(SiC)反射镜,对碳化硅反射镜表面改性技术以及离子束辅助沉积(IBAD)Si改性后的非球面碳化硅反射镜的加工技术进行研究。首先,简要介绍了碳化硅反射镜表面改性技术以及本文所采用的离子束辅助沉积(IBAD)Si的改性方法。然后,通过采用氧化铈、氧化铝以及二氧化硅等各种抛光液对离子束辅助沉积(IBAD)Si的碳化硅样片进行抛光试验。试验结果表明氧化铈抛光液的抛光效率较高,使用二氧化硅抛光液抛光后的样片表面质量最好。最后,在上述实验的基础上,采用计算机控制光学表面成型（CCOS）技术对尺寸为650mm×200mm的表面改性离轴非球面碳化硅(SiC)反射镜进行加工,最终的检测结果表明离轴非球面碳化硅(SiC)反射镜实际使用口径内的面形精度（RMS值）优于λ/50（λ=0.6328μm）,表面粗糙度优于1nm（Rq值）,满足设计技术指标的要求。     

复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的研究进展

碳化硅陶瓷具有高强度、高热导率、良好化学稳定性等特点,广泛应用于航空航天、石油化工、集成电路等领域,但碳化硅陶瓷的硬度高、脆性大,在加工过程中易产生缺陷,从而制约了复杂结构碳化硅陶瓷的应用.介绍了复杂结构碳化硅陶瓷的制备工艺,并分析了目前常用的冷等静压成型结合无压烧结制备技术、凝胶注模成型结合反应烧结制备技术、注浆成型...     

碳化硅陶瓷新型反应连接技术研究

在碳化硅陶瓷反应连接工艺的基础上研究了一种新型的反应连接工艺,利用该工艺连接了自制的反应烧结碳化硅（RB-SiC）陶瓷。连接的RB-SiC陶瓷样品表面经过初步抛光后,测试了焊缝宽度、焊缝处的显微组织结构、连接层的力学性能和高低温实验后连接层对表面面形的影响。测试结果表明：利用新型反应连接工艺连接的RB-SiC陶瓷的焊缝宽度分布在54-77μm之间;焊缝处的显微组织结构非常均匀,接近基体材料;测试了十个样品的室温抗弯强度,平均值为307MPa,而且断裂都产生在母材上,说明焊缝处力学性能优异;高低温实验后,整块碳化硅陶瓷表面面形无变化,说明连接层的热学性能与母材一致,无残余应力。     

阶段离子束辅助法制备基频减反膜

在研究阶段离子束辅助制备方式对薄膜性质影响的基础上,采用电子枪蒸发及离子束辅助沉积制备了氧化铪及氧化硅单层膜,采用阶段离子束辅助沉积及全程非离子束辅助沉积制备了基频减反膜。测量了所有样品的弱吸收、残余应力和激光损伤阈值。结果发现,相对电子枪热蒸发制备的样品,离子束辅助沉积的单层膜具有大的弱吸收、低的激光损伤阈值,且张应力减小,压应力增加;阶段离子束辅助沉积制备的减反膜剩余应力变小,弱吸收稍微增加,激光损伤阈值从10.91 J/cm²增加到18 J/cm²。分析表明,离子束辅助沉积在引入提高样品激光损伤阈值有利因素的同时,也引入 了不利因素,阶段离子束辅助沉积在引入有利因素的同时,有效减少了不利因素的引入,从而提高了样品的激光损伤阈值。     

ITO thin films prepared by electron beam evaporation with End-Hall ion source assisted without heating to the substrate

1Introduction ITO(indiumoxidedopedwithtin)trans parentconductingfilmshaveuniqueopticaland electricalpropertiesofhightransmittanceinthe visibleregionandstrongreflectanceintheinfra redregionaswellastheexcellentconductivity.Forthesecharacteristics,ITOfilmsplayanim portantroleinthefieldofoptoelectronicde vices,suchastransparentelectrodeforelectro magneticinterference(EMI)shielding,electro chromicwindow[1],liquidcrystaldisplays(LCD)[2],andarchitecturalapplications.Ava rietyofthinfilmdepositiont…     

高质量光学薄膜制备用新型无栅霍尔离子束辅助镀膜系统

介绍一种无栅霍尔离子束辅助镀膜系统.并对该系统的特点、性能和应用结果作了叙述.     

高质量光学薄膜制备用新型无栅霍尔离子束辅助镀膜系统

介绍一种无栅霍尔离子束辅助镀膜系统。并对该系统的特点、性能和应用结果作了叙述。     

高质量光学薄膜制备用新型无栅

介绍一种无栅霍尔离子束辅助镀膜系统.并对该系统的特点、性能和应用结果作了叙述.     

自动控制离子束溅射沉积光学薄膜系统设计

利用射频离子源RF—2001控制器USERINTERFACE接口具有遥控开关控制的功能,采用继电器控制输出及开关量隔离输入卡DAC—7325E,通过光电传感器对靶转动定位、行星转动系统的监控,在国产IBSD—1000型离子束溅射镀膜系统上,首次成功地实现了单、双离子束溅射沉积镀膜过程的自动化控制。控制软件采用VB编程,程序控制界面直观、易于操作。     

Comparative studies of parameters calibration for focused ion beam deposition

This paper describes the interaction between operating parameters of target wafer surface. We use an organometallic (C) precursor gas in the focused ion beam deposition process. Under the beam intensity conditions (30kV), the influences of the on-target beam control parameters, such as dwell time, beam spacing, minimum frame time and scan type, were investigated by the deposition tests. The analysis was carried out with the variation of dimensions and shapes of the single pattern. The operating parameters considered in this research are implemented in the next double-patterning deposition. The test presented how their interaction appeared on the processing results. The analysis configured out the FIB induced deposition of single pattern with the variation of operating parameters. Additionally the result shows that the sequent beam job influenced the double-patterning deposition significantly. On-beam target conditions should be optimized for the target complicated shapes and high aspect-ratios     

Focused ion beam characterization of plasma-assisted deposition on polymer films at the nanoscale

In this paper, a novel technique is presented for the characterization at the nanoscale of plasma-assisted deposit on polyethylene-terephthalate (PET) polymer films. In previous studies, some microcharacterization and morphology analyses of plasma-assisted deposition were performed by atomic force microscopy (AFM). In the work presented here, we analysed the thickness and homogeneity of plasma-assisted deposits by focused ion beam (FIB). This technique with 5-7 nm resolution requires no sample preparation and relies on a sequence of operations on a relatively fast time scale, so that it is easy to make thorough investigations of the sample. We performed electron and ion imaging of the surface of the material, and a subsequent ionic cutting allowed the study of the morphology of the same sample. We developed a novel approach to the edge detection techniques (EDT) in images for a fast evaluation and monitoring of the deposited layer.