自封闭低电压真空微电子二极管阵列研究

对真空微电子二极管阵列的结构及其制造工艺技术进行了研究，重点集中在该类器件的核心，即场致发射尖锥阵列的制造及自封闭真空空腔形成技术的研究。采用不同的阴极发射尖锥材料，在优化的几何结构和工艺条件下研制成功了性能良好的自封闭低电压真空微电子二极管阵列，在Ｕ≤５Ｖ条件下，对Ｍｏ锥和Ｔｉ锥分别获得３．７μＡ每尖锥和９．５μＡ每尖锥的发射电流。同时对真空微电子二极管阵列的结构参数与电流－电压特性间的关系，影     

台阶阵列阴极真空微电子压力传感器研究

本文提出并研究了一种新型台阶阵列阴极真空微电子压力传感器。与平面阵列阴极真空微电子压力传感器相比，该传感器在扩展量程和提高灵敏度方面较大的潜力，作者展示了计算机模拟计算结果和部分实验结果。     

强发射电流铁电阴极真空二极管试验装置的研制

铁电阴极材料,作为一种新型功能材料,因其发射电流密度高且对使用环境无苛刻要求,而得到各国高度重视.为了测试其电流发射密度,作者研制了铁电阴极真空二极管试验装置,并加以改进,然后将锆钛酸铅(PZT)铁电材料封装入二极管中,进行电子发射试验研究.结果表明,所研制的真空二极管,其真空度达到了试验要求,屏蔽了地电流信号对样品信号的干扰,达到了强电流铁电阴极材料发射电流密度测试的基本要求,为铁电阴极材料在真空二极管中的实用化奠定了基础.     

真空二极管阴极表面场致发射模型的研究

为研究真空二极管阴极表面场致发射模型的算法及数值模拟参数对场致发射过程的影响,建立了计算阴极表面电场强度的有限差分近似模型和高斯定理模型,并基于高斯定理模型自行编程对不同间隙距离的二极管进行模拟计算。模拟得到了场致发射过程中阴极表面电场随时间的演变特性及阴极表面稳态电场与外加电场之间的关系,还将阴极表面稳态电场的模拟结果与理论分析结果进行了对比。研究结果表明,空间网格划分数目的多寡对基于高斯定理场致发射模型计算得到的阴极表面电场的影响不大;每个宏电子包含真实电子的数目、二极管间隙距离、二极管外加电场强度等参数均会对数值模拟结果产生显著影响。     

自扫描光电二极管阵列光电信号测量系统及其测试实例的研究

本文介绍了一种利用自扫描光电二极管阵列(SSPDA)图象传感器作为光电转换器件,可用于大面积显示器件图象质量评价和测微领域的测量系统。该系统由光学成象、SSPDA图象传感器、数据采集、接口电路和微型计算机等部分组成,能对各种被测量参数进行处理,并打印出数据和曲线。通过对彩色显象管(CPT)的线宽、三束间距以及光学狭缝等的测试,该系统显示了足够的测量精度。     

真空阴极弧离子镀阴极斑点的移动研究

建立了真空阴极弧离子镀圆形平面靶侧面引弧时,阴极斑点的受力模型,分析了影响电弧运动的因素,改进了圆形平面靶侧面形状,大大提高了石墨靶阴极斑点从侧面到靶平面的过渡速度。     

多晶金刚石锥状场发射阵列冷阴极研究

本文报导了一种新型金刚石场发射阵列冷阴极的制造方法和电子发射性能，通过数据分析得到了这种金刚石发射体的有效表面功函数和总有效发射面积。并与用其它方法获得的几种膜的发射性能作了比较。测量结果表明，这是一种很有应用潜力的制造方法。     

真空微电子管的研究

综合了已有的真空微电子器件理论的研究成果，提出了真空微电子三极管优化模型，并且进行了初步计算，得到了真空微电子三极管优化模型的理论特性，同时，利用独创的无版光刻工艺制作了真空微电子三极管，进行了测试，并且与结果进行了比较。     

PIN结构自扫描光电二极管列阵的研究

通过对再充电采样方式的自扫描光电二极管列阵（ＳＳＰＡ）工作原理分析，对列阵中光电二极管工作模式进行较深入的探讨，指出影响其性能的主要因素。提出了用ＰＩＮ结构代替常用的ＰＮ结结构的光电二极管组成ＳＳＰＡ。经过ＰＩＮ结构和ＭＯＳ电路兼容工艺方案的分析及实验，测试结果表明ＰＩＮ结构有利于改进ＳＳＰＡ的性能，是研究高性能ＳＳＰＡ的新结构。     

真空阴极弧离子镀阴极斑点的移动研究

建立了真空阴极弧离子镀圆形平面靶侧面引弧时 ,阴极斑点的受力模型 ,分析了影响电弧运动的因素 ,改进了圆形平面靶侧面形状 ,大大提高了石墨靶阴极斑点从侧面到靶平面的过渡速度     

纳米电子器件呼唤真空化学研究

纳米电子器件是微电子器件发展的下一代，现有微电子器件的主要材料是极纯的硅、锗和镓砷等晶体地体。纳米电子器件有可能是以有机或有机／无机复合本薄膜为主材料，要求纯度更高，结构更完善。真空制备的清洁环境，有希望加工组装出纳米电子器件所要求的结构。故本建议开展真空化学研究。     

真空阴极电弧沉积碳氮膜的研究

以氮气为反应气体,用真空阴极电弧沉积法沉积了CNx膜,并利用金相显微镜、Auger电子谱仪、FTIR及XRD对其进了分析.结果表明真空阴极电弧沉积法可以制备含N量高、具有C≡N键和C-N键并含有晶态C3N4的CNx膜.     

双光束光电二极管阵列检测器的设计

由于普通光电二极管阵列检测器无法克服光源波动造成的影响,故设计开发了一种双光束光电二极管阵列检测器。该检测器采用光导纤维束将光源发出的光分成两束,在斩光器的调制下分时射入样品吸收池和参比吸收池。透射出的光信号通过光导纤维束射到狭缝上,被凹面光栅分光成像于光电二极管阵列上。在斩光器和后续电路的配合下,实现了在同一个光电二极管阵列上信号光光谱、参考光光谱和暗电流的分时测量。由于采用参考光光谱和光电二极管阵列暗电流对信号光谱进行实时补偿,可以使基线短期噪声降低为1×10-5AU,漂移降低为1×10-4AU/h。     

真空微电子荧光平板显示器件的实验研究

描述了真空微电子荧光平板显示器件的工作原理，提出了采用反应离子刻蚀法制作大规模场致发射阵列的工艺，在动态真空系统中测定了荧光平板显示器件的场发射特性，并获得了结果。     

二极管的动态特性研究

在电子产品中几乎都要用到二极管,但初学电子的学员在理解其特性和对其有关电路的分析上很容易出错,特别是对它的动态特性很难理解。文章主要通过实验的方法对二极管的动态特性作了全面阐述,以期对二极管乃至所有半导体的学习有所帮助。     

浸渍阴极的真空预处理技术

本文总结了用于真空微波电子器件的浸渍阴极的蒸发规律,通过分析提出了浸渍阴极预处理工艺,建立了超高真空装置.在超高真空环境下,将浸渍阴极灯丝加热,使阴极温度升高到1100～1200℃,保持1～200h(温度和时间依不同微波管型而定).预处理工艺解决了浸渍阴极发射与蒸发的矛盾,现已建立数十台、几十个工位的浸渍阴极预处理设备...     

真空电弧的特点及几种常用金属的真空电弧现象

真空电弧技术愈来愈广泛地应用于离子镀技术．但由于不同的阴极材料的固有性质不同，真空电弧现象也不同．为能更好地将真空电弧应用于离子涂复技术，本文较简洁地介绍了真空电弧特点及一些金属和合金的真空电弧现象．     

真空微电子管特性的计算机模拟

应用FORTRAN77语言，编制了模拟计算真空微电子管特性的有限元程序，在计算机上模拟真空微电子管各参数变化时尖端场分布和尖端发射电流的影响。     

硅场致发射阵列的工艺研究

介绍了硅场致发射阵列工艺研究的初步结果。应用湿法化学腐蚀、硅锥切削及介质平坦化技术成功地制备出了理想形状的场致发射阵列。