低温烧结SrTiO_3晶界势垒高度的研究

本文利用双Ｓｃｈｏｔｔｋｙ势垒模型依据ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器材料的Ｒ～Ｔ特性和室温下的Ｉ～Ｖ特性获得了晶界势垒高度随温度变化的关系．结果表明，势垒高度随温度的升高而增加．这一结果与用各不同温度下的Ｉ～Ｖ特性拟合所得到的势垒值基本相符．     

低温一次烧结高介电常数晶界层电容器材料

报道了一种在较低温度一次烧结制备的具有高介电常数、较低损耗和良好显微结构的晶界层电容器材料(简称ＧＢＢＬＣ)．材料的有效介电常数高达３７×１０４,损耗可控制在４%,晶粒５μｍ左右,ΔＣ/Ｃ＜±３%(２０~１５０℃),频率色散较小,且制备工艺简单．     

气氛对低温烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的影响

本文探讨了气氛对低温一次烧结 SrTiO_(?)陶瓷晶界层电容器材料的影响。结果表明:在同一烧结温度下,强还原气氛会使材料内的晶粒充分长大,赋予材料优良的性能。这是因为强还原气氛改善了液相的特性而促进烧结的进行;更主要的则是因为强还原气氛通过降低氧分压和改善液相特性增强氧挥发而促进晶粒的生长。     

低温烧结SrTiO3晶界垫垒高度的研究

本文利用双Ｓｃｈｏｔｔｋｙ势垒模型依据ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器材料的Ｒ－Ｔ特性和室温下的Ｉ－Ｖ特性获得了晶界垫垒高度随温度变化的关系，结果表明，势垒高度随温度的升高而增加，定结果与用各不同温度下的Ｉ－Ｖ特性拟合所得到的势垒值基本相符。     

SrTiO3独石化晶界层电容器研究

本文研究了低温烧结ＳｒＴｉＯ３晶界层瓷料系统中Ｂｉ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｏ、ＳｉＯ２等掺杂剂对瓷料半导化及烧结特性的作用与影响，讨论了将这种瓷料应用于常规多层陶瓷电容器制作技术的工艺特点和技术关键。实验表明，利用晶界偏析技术制造ＳｒＴｉＯ３独石化晶界层电容器是一条可行性好的技术路线。     

游离SrO和SiO_2杂质在SrTiO_3晶界层陶瓷材料烧结中的作用

本文参照 SrO-SiO_2二元系相图,研究了游离 SrO 和 SiO_2杂质在 SrTiO_3晶界层陶瓷材料烧结中的作用。结果表明,选择适当的 Sr/Ti 值和 SiO_2掺杂量,可使材料中存在的游离 SrO 和 SiO_2在较低温度下形成低共熔液相,从而使材料具有良好的显微结构和性能。     

晶界势垒对晶界层电容器性能的影响

本文从晶界势垒的角度研究了中间夹层的 Schottky 晶界势垒对晶界层电容的介电常数、工作电压等电性能的影响。对在空气中烧成和在还原气氛中烧成的 SrTiO_3晶界层电容器电性能的较大差别给予了一些解释。     

脉冲电流烧结掺杂Ba0.5Sr0.5TiO3陶瓷介电性能的研究

以硝酸钡、硝酸锶、钛酸四丁脂、硝酸铜、硝酸镧以及氨水为原料，利用柠檬酸一硝酸盐燃烧法制备了Ba0．5Sr0．5TiO3(BST)、1mol％Cu^2 掺杂BST、1mol％La^3 掺杂BST，以及0．5mol％Cu^2 和0．5mol％La^3 共掺杂BST粉末．利用脉冲电流(简称PECS)烧结设备烧结所制备的粉体，结果发现掺杂可以大大改善BST陶瓷晶粒大小的均匀性．介电性能测试结果表明1mol％Cu^2 掺杂不仅降低了BST的介电损耗，同时也降低了介电常数，而1mol％La^3 掺杂，以及0．5mol％Cu^2 和0．5mol％La^3 共掺杂降低了BST的介电损耗，但在25℃附近介电常数升高．     

一种含钇的一次烧结SrTiO3 GBBL电容器材料

本工作研究了一种含钇的、在较低温一次烧结的SrTiO₃ GBBL电容器材料，该材料具有制备工艺简单、有效介电常数频散较小、损耗较低等优点．     

一种含钇的一次烧结SrTiO3 Gbbl电容器材料

本工作研究了一种含钇的、在较低温一次烧结的ＳｒＴｉＯ３ ＧＢＢＬ电容器材料，该材料具有制备工艺简单、有效介电常数频散较小、耗损较低等优点。     

掺镁钛酸锶(SrTiO3)陶瓷的导电机理研究

本文着重讨论了掺镁SrTiO3陶瓷的电导与温度和环境氧分压之间的关系．在SrTiO3中镁的含量分别选为10、20、30、40和50mol％,所有样品均在20～900℃的温度区间和3．8×10－4～2．6×10－1atm的氧分压范围被测试．结果表明,所有样品均呈现p型半导体的导电特征,样品在不同温度下的关系中的m与镁的含量和温度有关．根据X光衍射图和缺陷化学理论,实验结果得到适当的解释．     

钛酸锶的宽频带介电谱

利用计算机自动控制的超低频介电谱测量装置和HP4192A阻抗分析仪，在10^-4Hz～10^5Hz宽这九个数量级的范围内测量了钛酸锶陶瓷的频域介电谱。其频域复介电常数可很好地拟合为两项之和。其中超低频项来自于晶界间空间电荷运动的贡献，高频项来自于晶粒内部空间电荷运动的贡献。高频项复介电常数的实部在频率增大时变为负值，这说明介电谱用频域方法来描述是有缺陷的，其测量结果无法用传统的介电极化加以解释。     

Mn,Si等添加剂对GBBL电容器用材料SrTiO3性能的影响

研究了ＭｎＯ,ＳｉＯ２等添加剂对低温一次烧结ＳｒＴｉＯ３ＧＢＢＬ电容器材料介电性能的影响。结果表明,随着ＭｎＯ含量的增加样品的有效介电常数增加,同时介电损耗也大幅增加。ＳｉＯ２的添加量大于０．２％（质量分数）时不利于半导化,并降低介电常数。加入适量的ＭｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２能使材料的有效介电常数有较大提高,损耗则增加不大。     

Al2O3添加剂对合成MgTiO3陶瓷相组成及介电性能的影响

研究了添加剂Al2O3对MgO和TiO2合成MgTiO3陶瓷烧结性，物相组成和微波介电性能的影响。XRD分析结果表明，没有添加Al2O3是，合成的MgTiO3陶瓷中只含有MgTiO3和MgTi5相,加入Al2O3，MgTiO3陶瓷中除了MgTiO3和MgTi2O5相外，还出现了MgAl2O4相，这是上由于Al2O3和MgO发生固相反应，MgAl2O4的出现虽然阻碍材料的致密化并导致密度下降，但是可能降低反应烧结合成MgTiO3陶瓷的相对介电常数和介电损耗。