溶胶-凝胶法制备BaxSr1-xTiO3热释电陶瓷材料

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺制备了不同组成ＢａｘＳｒ１－ｘＴｉＯ３（ＢＳＴ）粉体,复ＦＴ－１Ｒ、ＤＴＡ、ＸＲＤ等技术分析了溶胶－凝胶反应转变机理及凝胶热处理过程中的相结构变化的情况,同时对材料的烧结条件及材料的居里温度与其相成关系进行了研究。结果表明：获得的ＢＳＴ粉体颗粒度较细。     

溶胶-凝胶法制备BaxSr1-xTiO3铁电薄膜的研究

介绍了sol-gel法制备BaxSr1-xTiO3铁电薄膜的工艺参数。在溶胶中加入一定体积百分含量的干燥化学控制添加剂（DCCA）可有效的防止薄膜开裂。通过IR、XRD谱图、C－V回线、I－V曲线等测试方法比较了金属醇盐法和以部分醋酸盐代替醇盐法制备薄膜的微观结构和性能。实验结果表明,全部采用醇盐为原料制备的BST薄膜性能较好。通过两种方法制备BST薄膜性能的差异,本文提出了这两种方法的成膜机理。     

柠檬酸-硝酸盐燃烧法制备Ba0.5Sr0.5TiO3介电材料

以硝酸钡、硝酸锶，钛酸四丁脂以及氨水为原料，利用柠檬酸-硝酸盐燃烧法制备了Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)超细粉末．详细研究了pH值、分散剂对形成BST粉末粒度的影响．用所合成的粉末压片，1300℃烧结2h即可获得致密烧结体，烧结样品的平均粒径约为1μm．在10kHz，25℃下的介电性能为：介电常数1470，介电损耗0．006．     

脉冲电流烧结掺杂Ba0.5Sr0.5TiO3陶瓷介电性能的研究

以硝酸钡、硝酸锶、钛酸四丁脂、硝酸铜、硝酸镧以及氨水为原料，利用柠檬酸一硝酸盐燃烧法制备了Ba0．5Sr0．5TiO3(BST)、1mol％Cu^2 掺杂BST、1mol％La^3 掺杂BST，以及0．5mol％Cu^2 和0．5mol％La^3 共掺杂BST粉末．利用脉冲电流(简称PECS)烧结设备烧结所制备的粉体，结果发现掺杂可以大大改善BST陶瓷晶粒大小的均匀性．介电性能测试结果表明1mol％Cu^2 掺杂不仅降低了BST的介电损耗，同时也降低了介电常数，而1mol％La^3 掺杂，以及0．5mol％Cu^2 和0．5mol％La^3 共掺杂降低了BST的介电损耗，但在25℃附近介电常数升高．     

Li和Ti共掺NiO薄膜的溶胶-凝胶法制备及其介电性能

采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2(1mm)/Si基板上制备了Li和Ti共掺NiO基新型无铅介电薄膜材料,研究了薄膜的形貌、结构、介电性能.结果表明,热分解温度(300～500℃)对薄膜结构影响不明显,经600～800℃退火后的薄膜由NiO与Li-Ni-O复合氧化伆组成;经300℃热分解处理、650℃退火后的薄膜,其表面均匀致密,膜厚约300nm,室温下100Hz时的介电常数为767,当频率高于3000Hz后,介电常数随频率的增加趋于减小.     

溶胶-凝胶法制备氧化铝绝缘薄膜及其电性能研究

以乙二醇乙醚为溶剂,异丙醇铝为前驱物,乙酰丙酮为螯合剂,采用溶胶-凝胶法和旋转涂覆工艺,在不同衬底上制备了氧化铝薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和金相显微镜等手段对薄膜的微观结构和表面形貌进行了表征。结果表明,溶胶-凝胶法制得的薄膜为无定形结构,表面均匀、致密、无裂纹。通过对薄膜电流密度与电场和时间(J-E和J-t)曲线的测量,对薄膜的电学性能进行了研究。薄膜击穿场强约为2.0～3.0MV/cm,在电场强度为0.5MV/cm时,漏电流密度约为9.0×10-6 A/cm2。     

Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的制备、结构及性能研究

研究了一种以乙二醇为稳定剂的新的BST前驱液，用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功制备出具有优良电学性能的Ba0.7Sr0.3TiO薄膜，乙二醇的加入有效地增加了前驱液的稳定性，并降低薄膜的结晶温度，利用XRD、DTA等技术分析了凝胶热处理过程中相变化情况及薄膜厚度与成相的关系，厚度2000nm,O2气氛中700℃处理15min后的BST薄膜具有良好的介电性能，100kHz时介电常数ε＞400，介电损耗D＜0．02，P－E电滞回线说明薄膜具有良好的铁电性能，剩余极化Pr约为1．4μC/cm^2，矫顽场强Ec约为48kV/cm.     

Ba0.65Sr0.35TiO3陶瓷材料的制备及介电特性研究

采用溶胶－凝胶工艺制备了Ba0.65Sr0.35TiO3粉体，并利用微波烧结技术对粉体进行了合成和烧结，研究分析了样品的介电特性，并与传统制备工艺获得的样品进行了性能比较。实验结果表明，获得的Ba0.65Sr0.35TiO3粉体颗粒较细，其合成温度和烧结成瓷温度都较传统工艺有大幅度降低，分别为900和1310℃；可以获得晶粒尺寸在1μm以内的陶瓷；随晶粒的减小，材料的相对介电常数变化不大，而介电损耗大大降低。     

溶胶-凝胶法制备TiO_2介孔薄膜研究

采用溶胶-凝胶法在FTO玻璃上制备TiO2介孔薄膜,重点研究了悬涂次数对薄膜的厚度及孔径大小的影响。对所制备的TiO2介孔薄膜进行X射线衍射分析,结果表明结晶度好,为锐钛矿结构;扫描电子显微镜研究结果表明,介孔的大小均匀且分布均匀;对不同厚度的介孔薄膜进行光学性能研究,及光电转化效率研究,结果发现,随着薄膜厚度的增加,吸光性逐渐增强,但是光电转化效率表现出先增加后减小的趋势。     

弛豫铁电体基陶瓷薄膜的溶胶-凝胶制备和电性能研究

采用溶胶-凝胶工艺成功地制备了纯钙钛矿结构的Pb(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3(简称PMNT)弛豫型铁电陶瓷薄膜,分析了溶胶先驱体中铅含量对PMNT薄膜钙钛矿结构稳定性的影响规律,表明热退火过程的氧化铅气氛层覆盖技术对获得纯钙钛矿结构PMNT薄膜材料至关重要,系统测试了纯钙钛矿PMNT薄膜材料的铁电和介电性能,提出弛豫型铁电PMNT陶瓷薄膜制备中晶粒自由结晶和异常生长动力学机制.     

Na0.5Bi0.5TiO3-BaTiO3陶瓷的介电和压电性能研究

研究了Na0.5Bi0.5TiO3和（Na0.5Bi0.5）0．94Ba0．06TiO3陶瓷的电滞回线，压电性能和热滞现象。得到（Na0.5Bi0.5）0．94Ba0．06TiO3陶瓷的剩余极化Pr=19μC/cm^2，矫顽场Ec=4.7kV/mm.发现有适量的Ba^2 取代（Na0.5Bi0.5)^2 尽管压电性能有所提高，但同时使得材料的温度稳定性大大降低。     

热处理条件对sol-gel法Pb0.4Sr0.6TiO3薄膜形成影响的研究

采用sol-gel法，利用快速热处理工艺过程，保持烧结温度在最低温度(约500℃)以上，制备了多晶钙钛矿结构的PST(Pb0．4Sr0.6TiO3)薄膜．通过XRD、SEM、AFM等方法对晶相的形成与热处理条件之间的关系进行了测试．研究表明，利用溶胶-凝胶法制备PST薄膜的钙钛矿晶相形成过程及晶相含量受制备过程及晶相形成时离子的活性所控制．通过快速热处理方法，在凝胶分解过程中得到的高活性离子直接形成晶相，可以得到相应更多的晶体含量及在较低的温度下形成晶相．在600℃下RTP制备的PST薄膜的晶相含量比同温度下保温热处理薄膜增加约14％，利用RTP制备PST薄膜的晶相形成温度约在500℃，相应要降低约50℃．薄膜的表面形貌受制备热处理过程影响，快速热处理薄膜的表面保持形成时的形貌：非晶相薄膜以光洁表面出现，晶态膜以均匀分布山峰状的形貌出现．受气氛的浸蚀作用，长时间热处理后的薄膜表面出现了变化，在原形貌的基础上以细小颗粒状覆盖的表面出现．     

Ba0.9Sr0.1TiO3薄膜的椭偏光谱研究

用椭偏光谱仪首次在光子能量为2．1－5．2eV的范围内,测量了不同热处理温度下Ba0.9Sr0.1TiO3(BST)薄膜的椭偏光谱。建立适当的拟合模型,并用Cauchy色散模型描述BST薄膜的光学性质,用最优化法获得了所用样品的光学常数（折射率n和消光系数k）谱及禁带能Eg比较这些结果,初步得到了BST薄膜的折射率n、消光系数k和禁带能Eg随退火温度变化的变化规律。     

薄膜厚度对透明 PLT厚膜的介电及光学性质的影响

用溶胶-凝胶法在镀有氧化铟锡透明导电电极的玻璃基片上沉积钛酸镧铅薄膜，在相对较低温度580℃退火，得到了纯钙钛矿结构的透明PLT薄膜，薄膜厚度从580-1830nm．随着薄膜厚度的增加，PLT薄膜的晶粒变大、介电常数增大，而矫顽场减小．所有样品的透射率都在70％以上，最大达到90％左右．当薄膜厚度增加后，透射率降低，并且截止波长向长波方向移动．在633nm处，1830nm厚的PLT（掺镧8％）薄膜的折射率n和消光系数分别为2．39和0．009．     

铁电钛酸锶钡薄膜的最新研究进展

铁电钛酸锶钡(BaxSrl-xTiO3)是一种拥有十分优越铁电／介电性能的材料，在可调谐微波器件及动态存储器件方面具有很好的应用前景．本文概括介绍了BaxSr1-x-TiO3薄膜的研究意义、基本结构、制备方法、各种性能特征及其表征方法与应用展望，并对当前BaxSr1-xTiO3薄膜研究中的几个重要前沿问题进行了详细讨论．