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CVD金刚石膜的场发射机制 总被引:1,自引:0,他引:1
利用热灯丝化学气相沉积方法在光滑的钼上沉积了金刚石膜,用扫描电子显微镜和Raman谱对金刚石膜进行了分析。结果表明金刚石膜是由许多金刚石晶粒组成,晶粒间界主要是石墨相,并且在膜内有许多缺陷。金刚石膜的场发射结果表明高浓度CH4形成的金刚石膜场发射阈位电场较低浓度CH4形成的金刚石为低。这意味着杂质(如石墨)和缺陷(悬挂键)极大地影响了膜的场发射性能。根据以上结果,提出了一种CVD金刚石膜的场发射机制即膜内的缺陷增强膜内的电场,石墨增大电子的隧穿系数以增强CVD金刚石膜的场发射。 相似文献
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借助金相显微镜,SEM、EDXA对钼片上CVD金刚石膜的界面形貌和成分进行了研究,对比了加磁场与不加磁场所沉积的金刚石膜的横民面形态特征,结果表明:加磁场与否在CVD金刚石膜和钼基体之间均存在数μm厚的Mo2C中间层,它呈细小柱状昌方式生长,该层以下的钼基体发生了再结晶细化;加磁场沉积的金刚石膜较致密,(显微)空隙数量较小、金刚石颗粒尺寸较小、金刚石膜背面粘附较多的Mo2C聚集物。压痕试验法评定的 相似文献
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等离子体刻蚀处理对金刚石膜粘附性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用直流等离子体射流CVD法在YG8质合金基体上成功地合成了多晶金刚薄膜。通常基体表面经金刚石磨盘研磨、稀硝酸化学侵蚀脱钴预处理后,沉积的金刚石薄膜的的粘附性能仍不理想。本文首次采用原位的Ar-H2等离子体射流对基体表面进行适当的轰击、刻蚀处理,显著粗化了基体表面,并使基体表面显微组织和化学成分发生重大变化,并且在合适的沉积工艺条件下,沉积的金刚石膜的粘附性能显著提高。借助XRD、SEEM、TEM 相似文献
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与现有的金刚石膜势光工艺相匹配的高效刻蚀技术,是目前研究的热点,自行研制的稀土化合物浆料对CVD金刚石厚膜进行了刻蚀研究,刻蚀过程在低于金刚石氧化点的温度下和大气环境中完成,其刻蚀结果,用扫描电子显微镜给出。实验表明,该工艺采用廉价的稀土化合物为原料,具有简单、完全、高效的特点。 相似文献
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宽禁带半导体金刚石具有许多独特特性,基于此种材料的紫外光探测器能在高温、强腐蚀和强辐射等恶劣环境下工作,成为近年来紫外探测技术研究的重点课题之一。本文综述了CVD金刚石膜紫外光探测器的研究及应用进展。 相似文献
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金刚石由于其低的介电常数、高的导热率和优良的机械性能 ,将其应用于微波管改善其散热性能取代传统有毒的氧化铍陶瓷 ,是微波管螺旋线优良的支撑材料。本文首次采用等离子体化学气相沉积法在行波管夹持杆上沉积金刚石厚膜 ,经材料和慢波组件性能测试 ,获得了较好的实验结果 :导热率 12W/cm·℃ ,介电常数为 5 .0~ 5 .3,介质损耗为 1× 10 -3 ,体积电阻率约 10 13 Ω·cm ;慢波组件导热性能与同结构的BeO组件相比提高 3.0倍。表明该薄膜能满足大功率行波管的设计、工艺技术要求 相似文献
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CVD金刚石薄膜的介电性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对直流电弧等离子体CVD制备的金刚石薄膜的介电性能进行了研究,结果表明,金刚石薄膜的介电性能主要取决于样品的多昌性质以及表面和晶界处的非金刚石相和杂质成分。 相似文献
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针对金刚石膜微波介电损耗低、厚度薄带来的微波介电性能测试难点, 研制了一台分体圆柱谐振腔式微波介电性能测试装置。利用不同直径的蓝宝石单晶样品, 用上述装置对低损耗薄膜类样品微波介电性能的测试能力及样品直径对测试结果的影响进行了实验研究。在此基础上, 使用分体圆柱谐振腔式微波介电性能测试装置对微波等离子体化学气相沉积法和直流电弧等离子体喷射法制备的高品质金刚石膜在Ka波段的微波介电性能进行了测试比较。测试结果表明, 由Raman光谱、紫外-可见光谱等分析证明品质较优的微波等离子体化学气相沉积法制备的金刚石膜具有更高的微波介电性能, 其相对介电常数和微波介电损耗值均低于直流电弧等离子体喷射法制备的金刚石膜。 相似文献
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类金刚石膜的性能及应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了利用低能离子束技术,在单晶硅片等多种基体表面形成类金刚石薄膜(DLC膜)的工艺,测试了其物理化学力学性能,在硅片,硅太阳电池和半导体等表面进行了形成类金刚石膜的应用研究。 相似文献