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1.
301031超精密金属膜电阻器-一《Natjonal Teehnieal Report》,1980,26,滩2,283 一201(日文) 研制出能与精密线绕标准电阻相匹敌的超精密金属膜电阻.使用NICrAI合金膜。电阻温度系数<士sppm/℃,电阻值精度达士0.肠解,经年变化<士0.的5多。301032专利薄膜电阻一Ni一cr一Al合金电阻温 度系数低稳定性高—西德专利摊2204一 120,公布:1980年2月 合金成份为(重量另):巧Ni,25Cr,60AI;55Ni,10Cr,35AI;55Ni,43C:,ZAI;3ONi,68Cr,2AI;lsNi,68Cr,z7AI.301033高温用耐热电热合金丫ss一S丫TT一一 《冶金》,1980年,饨9,56~57 高温用耐热电热…  相似文献   

2.
300998电阻合金的氧化—(Mrowee Sta:卜 islaw),《Areh.hutn》,1979,24,恤1, 37一56(波兰文;摘要:英文.俄文) 研究T添加Y和ThO:对Fe一25Cr,Fe一25Cr一5AI.Ni一ZOCr电阻合金的影响。300999专利对防水釉有良好浸润性的变阻器 用丝一(小笠,冈本)〔日木住友电气〕, I」城丈专利,灿,53一ljogZI,一111占:1977.片,l(1, 抽52一263)叹.公布:J978.9.28301000F一Cr一AI合金在硫蒸气中的高温腐蚀—《J .Eleetr。,Che过.soe.》1979, 126,恤12.2254一2257(英文)3DIO01专利作应变电阻的铁合金—〔巴尔 金钢铁研究院),苏联专利502865,公布日 期…  相似文献   

3.
500513 FeNi因瓦合金膜中可逆一Y转变特征 一一(牙R。,oB H.H.等),《中MM》,1981, 51,恤6,1300一1307(俄文)500514 FePd合金的X一射线光谱与因瓦效应中 的电子定域一(3axapOB A .H.等), 《小MM》,1981.51,越6,1314一1317 (俄文)500515专利封接材料,冷轧Fe一Ni合金.热处 理(还原气氛中),并银复层—日本专利, 滩.6003一653,公布:1981年1月500516专利耐磨封接铸铁,含51、B并加适量 的M。以保证硬度—日本专利恤.1003一 424,公布:1981年1月500517专利玻璃封接合金.含Fe、Ni及Mg, 用作气密半导体封接—日本专利沁.5145 一153.公布:1980…  相似文献   

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弹性合金     
102626专利易变形高强度铜合金一日本专 利,沌53一26223,公布:78.3.10 铜合金含Nis一25厂,Snl一7多,P0.01一1 .0多。材料在1250℃高频感应炉的石墨增锅中熔炼,熔锭在叨0℃热处理,随后冷变形,650℃最终退火3小时.合金的。=68公斤/毫米,,。>2,用作阀座,膜盒和齿轮,10262了专利铜一铝一镍导电弹簧—日本专利 恤53一37129,公布:78.4.G 合金含(拓):Cus一8凌.5、Al 12一14、Ni 3.5一5.0。合金在高频感应炉熔炼,8的℃退火4小时,冰水中淬火。102628 Mn一Ni一Ti和Mn二Ni一Zr系无磁恒弹性 合金—(增本量),《日本金属学会志》,1979, 43,沁1,13一1…  相似文献   

5.
k,a等),《Solid Sta土。Com边认。ieation》,1981,38,恤T,5启1一5后4(英文)500521专利热膨胀陶瓷玻璃封接合金,用于电 器或电子元件.为铁素体材料含N,及Cu -一日本专利了码昭3一457公布:1981 年喜月 合金含舰一4Q二t.务C住余Fe其热膨胀系数为4.SXIQ“‘厂℃,温域在一般温度到3的℃之间,由于此种合金的热膨胀系数与玻璃、陶瓷或松香的热膨胀系数差异甚小。此合金非常适合将大规模集成电路封接于陶瓷基片上,亦可用于封接玻璃、陶瓷或松香于真空管端。合金具有良好的可拉、可弯曲性。仁牧摘〕500522专利Ga一C。合金作真空封接材料— 关国…  相似文献   

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磁性材料     
403089第四届软磁材料国际会议—《日属学会会报》,1980,19,滩l,41一43文)本金 (日403090稀磁性合金研究中的压力参量一一 《Ady.Phys.》1979,28.恤5,657一715, (英文)403091专利耐蚀高导磁铁基合金-一卜}木专 利.饨53一l!0723,申清:l()77,3.30;恤52 一34609,公布:1978,l().「{飞 提出了Fc基、F。一Ni墓、Fc一Al基或Fc一人l一si基合金。热处理:在H:或含0.001一10多 N:的Ar气氛中一100℃退火。合金Hv为180, “o=5 0000,拼。a:=150000.He=0.018奥, B,。二6700高斯,以薄片状态用作音响器的 铁芯。403092作磁头用的坡莫合金的固相硼化一一…  相似文献   

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301017专利变阻器用材料一一(雄谷)[松卜 电器〕,日本专利,饰54一35310,申请: 1979.11,冲48一130340,公布:1979.11 获专利的材料成分为25一75多Cdo,75一25拓其他组元,其中包括44一80多Bao、CaO,Sro,以及19一55男B203、510:和0.0一8形CuO.301。仿专利变阻器用合金—(一下鸟)【东 芝电气〕,日本专利,掩54一17687,申请: 1972.11;恤连7一116580.公布:1979.7 厚6微米的AI膜沉积于厚0 .5毫米成分为Ni80拓Cr20拓合金极上并经适当处理,可用于加热元件等。301019可经受液氦温度多次冷却的丝电阻器 -一(H .A.naoRpaTOB),《n 0 T3》, 1980,恤1,…  相似文献   

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301154实用的超导材料一(焦正宽),《机械 工程材料》,1981,饨4,50、56(中文)301 1 55专利Ni或Ni一Cu超导合金材料,含NbC 一日本专利,滩0047一094,公布:1980年11月301 156稀土La及其化合物La3In超导性的初步 研究一一(刘志毅等).嘴低温物理》,1981, 3,恤3,235~239(!(J文)301 157在68OF时发现一种超导体-一咤国外科 技消息》,1981,饨16,13(中文)301 1 58专利高导电Cu一TI合金一一西德专利凡. 2062一939,公布:l匀81年1月301159专利可焊的高强度导电铜合金,含Ni、 Si,为一种高纯材料一日本专利,恤.5104 一449,公布:1980年8月301 160专利…  相似文献   

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500461 Fe一Pd因瓦合金的磁性能与热膨胀(Matsui M.),《Jof Magnetism andMagnetie Materials》,1980,15一18.Part3,1201一1202(英文)500462因瓦合金中的低自旋态-一(Chika- zuoi 5.),《J .of Magnetism and Ma- gnetie Materials》,1980,15一18,Part 3,1130一1135(英文)500463定膨胀合金TECHALLOY GLASSEAL 42一《A lloy Digest》,1979,滩10(英 义) 系一种铁镍合金,其热膨胀系数可与1075玻璃匹配,也可与0120和0010玻璃封接。在封接用铁镍合金中其膨胀系数最低.合金含(拓):42Ni,0 .03C,0 .80Mn 51 0.3(],余Feo500464研究低…  相似文献   

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00943专利精密电阻器的生产-英国专乳303工0,公布日期1978这种精密电阻器包括一个具有》5。多非晶态的金属合金电阻元件。其特点为阻值高,温度系数低,高稳定性。300944高阻  相似文献   

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500467因瓦和艾林瓦非晶态合金—《IEEE Tran;.on Magneties》1979,MAG一15, 座6,1404一1409(英文)500468 FeNi因瓦合金的反常特性与磁非均匀 」l生一一(Shi二izu M.),《J.Magnetism挽 Magnetie Materials》,1980,19,冲l一3 (英文)500469「ePt因瓦合金均匀的强铁磁体—《J. MMM》,1979,12,(2),127一134(英文)5004了0专利无磁低热胀系数合金—〔大同特 殊钢l日本专利,恤54一56019,申请:1匀77, l,沁52一121904,公布:1979,55004了1专利低热胀系数的非晶态钢—〔东北 大学金属材料研究所〕,日本专利,恤53一 l互7G04,申请:1977.5,冲52…  相似文献   

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500400专利与软玻璃封接用Fe-Ni合金——日本专利,№51—29861,公布:76、8、27 合金含Ni 40—55%,Cr 4.5—7%,Si≤1%Mn≤1%,Al≤0.5%,Ti0.05—1,Fe、杂质余量。用作台式电子计算机等用的布朗管阴极。 500401专利低膨胀系数合金——美国专利,№3971677,公布:76、7、27  相似文献   

13.
Ni-Fe合金的线膨胀系数随合金组分不同而变化,当Fe的质量分数为50%~70%时,Ni-Fe合金的线膨胀系数比Ni以及Fe单质要小.因此,NiFe合金作为低热膨胀材料广泛用于半导体引线构架、光导纤维的包裹部件等电子通讯领域.  相似文献   

14.
701418 MgO、Fe/Mgo和Cr/M90的高频介电 性能一一(Thorp J .5.等),《J.Materials Sei.》.1981,18,蚀4,x052一1058(英文)701引9电子陶瓷制造中的显微结构控制— (Yan M .F.),《Mater .Sei.&Engng.》, 1981,48.沁l,53一72(英文)701420三氧化二铬稳定的高温硅酸铝纤维材料 —一咬国外耐火材料》,1马81,掩吐,29一 31(中文)701421A!:0:一ZrOZ一510:系错刚玉材料相组 成的计算一一(沈继耀),《硅酸盐学报》, 1381,9,沁3,353、360(中文)701礴22专利对结构及夹杂敏感的特殊陶瓷,用 粉末冶金产生的TIO合金研磨体一一西德专 利,滩3028一068.…  相似文献   

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500448C。基非铁磁性因瓦合金-(深道征明) 《日本金属学会会报》,]978,17,饨12,972 一974(日文)500449专利低线性膨胀系数及高耐蚀合金- 苏联专利饨572一529,公布:1977,9月  相似文献   

16.
在氩气保护下,采用磁悬浮感应熔炼方法制备La0.7Zr0.1Mg0.2Ni2.75Co0.75-x Fex(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2)合金,并研究Fe取代Co对La0.7Zr0.1Mg0.2Ni2.75Co0.75-x Fex(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2)合金储氢性能及电化学性能的影响。结果表明:合金主要由LaNi5和La2Ni7相组成,随着Fe含量的增加,LaNi5和La2Ni7相的晶胞体积逐渐增大,且合金中依次出现ZrFe2相(x≥0.05)和La7Ni3相(x≥0.1)。适量的Fe取代Co,不仅能提高La0.7Zr0.1-Mg0.2Ni2.75Co0.75-x Fex(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2)合金的储氢容量,降低合金的放氢平台压,改善合金氢化物的稳定性,而且能延长合金电极的循环寿命,提高合金电极的高倍率放电性能。  相似文献   

17.
500450因瓦和埃林瓦合金的发展—(斋藤) 《Pliys.公且d Appl.Iuvar Alloys》,To- k丁。,又978.3一z了(英文)5。。451晶态和非晶态合金的因瓦行为一《国 外金属材料》.1920年,饨3,37一40500452因瓦合金的弹性和磁弹性效应一《国 外金属材料》,193D年,恤3,40一43500453专利无磁因瓦合金—日本专利.恤53 一33085,申1青:11)74,10,14,灿49一 11709J.公布:1978,9 .12 提出一种成分为(形):51 0.5一9.0.Mn0 .1一1 .2.余Cr的无磁因瓦型合金.合金具有良好力正L性,在一钧到 40℃温度范围内热胀系数小{几士4·10一6/℃。合金可用于录象装置。500454 …  相似文献   

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磁性材料     
403501磁记录材料的应用—(西本幸三), 咤七,之,夕久》,1981,16,恤3,198一 203(日文)403502记忆压力的磁性材料一一(筱原猛), 魂日本金属学会会报》,1981,20,饨5, 连03一405(日文)403503金属及合金中磁转变与性能以及马氏体 转变关系-一《国外金属材料》,1081, 恤9,42一46(中文)403504专利磁性合金的形变热处理,冷却到形 成磁性相,塑性变形后时效—西德专利 灿.8001一851.公布:1980年9月4035D5非晶态磁性合金可能的用途—《Cesk. Cas .Fyz.》,、1980,30,场6,625一629(斯 洛伐克文)403506 Co,。Zr:。铁素体非晶态合金中磁性与畴 壁的研究…  相似文献   

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的i了13氢化的非晶态硅的热弹性能—(K。:- ho:。n一入.5.等),《Mater.Sei.及Eng- ng.》,1981,49,沁乙,127一132(英文)印1714 sno:薄膜中的气敏机理-一(R.B. C.〕oPer等).《J .Eleetrouie Materials》, 1981.10,饨3,455一472(英文、 用射领喷涂技术制备的SnO:薄膜带有1肠和川肠SbZO3的掺杂。此薄膜然后在人造的空气中进行试验,了解它们对H:和CO的反响。〔铣摘〕6D1715专利食半导体金属合金,为Nf3AI互基一一 日本专利随0049一1妞,公布:1980年12月601了16对非晶半导体的电导和热电势率的测定 分析一(Niclsen Paul),《AIP Conf. pr…  相似文献   

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300930国内外高温电阻应变片的发展概况— (吴宗岱),《金属材料研究》,1 979年,第五卷, 灿2,81一93 本文对国内外能在400℃以上工作的高温电阻应变片的发展情况进行了概略的介绍。300931电加热元件用具有恒定电阻的精密合金 苏联标准I’0CT24l9一78 本标准包括以下几部份:试样选择方法,仪器,试样的制备,试验、试验结果的处理。标准尚规定了寿命测试方法。300932专利铂应变电阻器的制备方法一一苏联专 利,恤586319,公布:77.12.13300933用于1033’K(1400’F)的高温两轴应变传 感器的发展一(M.M.I·emcoe),《expe- rimental meehanies》,19…  相似文献   

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