以陶瓷厚膜为绝缘层的缘色薄膜电致发光器件

首次报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层,ＺｎＳ：Ｅｒ作发光层的绿色薄膜电致发光器件。器件结构为陶瓷基片／内电极／陶瓷厚膜／发光层／透明电极。     

以陶瓷厚膜为绝缘层的绿色薄膜电致发光器件

首次报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ∶Ｅｒ作发光层的绿色薄膜电致发光器件（ＣＴＦＥＬ）。器件结构为陶瓷基片／内电极／陶瓷厚膜／发光层（ＺｎＳ∶Ｅｒ）／透明电极（ＺｎＯ∶Ａｌ）。发光层是用电子束蒸发制备的,透明电极是采用溅射法制备的。器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光,研究了器件的亮度－电压和效率－电压等特性。     

薄膜绝缘层对陶瓷厚膜电致发光显示器件的影响

采用丝网印刷技术，在Al2O3陶瓷板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层制备出陶瓷厚膜基板，进而制备了新型厚膜电致发光显示器（TDEL），整个器件结构为陶瓷基板／内电极／厚膜绝缘层／发光层／薄膜绝缘层／ITO透明电极。对用不同薄膜绝缘材料制备的显示器件的特性进行测试、比较、分析，结果表明薄膜绝缘介质层对器件的阈值电压、发光亮度均有一定的影响，以复合绝缘层的性能最优。最后对器件的衰减特性进行了初步分析。     

有机EL平板显示器件技术进展

自1936年初发现EL(电致发光)现象以来,直至将其应用于显示器件已延续了半个多世纪。以研究历史来看比液晶显示器件(LCD)长,但实用化却相对滞后。现在仍局限于少数公司在开发橙色或绿色的单色显示器件。这种单色器件使用Se和Zn等无机化合物薄膜为发光材料,属于结构简单的自发光型平板显示器件。但:发光效率低,为1m/W;驱动电压高,为100V以上;只能获得100cd/m~2的亮度。     

EL结构的界面粗糙度对器件性能的影响

为了加深对薄膜电致发光器件的物理性质的理解，本文就相邻介质的粗糙度对器件电气性能的影响了研究。原子力显微镜分析表明：底层的Ｔａ２Ｏ５厚度越大，其表面就越粗糙，导致ＺｎＳ：Ｐｒ，Ｃｅ表面的粗糙度增加。更重要的是增加Ｔａ２Ｏ５薄膜表面的粗糙度，降低了由Ｐｏｏｌｅ－Ｆｒｅｎｋｅｌ电流而产生的初始场强。对ＩＴＯ－Ｔａ２Ｏ５－ＺｎＳ：Ｐｒ，Ｃｅ－Ａ１和ＩＴＯ－Ｔａ２Ｏ５－ＺｎＳ：Ｐｒ，Ｃｅ－Ｔａ２Ｏ５－Ａ１     

薄膜电致发光平板显示器件

本文描述交流薄膜电致发光(ACTFEL)平板显示器件的基本工作原理,结构,设计规则和驱动方法,叙述ACTFEL显示的荧光体和绝缘体的一些基本总是以及采用的各种工艺;介绍了多色TFEL显示的结构和制作技术,还介绍了它们进展水平以及未来发展趋势.     

电致发光显示器件的军事应用

随着电致发光显示(ELD)技术的不断进展，ELD器件在军事上的应用范围也在不断扩大。本文对于ELD器件在军事上的应用作了介绍。     

掺杂浓度对ZnS：Er^3＋EL器件发光特性的影响

研究了ＺｎＳ：Ｅｒ＾３＋薄膜电致发光（ＥＬ）器件中，不同Ｅｒ＾３＋拓杂浓度的发光特性，发现，随发光中心Ｅｒ＾３＋的浓度增加而红色发光峰相对两个绿色峰有所增强，而两个绿色峰的相对强度却不变，在器件结构相同的情况下，浓度低于５×１０＾－３克分子２时发光随浓度的增加而增强，两个绿色峰的亮度没有红色峰的亮度增加幅度大。当浓度大于１×１０＾－２克分子浓度时，绿色发光峰的强度开始下降，红色的强度明显增强，说明     

太赫兹宽带非对称传输器件的研究

提出一款双层双L形太赫兹非对称传输器件,其结构单元由典型的金属-介质-金属结构组成,顶层为轴对称的双L形金属层,底层为中心对称的双L形金属层。在1.174~1.420THz范围内,当x极化波正向垂直入射时,该器件的非对称传输参数大于0.6,其中在1.207~1.377THz范围内非对称传输参数大于0.8,在1.334THz时非对称传输参数达到峰值0.859。最后,讨论了材料的选择和入射角度对器件非对称传输性能的影响。该非对称传输器件具有频带宽、非对称传输明显等特点,可用于太赫兹二极管、太赫兹开关等功能器件。     

CCD多晶硅层间复合绝缘介质研究

电荷耦合器件(CCD)多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。将氮化硅和二氧化硅作为CCD多晶硅层间复合绝缘介质,采用扫描电子显微镜(SEM)和电学测试系统研究了多晶硅层间氮化硅和二氧化硅复合绝缘介质对CCD多晶硅栅间距和多晶硅层间击穿电压的影响。研究结果表明,多晶硅层间复合绝缘介质中的氮化硅填充了多晶硅热氧化层的微小空隙,可以明显改善绝缘介质质量。多晶硅层间击穿电压随着氮化硅厚度的增加而增大,但太厚的氮化硅会导致CCD暗电流明显增大。由于复合绝缘介质质量好,可以减小CCD多晶硅的氧化厚度。     

n型纳米非对称DG-TFET阈值电压特性研究

n型纳米非对称双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET)速度快、功耗低,在高速低功耗领域具有很好的应用前景,但其阈值电压的表征及其模型与常规MOSFET不同.在深入研究n型纳米非对称DG-TFET的阈值特性基础上,通过求解器件不同区域电场、电势的方法,建立了n型纳米非对称DG-TFET器件阈值电压数值模型,探讨了器件材料物理参数以及漏源电压对阈值电压的影响,通过与Silvaco Atlas的仿真结果比较,验证了模型的正确性.研究表明,n型纳米非对称DG-TFET的阈值电压分别随着栅介质层介电常数的增加、硅层厚度的减薄以及源漏电压的减小而减小,而栅长对其阈值电压的影响有限.该研究对纳米非对称DG-TFET的设计、仿真及制造有一定的参考价值.     

Multifunctional Optoelectronic Device Based on an Asymmetric Active Layer Structure

A single device with a variety of capabilities is highly attractive for the increasing demands of complex and multifunctional optoelectronics. A hybrid heterojunction formed between CsPbBr₃ halide perovskite and chalcogenide quantum dots is demonstrated. The heterojunction served as an asymmetric active layer allows not only charge separation/exciton dissociation in a benign process, but also carrier injection/recombination with the suppression of bulk and interfacial nonradiative recombination. An individual device incorporating such a heterojunction is therefore implemented with an integration of proof‐of‐concept functions, including a voltage controllable multicolor light‐emitting diode, an exceptionally high photovoltage energy‐harvesting device, and an ultrafast photosensitive detector. The figures of merit of the light‐emitting diode remarkably surpass those of the corresponding single‐active‐layer device, particularly in terms of its bright electroluminescence and superior long‐term stability. The asymmetric active layer concept provides a feasible route to design efficient multifunctional and monofunctional devices in the future.     

基于DSA-ph的高效率超薄层蓝色有机电致发光器件

讨论了基于蓝色荧光染料DSA-ph作为发光层的蓝色有机电致发光器件,器件结构为：ITO/2T-NATA/NPBX/DSA-ph（xnm）/TAZ/Bphen/LiF/Al。通过改变DSA-ph的超薄层厚度,相应器件的性能指标也有所不同。研究表明,在超薄层厚度为0.5nm,驱动电压为4V时,器件的最大发光效率为6.57cd/A;在超薄层厚度为0.3nm时,驱动电压为10V时,器件的最大亮度为5 122cd/m^2。器件的色坐标在（0.17,0.36）附近,属于蓝光发射。     

基于薄层铱配合物的有机电致发光器件研究

采用蓝色磷光染料bis[(4,6-diflourophenyl)-pyridinato-N,C2’)](picolinato) Iridium (III)(FI rpic)和黄色磷光染料bis[2-(4-tertbutylphenyl) benzothiazolato-N,C2,]iridium(acetylacetonate)[(t-bt)2 Ir(acac)]为超薄层,制备了结构为ITO/NPB/mCP/(t-bt)2Ir (acac)/mCP/Flrpic/mCP/TPBi/Mg:Ag的白色有机电致发光器件.通过调节磷光染料双超薄层Flrpic和(t-bt)2Ir(acac)的厚度,优化了白光器件的性能.结果表明,白光器件的最高电流效率为13.08 cd/A,最高功率效率为7.21 lm/W,发光光谱稳定,在9V时得到色坐标为(0.33,o.33)的标准白光,并且在较宽的电压范围内仅有(±0.08,±0.08)变化.这是由于超薄层FIrpic和(t-bt)2Ir(acac)形成的陷阱效应直接俘获电子和空穴,从而将载流子复合区域限制在一定范围内,不仅有利于增加激子的辐射发光效率,且提高了光谱的稳定性.     

高场非对称波形离子迁移谱仪的初步研究

介绍了一种基于高场非对称波形离子迁移谱技术的生化检测方法,它根据各种离子在高电场中迁移率变化不同的特性实现对各种生化物质进行检测。经过理论计算,分析了高场非对称波形离子迁移谱仪的基本原理,推导出补偿电压与非对称波形射频电压之间的关系式。但是,迁移率有效系数是一个与离子自身的性质、电场强度、温度、浓度、气压等有关的量,从理论上无法直接计算它的值。通过实验研究,发现补偿电压与非对称波形电压成线性关系。这有助于进一步认识离子在高场非对称波形离子迁移谱仪中的运动特性,同时也为提高它的性能提供了依据。     

热载流子退化对MOS器件的影响

介绍了评价热载流子注入效应的加速寿命试验，针对具体的工艺线，提取了MOS管加速寿命试验的模型参数，以阈值电压变化10mV为失效判据，分别对0．8μm和0.6μm工艺线的热载流子注入效应进行了评价。整个测试过程由程序控制，设备精度高，使用简便，适用于亚微米和深亚微米工艺线的可靠性评价。     

人工中耳惯性压电式悬浮振子驱动电压研究

为研究人工中耳惯性压电悬浮振子的驱动电压特性,首先建立中耳的有限元模型,其可靠性通过实验对比得以验证;再利用该中耳有限元模型分析了振子绑定装置处的位移阻抗特性,并基于此建立听骨链与绑定装置的等效力学模型;最终建立听骨链与惯性压电悬浮振子的耦合力学模型,分析了其所需驱动电压特性.研究结果表明,振子所需驱动电压随着频率的增大而减小,在语音频段,所需最大驱动电压为20.9 V;在感音神经性听力损伤多发生的中高频段,该驱动电压不高于3.8 V,满足人工中耳低电压、低能耗的要求.