“数字化校园”建设对策

“数字化校园”是全面利用现代信息技术,将校园环境、校园资源和校园各项活动的全部过程实现数字化和智能化,完成从环境、资源到活动的全部数字化以及对各种资源的集成、整合和优化,使知识资源得到充分地利用和共享,在校园内形成一个集教学、管理、学习、科研和生活为一体的,高度信息化的人才培养环境。论文主要从数字化校园特点、需要解决的问题及实现途径及等方面进行了探讨。     

基于网格技术的数字化校园建设应用研究

实现对高校的计算资源和信息资源的安全有效共享,是数字化校园的重要目标之一,网格技术能够屏蔽校园网中各种资源的差异,为用户提供一个统一、透明的服务平台,实现数字资源的全面共享.论述了数字化校园的基本特征,分析了当前数字化校园建设应用现状,针对目前高校信息资源共享难、利用率低等应用中存在的实际问题,提出了基于网格技术的数字化校园建设,给出了系统的基本架构,并进行了描述.     

基于数字化校园建设的校园一卡通系统研究

校园一卡通系统的实现是现代化、数字化校园建设、发展的必然趋势,在数字化校园建设的基础上,实现对校园一卡通系统的研究与建设,不仅可以使院校各个业务系统实现严谨的数据处理,还能够实现业务与管理体系的相互协调、整体发展。在很大程度上降低了资源浪费程度,避免发生重复建设的问题。因此,校园一卡通系统作为校园基础建设与数字化建设的重要内容,对其进行研究具有重要意义。     

光学字符识别技术与图书馆信息资源的数字化

光学字符识别技术是自动识别技术中针对印刷体字符的一种识别技术,它可以对海量传统信息资源进行加工,存储,检索和利用,是实现图书馆信息资源数字化的先进技术和重要手段。在对传统图书馆信息资源数字化加工过程中应用光学字符识别技术,可以准确、快捷、高效地实现信息资源数字化,加快数字图书馆的建设步伐。     

数字化校园建设对策分析

信息技术的推广为现代校园建设提供了重要的技术性支持,数字化校园的建设实现了对校园资源的优化配置.数字化的校园管理模式是对传统校园建设方式的突破,以信息技术为手段实现了对校园各项资源的整合,实现管理上的高效化,教学资源的共享化.本文从数字化校园建设的发展现状出发,具体的分析了数字化校园建设的内容,结合现代校园建设的发展需求,提出了科学的实践对策,提升数字化教学建设的水平,推动现代高校建设专业化、现代化、数字化实现.     

基于SOA的数字化校园资源整合研究

为了实现信息共享和资源优化,文中分析了SOA架构的实现技术,提出了一种基于SOA的数字化校园资源整合方案,构建了一个由校园信息门户、统一身份认证、统一应用和共享数据中心组成的数字化校园平台,解决了学校在进行校园信息化建设过程中出现的信息资源分散、共享程度低等问题。     

高校数字化校园平台建设的探索

数字化校园是在高等教育信息化进程中衍生出来的一个崭新概念,它是利用先进的工具和手段,借助于网络技术和计算机技术,实现从环境到资源到活动的数字化。其中环境包括教室、设备等,资源包括课件、图书、讲义等,活动包括服务、管理、教学等。数字化校园时通过对学校社区服务效率、学校的管理工作、学校的研究活动和学术活动的效率的提升,进而在时间和空间上面扩展校园并且最终实现教育的一体化。此篇文章重点是给大家讲解一下现如今大学的数字化校园平台建设的总体框架、建设的目的和建设思路最后又分析了一下我国大学数字化校园下一阶段建设方向。     

数字化校园建设现状及发展策略

所谓数字化校园指的就是将网络作为基础,将网络、通讯及计算机技术融合在一起,从而实现教学、科研、校园管理、校园生活等各种相关资源的数字化,通过科学规范的管理实现资源的集成及整合,从而实现资源、用户及权限的统一管理.当前数字化校园基础设施建设落后、信息标准不统一,而要解决这些问题首先应该明确数字化校园的定位,然后从多个方面采取措施来保证数字化校园建设的稳步推进.     

什么是数字电视增值业务的方向?

频道:研究的根本基点 为实现有线电视数字化,有线同仁投入了巨大的财力、物力和人力,这种投入的目的是什么?投入换取到什么资源?我们必须认识到,数据广播、节目导视、认证等功能,付费数字电视等业务,仅仅是功能和形式,而非数字化的本质.     

公共文化资源数字化运用功能拓展研究

公共文化与"数字"联姻,目前还仅仅处于狭义的有形资源向数字化资源的转化过程。如何实现公共文化资源的数字化功能与面向公众普及与互动,这对于进一步推广公共文化资源数字化具有重要的现实意义。     

A compact microstrip fed dual polarised multiband antenna for IEEE 802.11 a/b/g/n/ac/ax applications

A compact microstrip fed dual polarised multiband monopole antenna for IEEE 802.11 a/b/g/n/ac/ax communication based applications is presented. The antenna is circularly polarised in IEEE 802.11 b/g bands while linearly polarised in IEEE 802.11 a/n/ac/ax bands. The asymmetric U-shaped slot in the ground plane of proposed antenna is used to introduce the necessary 90° phase shift between two orthogonal electric field vectors necessary for circular polarisation. The Ω-shaped slot on patch is used to introduce a band elimination notch between the usable frequency bands. The radiation characteristics of the proposed antenna (at 2.4 GHz) can be changed from left hand circular polarisation (LHCP) to right hand circular polarisation (RHCP) by replacing asymmetric U-shaped slot with its mirror image on the opposite side of ground plane. The proposed antenna has a wide impedance bandwidth of 110.8% and can also be used in various applications including worldwide interoperability for microwave access (WiMAX) and IEEE 802.11p standard based V2V (Vehicle to Vehicle) communication.     

M/M/C/m/m排队系统模型的飞机战伤抢修研究

抢修力量配置是飞机战伤抢修复杂系统的核心因素.损伤飞机在抢修系统中的停留时间是进行抢修力量配置的关键指标.首先用排队论的观点,从飞机战伤抢修系统的特性出发,结合对系统榆入过程的分析,得出抢修力量预测模型即M/M/C/m/m排队模型.然后通过对该排队系统状态转移方程求解,计算出损伤飞机在系统停留时间.最后通过实例分析,得出对战伤抢修力量配置的方法.     

CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜的巨磁阻抗效应研究

利用射频磁控溅射技术及微细加工技术制备了三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在频率l～40MHz下研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应,结果表明曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应比单层膜有较大的提高。在交流电流频率5MHz,外加直流磁场100Oe下巨磁阻抗变化率达17.3%。     

B/S与C/S体系结构的应用研究

通过分析B／S与C／S体系结构的优缺点，提出在管理信息系统中根据实际的功能需要，采用B／S与C／S相结合的体系结构。并阐述和分析了其在具体工程实际中的应用。     

Ti/Ag/Cu活性焊料的封接特性

Ti／Ag／Cu活性焊料法广泛应用于陶瓷与金属的焊接中，但该焊料在陶瓷表面的浸润性较差，在金属表面易发生偏析的现象。本文对该焊料的流散特性进行了讨论，对陶瓷与金属的封接界面进行了分析，对封接机理进行了讨论，结果表明在封接界面生成Ti的氧化物主要是TiO2。     

多卫星系统组合导航的可用性分析

在航空应用中,多卫星导航系统组合导航是未来的发展趋势,可用性是航空应用的主要性能要求之一。但是在截止角增大时,GPS单系统的可用性却达不到航空性能标准。针对该问题,对GPS/Galileo/BD组合系统在中国境内的可用性进行仿真分析,与GPS单系统相比,组合系统的可用性相对单系统有所提高,且截止角较大时,仍能达到可用性要求。     

Study on the failure temperature of Ti/Pt/Au and Pt5Si2-Ti/Pt/Au metallization systems

The Ti/Pt/Au metallization system has an advantage of resisting KOH or TMAH solution etching. To form a good ohmic contact, the Ti/Pt/Au metallization system must be alloyed at 400℃. However, the process temperatures of typical MEMS packaging technologies, such as anodic bonding, glass solder bonding and eutectic bonding, generally exceed 400℃. It is puzzling if the Ti/Pt/Au system is destroyed during the subsequent packaging process. In the present work, the resistance of doped polysilicon resistors contacted by the Ti/Pt/Au metallization system that have undergone different temperatures and time are measured. The experimental results show that the ohmic contacts will be destroyed if heated to 500℃. But if a 20 nm Pt film is sputtered on heavily doped polysilicon and alloyed at 700℃ before sputtering Ti/Pt/Au films, the Pt₅Si₂-Ti/Pt/Au metallization system has a higher service temperature of 500℃, which exceeds process temperatures of most typical MEMS packaging technologies.     

SDH/SONET低阶支路VT/TU映射芯片实现

设计了SDH/SONET的低阶支路VT/TU映射芯片,单片实现28通道DS1/VC-11或21通道E1/VC-12到7个VTG/TUG-2的映射及逆映射,或DS1/E1/VC的组合到VTG/TUG-2的混合映射.该芯片带有支路环回和指针处理功能,支持UPSR环形网络拓扑结构.采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺流片成功,电路规模约23.7万门.     

真空退火温度对GZO/Ag/GZO三层膜性能的影响

室温下在玻璃衬底上,采用射频磁控溅射GZO(Ga掺杂ZnO)膜和离子束溅射Ag膜的方法,制备了GZO/Ag/GZO三层膜,分析了真空退火温度对样品结构、光学、电学性能的影响。结果显示:随着退火温度的升高,Ag层的结构得到明显改善,但GZO层结晶度受到了Ag扩散的影响。经过350℃退火后,样品在可见光区平均透射率达92.63%,电阻率由8.0×10–5Ω·cm降至4.0×10–5Ω·cm。     

Au/Ge/Pd ohmic contacts to n-GaAs with the Mo/Ti diffusion barrier

The influences of the As-outdiffusion and Au-indiffusion on the performances of the Au/Ge/Pd/n-GaAs ohmic metallization systems are clarified by investigating three different types of barrier metal structures Au/Ge/Pd/GaAs, Au/Ti/Ge/Pd/ GaAs, and Au/Mo/Ti/Ge/Pd/GaAs. The results indicate that As-outdiffusion leads to higher specific contact resistivity, whereas Au-indiffusion contributes to the turnaround of the contact resistivity at even higher annealing temperature. For Au/Mo/Ti/Ge/Pd/n-GaAs samples, they exhibit the smoothest surface and the lowest specific contact resistivity with the widest available annealing temperature range. Moreover, Auger electron spectroscopy depth profiles show that the existing Ti oxide for the Mo/Ti bilayer can very effectively retard Au-indiffusion, reflecting the onset of the turnaround point at much higher annealing temperature.