交流电波形对低压腐蚀铝箔微观形貌及性能的影响

对低压铝箔施加五种不同波形交流电,研究了不同交流电波形对低压铝箔腐蚀形貌及电性能的影响。结果表明:正弦波、三角波电流变化率较小,孔大而浅,不易产生并孔;而方波、梯形波电流均有一段平稳不变期,易产生并孔;变形正弦波一个周期存在四个峰值电流,发孔几率比正弦波要大,也易出现并孔。实验表明如果在不同腐蚀阶段选择适当的波形和频率,会使电子铝箔的性能指标有较大提高。     

中高压阳极铝箔直流脉冲电蚀工艺及机理研究

用直流脉冲电源对高纯铝箔进行电化学侵蚀,研究了影响腐蚀箔性能的工艺参数条件,探索了隧道孔生长机理。结果表明:在硫酸和盐酸电解质体系中,影响腐蚀箔性能的工艺参数有直流脉冲电流密度、脉冲频率、占空比以及脉冲时间等;控制直流脉冲的电流密度峰值在0.8A/cm2以上、脉冲电流单次通电延续时间在0.53 ms左右,能使铝箔产生纵横交错的隧道孔。     

低压电子铝箔耐蚀性的研究与应用

采用对比实验,研究了腐蚀工艺对低压电子铝箔耐蚀性的影响。当腐蚀溶液中w(HCl)为15%～25%、w(H2SO4)为10%～20%,温度为85℃,电流密度为0.40A/cm2,腐蚀时间为3min时,铝箔腐蚀效果最佳,其耐蚀性数值(腐蚀前后质量差值与原光箔质量之比)为0.70%～0.83%。该工艺可迅速准确地判断低压电子铝箔的耐蚀性,平均每个样品所花时间仅为26min。     

中高压阳极铝箔直流脉冲电蚀工艺及机理研究

用直流脉冲电源对高纯铝箔进行电化学侵蚀,研究了影响腐蚀箔性能的工艺参数条件,探索了隧道孔生长机理.结果表明:在硫酸和盐酸电解质体系中,影响腐蚀箔性能的工艺参数有直流脉冲电流密度、脉冲频率、占空比以及脉冲时间等;控制直流脉冲的电流密度峰值在0.8 A/cm2以上、脉冲电流单次通电延续时间在0.53 ms左右,能使铝箔产生纵横交错的隧道孔.     

低压铝箔交流腐蚀研究

在３０Ｈｚ频率下，通过铝箔在ＨＣｌ＋Ｈ２ＳＯ４＋ＨＮＯ３＋Ｈ３ＰＯ４体系中的交流腐蚀，研究腐蚀液组成中腐蚀主体及缓蚀剂对铝箔腐蚀的作用，探讨腐蚀过程中电源频率、腐蚀液温度、电流密度及腐蚀时间对铝箔腐蚀的影响。腐蚀液组成的配比恰当，有利于比容的提高。在特定的频率下采用合适的腐蚀液温度、适宜的电流密度和腐蚀时间可以提高铝箔的静电容量。     

低压铝箔矩形波交流电预处理探析

在低酸度电解液中对高纯低压电子铝箔采用低频矩形波交流电的预处理工艺,产生较为均匀的初期蚀孔,使得后段腐蚀过程铝箔表面溶解减少,海绵层厚度增加,比电容量提高。具体分析了预处理矩形波交流电电流频率f、电流密度J、处理时间t、处理温度θ以及cAl3+/ cH+值对比电容量C的影响。     

提高铝箔腐蚀系数的途径

本文论述了退火温度对铝箔微观结构的影响;并通过对低压软、硬箔电化学腐蚀试验结果的分析,讨论了腐蚀液的组成和浓度、腐蚀电流密度及退火温度对铝箔腐蚀系数的影响;探讨了提高铝箔腐蚀系数的途径。     

低压铝箔交流腐蚀工艺研究

考察了电解电容器用高纯铝箔在HCl-H2SO4-H3PO4混合酸体系中的交流腐蚀过程,综合配方和工艺两方面主要因素研究铝箔的交流扩面行为。结合SEM形貌分析,重点考察了前级电流密度、后级电流密度及腐蚀电量等对铝箔比容的影响,确定了最佳的低压铝箔交流腐蚀工艺,在2V化成,Cs达76×10–6F/cm2。     

TiC_xN_(1-x)铝箔电极材料耐蚀性能研究

通过测试极化曲线和浸泡腐蚀实验,对比分析了最佳沉积工艺下制备的TiCxN1-x涂层铝箔与腐蚀化成法制备的铝箔的耐蚀性能。结果表明,在酸性腐蚀溶液中,TiCxN1-x涂层铝箔的自腐蚀电位Ecorr比腐蚀化成铝箔高50mV,而电流密度低0.914×10-3A/cm2,说明TiCxN1-x涂层铝箔的耐腐蚀性能明显优于腐蚀铝箔,同样,在浸泡9h后腐蚀铝箔样片已出现腐蚀贯穿,而TiCxN1-x涂层铝箔没有明显变化。     

高纯铝箔的真空退火

本文对几种主要国产硬态高纯铝箔,在腐蚀前和腐蚀后,以同种箔在相同腐蚀、形成条件下进行了真空退火与空气炉退火的对比试验,结果表明低压比电容提高了;还初步探讨了真空退火能使铝箔比电容提高的机理。     

铝箔交流侵蚀过程的计算机监测(1)

在铝箔交流侵蚀反应进程中，用计算机、Ａ／Ｄ转换器和编制的软件监测并记录铝箔对应的Ｅ－ｔ曲线形态以及峰峰电位的大小，是实验室研究和工业应用的一种快速现场监测处理方法和直观的监测手段。并以碱洗预处理中ＮａＯＨ浓度对铝箔比容的变化，讨论Ｅ－ｔ曲线的响应，对于不同的碱洗条件，在Ｅ－ｔ曲线上均有不同的特征反映。     

铝箔交流侵蚀过程的计算机监测(2)

在铝箔交流侵蚀中用计算机、Ａ／Ｄ转换器和编制的软件监测并记录侵蚀反应进程，研究了盐酸、硫酸浓度和电流对铝箔比容的影响，讨论Ｅ－ｔ曲线的响应，对于不同的侵蚀条件，在Ｅ－ｔ曲线上有不同的特征反映。     

特高压电容器用电极箔腐蚀工艺的研究

通过对特高压(Vfe=950V)电容器用电极箔微观形貌的理论计算,采用一次腐蚀控制孔密度和孔长度参数,二次腐蚀控制相应的孔径。研究了700～1100V特高压电极箔的两次电化学腐蚀工艺。使Vfe为950V的特高压电容器用电极箔的参数指标得到了优化:孔密度为0.116个/μm2,孔径为2.02μm,比容达到0.210×10–6F/cm2。     

电解电容器用铝箔腐蚀工艺研究

采用正交实验方法,选择腐蚀溶液的组成、腐蚀电压、腐蚀温度和时间四因素,探索影响环保型铝电解电容器用腐蚀箔性能的工艺参数。结果表明:当ψ(H2SO4∶HCl)为3∶1,电压为8V,温度为85℃,腐蚀时间85s时,可以获得高比容(0.59)高强度(弯折次数140)兼顾的性能。腐蚀溶液的组成、电压是影响腐蚀箔性能的主要因素。     

电沉积Zn预处理对高压阳极铝箔电解腐蚀行为的影响

恒定电流下在酸碱预处理后的铝箔表面电沉积微量Zn,得到电沉积改性预处理铝箔,对其进行直流电化学腐蚀。使用EDS能谱分析电沉积Zn铝箔表面元素;利用金相显微镜与扫描电镜从断面、表面观察样品铝箔腐蚀形貌;利用极化曲线、失重率、减薄率观测样品铝箔的腐蚀电位、腐蚀效果,研究不同预处理工艺对高压阳极铝箔电解腐蚀行为的影响。结果表明:电沉积Zn预处理后,由于沉积在铝箔表面的Zn和Al存在电位差,形成Al-Zn微电池促进铝箔腐蚀发孔,其腐蚀电位由酸碱预处理铝箔的-0.83 V下降到-0.87 V,铝箔腐蚀后隧道孔数量较多,分布更加均匀,减薄率下降,失重率上升,得到了比表面积更大的铝电解电容器用阳极腐蚀箔。     

电容器用铝箔隧道孔生长机理研究进展

综述了近年来国内外对铝箔电化学侵蚀机理的研究成果,指出了必须对铝箔隧道孔生长机制有更透彻的了解,需要控制隧道孔生长模式以便最大限度地拓展铝箔比表面积。结合实际研究结论,介绍了铝箔电化学脉冲侵蚀新模型。     

电极布置对电容器铝箔失重和比容均匀性的影响

研究了ＨＣｌ中５０ Ｈｚ交流电侵蚀下,电解槽电极布置对电解电容器用高纯铝箔的侵蚀均匀性的影响。结果表明, 随电解槽导电石墨电极浸入深度的增加,侵蚀铝箔的失重和比容趋于不均匀分布。随铝箔电解槽石墨间距增大, 侵蚀铝箔的失重和比容趋于均匀分布。直接通电侵蚀铝箔的失重和比容分布均匀性优于铝箔电场通电, 在理论上分析了原因。