舰船电子对抗系统显控软件的跨平台开发

舰船电子对抗系统显控软件的性能决定了舰船电子对抗系统的性能,分析了舰船电子对抗系统显控软件跨平台开发,研究了用户图形界面的跨平台开发,并采用wxWidgets开发工具包来实现。     

基于DDS的舰船电子对抗集成技术

构建舰船电子对抗系统信息集成体系框架,解决舰船雷达对抗、通信对抗、光电对抗、网络对抗、情报处理等不同分系统间的数据共享和信息集成是舰船电子对抗系统设计的关键和重点。文中在分析数据分发式服务（DDS）的基础上,提出了舰船综合电子对抗体系架构,剖析了系统涉及到的关键技术,为开展舰船电子对抗总体设计与集成提供帮助。     

《舰船电子对抗》投稿细则

《舰船电子对抗》是中国船舶重工集团公司第七二三研究所主办的学术性科技期刊。报道范围包括:与舰船雷达、电子对抗系统相关的雷达技术,电子对抗技术、光电对抗技术、信息战技术、无源对抗技术、舰船武器装备、隐身与反隐身技术、计算机技术等。     

《舰船电子对抗》投稿细则

《舰船电子对抗》是中国船舶重工集团公司第七二三研究所主办的学术性科技期刊。报道范围包括:与舰船雷达、电子对抗系统相关的雷达技术,电子对抗技术、光电对抗技术、信息战技术、无源对抗技术、舰船武器装备、隐身与反隐身技术、计算机技术等。     

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《舰船电子对抗》是中国船舶重工集团公司第七二三研究所主办的学术性科技期刊。报道范围包括：与舰船雷达、电子对抗系统相关的雷达技术,电子对抗技术、光电对抗技术、信息战技术、无源对抗技术、舰船武器装备、隐身与反隐身技术、计算机技术等。     

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《舰船电子对抗》是中国船舶重工集团公司第七二三研究所主办的学术性科技期刊。报道范围包括：与舰船雷达、电子对抗系统相关的雷达技术,电子对抗技术、光电对抗技术、信息战技术、无源对抗技术、舰船武器装备、隐身与反隐身技术、计算机技术等。     

《舰船电子对抗》投稿细则

《舰船电子对抗》是中国船舶重工集团公司第七二三研究所主办的学术性科技期刊。报道范围包括：与舰船雷达、电子对抗系统相关的雷达技术,电子对抗技术、光电对抗技术、信息战技术、无源对抗技术、舰船武器装备、隐身与反隐身技术、计算机技术等。     

《舰船电子对抗》投稿细则

《舰船电子对抗》是中国船舶重工集团公司第七二三研究所主办的学术性科技期刊。报道范围包括：与舰船雷达、电子对抗系统相关的雷达技术,电子对抗技术、光电对抗技术、信息战技术、无源对抗技术、舰船武器装备、隐身与反隐身技术、计算机技术等。     

《舰船电子对抗》投稿细则

正《舰船电子对抗》是中国船舶重工集团公司第七二三研究所主办的学术性科技期刊。报道范围包括:与舰船雷达、电子对抗系统相关的雷达技术,电子对抗技术、光电对抗技术、信息战技术、无源对抗技术、舰船武器装备、隐身与反隐身技术、计算机技术等。来稿要求如下:·请通过E-mail投稿,投稿邮箱:jcdzdk@163.com。严禁一稿多投。文稿必须为国     

《舰船电子对抗》投稿细则

《舰船电子对抗》是中国船舶重工集团公司第七二三研究所主办的学术性科技期刊。报道范围包括:与舰船雷达、电子对抗系统相关的雷达技术,电子对抗技术、光电对抗技术、信息战技术、无源对抗技术、舰船武器装备、隐身与反隐身技术、计算机技术等。来稿要求如下:     

Modeling of noise parameters of MESFETs and MODFETs and theirfrequency and temperature dependence

A simple noise model of a microwave MESFET (MODFET, HEMT, etc.) is described and verified at room and cryogenic temperatures. Closed-form expressions for the minimum noise temperature, the optimum generator impedance, the noise conductance, and the generator-impedance-minimizing noise measure are given in terms of the frequency, the elements of a FET equivalent circuit, and the equivalent temperatures of intrinsic gate resistance and drain conductance to be determined from noise measurements. These equivalent temperatures are demonstrated in the case of a Fujitsu FHR01FH MODFET to be independent of frequency in the frequency range in which 1/f noise is negligible. Thus, the model allows prediction of noise parameters for a broad frequency range from a single frequency noise parameter measurement. The relationships between this approach and other relevant studies are established     

物联网技术发展及武汉政府可采取的对策

物联网的应用已逐步进入我国的某些领域,取得了很大成功.在未来的5至10年物联网将会在更大范围于全社会展开.本文首先介绍了物联网的概念和发展历史,分析了物联网应用的关键技术及体系,列举了物联网应用的现状及发展趋势,阐述了物联网应用过程中存在的主要问题,最后提出了武汉市在物联网发展过程中应采取的对策     

便携式温湿度无线监控系统的设计与实现

利用新一代单片全校准、高集成度、小体积的数字式温湿度传感器SHT71,通过单片机的控制实现对温湿度的采集与显示,再经由无线收发传输采集到的数据与遥控各温湿度调节设备,并结合了便携式与PC机操作。使得此系统具有体积小、适用面广、使用方便等特点。     

"杀手锏"、"产业链"问题及创新与发展策略

随着3G的演进与宽带多媒体业务的发展,用户需求、市场运营模式已发生了本质改变,在这种多方依赖、共赢合作的环境中,必须处理好技术驱动与市场驱动关系,以及“杀手锏”和“产业链”问题,企业才能作出正确的战略决策,在激烈的市场竞争中取得成功。本针对这些情况,并结合中国国情,介绍了应关注的新技术,重点论述“杀手锏”、“产业链”问题及持续发展与不断创新关系的一些策略考虑。     

宽带卫星多媒体系统与下一代网络的互连与集成

BSM是现有宽带卫星IP系统的代表．致力于卫星通信与互联网的结合．使得陆地IP网络协议可以应用于卫星系统。而NGN提出了下一代通信网络的特点与要求,这将成为通信系统未来发展的趋势。BSM与NGN的结合将对卫星通信的发展产生重要影响,本文将对BSM与NGN的功能架构做简要介绍,并针对BSM与NGN的互连与集成的适应性做介绍与分析。     

浆料的结冻与解冻

浆料的结冻与解冻张耿（国营４３２０厂西安７１００６５）ＦｒｅｅｚｅａｎｄＤｅｆｒｅｅｚｅｏｆＰａｓｔｅａｎｄＳｌｕｒｙＺｈａｎｇＧｅｎｇ（ＳｔａｔｅＲｕｎＦａｃｔｏｒｙＮｏ４３２０，Ｘｉ＇ａｎ，７１００６５）１引言在研制和生产浆料的过程中，无论是银浆...     

有人战斗机和无人战斗机打击性能比较分析

对敌威胁扇面角的确定是战斗机对敌舰进行打击、执行海上作战计划的重要环节,有助于提高编队体系作战能力。美国海军的“伯克”级驱逐舰拥有强大的攻击能力、卓越的防空和对舰作战能力。针对美国海军的“伯克”级驱逐舰,分析了有人战斗机和无人战斗机对其构成的威胁扇面角与预警半径、敌我距离、我机作战半径、导弹射程的关系,建立了对敌空中威胁扇面角定量模型。仿真结果表明了无人战斗机在远程打击上的优势。     

浅谈科学技术发展的利与弊

21世纪是人类历史的一个蓬勃发展的时代。在信息高速发展的今天,科学技术迅速发展,带动了人类社会的进步,但是同时也带来了人类的生存危机。人类应该正确看待科学技术,使科学造福于人类,而不成为祸害。     

有线电视收费管理系统的研究与实现

随着我国有线电视的发展,有线电视的收费管理问题日益突出,收费难已经成为全国各有线电视台有待解决的难题之一,严重制约了我国有线电视的发展。提出一种成本低廉、效果明显的有线电视收费管理系统,能够较好地解决上述问题。     

Mechanisms and kinetics of vapor-phase etching of GaAs and GaP

Vapor-phase etching of (111), (111), (110) GaAs and (111), (111) GaP wafer in H₂ + HBr or H₂ + PBr₃ gas mixtures has been conducted. The results of two cases, with liquid-forming metal (gold) layers or without coatings, are compared. Etching rates as a function of temperature in the range of 600? to 950? C were measured in Arrhenius coordinates. For both materials and for different gas environments, low-, medium- and high-temperature regions are distinguished, the activation energies in the low-temperature region (below about 650?c) being quite different for the two cases. The kinetic results are correlated with morphological changes arising from temperature variations. Some conclusions are made about the mechanisms of chemical vaporization in various temperature regions. The vaporization mechanisms have much in common with those for A^II - B^VI compounds.