欧司朗开发出发光效率约提高30%的高功率红色LED面向投影仪光源等产品

德国欧司朗光电半导体(OSRAM Opto Semiconductors GmbH)宣布,开发出了驱动电流为350 mA时发光效率高达119lm/W的红色LED(英文发布资料)。该产品采用了该公司高功率红色LED芯片Thinfilm中的技术,发光效率较原来提高了约30%。据欧司朗介绍,发光波长为615 nm,该波长时的发光效率(输入350 mA电流时)创下了新纪录。驱动电流为70 mA时的发光效率为1361     

发光效率100lm／W的白色LED!日亚化学06年6月开始供应样品

日亚化学工业日前开发出了发光效率为100lm／W的白色发光二极管（LED），2006年6月开始供应样品（图1）。计划同年12月投入量产。从发光效率来说，性能超过了普及型荧光灯，可与发光效率较高的品种比肩。2005年该公司曾表示2010年前后量产100lm／W产品。这次公布的消息将量产时间提前了3～4年。日亚化学工业即将供应样品的白色LED，在20mA的输入电流下可得到6lm的光通量。     

开关型LED灯驱动器HV992X系列

近年来，白光LED的发光强度及发光效率有很大的提高，小功率φ5的白光LED在20mA电流时的发光强度可达6000-8000mcd，一些视角小的白光LED可达15000～18000mcd，发光效率一般为30～40lm/W，高的可达90lm/W以上。另外，还开发出大功率1-10W的白光LED。在这种条件下，给开发新型LED灯创造良好的机会，相应地开发出各种用于LED照明灯的驱动器。本文介绍Supertex公司生产的HV992X系列开关型LED照明灯驱动器IC。     

垂直结构LED和倒装结构LED的发光特性研究

研究了1.16 mm GaN基蓝光芯片的垂直封装结构LED和倒装封装结构LED在驱动电流达到和超过工作电流350mA的发光特性和变化趋势.随着驱动电流的逐渐增大,与垂直结构LED相比,倒装结构LED光通量的饱和电流值增加350mA,在1 200 mA电流时的光通量高出25.9％,色温的异常电流值增加了400 mA,发光效率平均提高81 m/W.实验结果表明,倒装结构LED具有更高的抗大电流冲击稳定性和光输出性能,可有效提高LED在实际应用中使用寿命.     

发光效率高达30lm／W的白色发光二极管

化成OPTONIX、STANLEY电气、三菱电线工业联合开发出了发光效率达30lm/W的白色发光二极管（LED）。该LED在发出波长382nm紫外光的GaN类LED（紫外LED）中配合使用了将紫外光分别转换为红色光、绿色光、蓝色光的荧光体材料。获得的白色光是 CIE色度上的（x=0.297,y=0.362）。     

集成功率级LED与恒流源电路一体化设计

将集成功率级LED与集成恒流源电路进行一体化混合集成工艺设计,保证了3～10 W的集成LED在低于100mA的驱动电流下正常工作.恒流源采用跟随浮压技术进行设计,使集成LED的工作电压在2～200V,恒定工作电流在10～100mA.其恒流温度漂移小于5 μ A/℃,发光效率大于1 7Lm/W,同时简化了工频驱动电源电路,减小了远距离供电损耗.     

欧司朗新芯片平台让红色Golden Dragon Plus LED效率提升30％

欧司朗光电半导体的开发人员成功将红色薄膜LED的效率提升30％,又一次刷新了实验室纪录。在350mA的工作电流下效率可达119Im／W（70mA时为136Im／W）,LED的这项新纪录源自最新一代红色1mm^2薄膜芯片（InGaAIP）,该芯片装配在Golden Dragon Plus封装内,发光波长为615nm（主波长）。在此波长下,目前还没有任何LED具有如此高的效率。     

LED光源的原理与发展

最早应用半导体发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是磷砷镓（GaAsP）,发红光．在驱动电流为20毫安时．光通量只有千分之几个流明,相应的发光效率约0．11m／W。     

微型半导体显示器

美国堪萨斯州立大学的研究小组应用目前处于开发中的微盘LED阵列技术研制成具有In－GaN／GaN量子阱结构的蓝色半导体微型显示器，其尺寸为０．５×０．５mm２，直径１２μm的微盘LED的像元以１０×１０阵列状构成。据研究人员介绍，将微小LED阵列密集地集成在半导体芯片上的这种微型半导体显示器为世界首创。不过，该显示器却难以实现全彩色化。该显示器是在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）技术的基础上研制成功的。但LCD和OLED不适于室外要求高功率输出的场合使用，而Ⅲ－Ⅴ族蓝色微型显示器的自身发光特性恰好适于…     

白光发光二极管在高效光源模块中的应用

将GaN基蓝光激发YAG荧光粉的成白光发光二极管(W-LED)优选后,以串联形式集成为 W-LED 发光模块.分别测试了 W-LED 集成光源模块的光电特性、发光效率以及不同电流驱动下的光源衰减率,并与白炽灯和荧光灯等传统照明光源进行了比较.实验表明:当驱动电流为 14～18 mA时,W-LED 集成光源模块的发光效率可达到 64.46 lm/W,而功耗仅为2.4 W,发挥出了 W-LED 作为照明光源的节能、高可靠和稳定性等优势.经 10 kh 老化测得电流下降较常用灯＜10%.     

辐射定标光源多路LED恒流驱动设计

为应对积分球辐射定标光源系统中LED阵列的电流稳定可控性对积分球开口处光谱匹配度的影响,设计了一款多通道、高精度以及高稳定性的LED电流驱动电路。该电路是一种压控恒流驱动电路,可通过模拟调光的方式实现对LED阵列驱动电流的线性控制,其以FPGA为控制核心,通过SPI接口对AD5371芯片寄存器进行读写操作,通过AD5371数模转换电路实现对LED驱动电流的高精确度控制。基于循环液体制冷设备和水槽制冷底座实现对LED阵列的温度控制。实验结果表明,该电路可实现LED阵列驱动电流在0~1050 mA连续线性可调,电流调节精度可达量程的0.14%。在控制LED灯座温度为10 ℃时,LED输出光光谱稳定度为0.2%。     

发光二极管的简易测试

发光二极管,简称LED,是一种能把电能转换成光能的半导体器件,当管子上通过一定的正向电流时,便可以光的形武将能量释放出来,发光强度与正向电流近似成正比,发光颜色与管子的材料有关。一、LED的主要特点(1)工作电压低,有的仅需1.5-1.7V即能导通发光; (2)工作电流小,典型值约10mA;(3)具有和普通二极管相似的单向导电特性,只是死区电压略高些;(4)具有和硅     

金刚石晶体发光二极管室温紫外发光获得成功

日本东京燃气公司用金刚石晶体制备发光二极管（LED）的基本结构—pn结，使注入电流的高效室温紫外发光获得成功。该LED是将优质的金刚石制成p型，在其上层添加n型的汽相生长膜，制成pn结电流封闭结构。该半导体LED在室温下发光最短波长为２３５nm，由此初步确认了金刚石LED实用化的可能性。（No．２１）金刚石晶体发光二极管室温紫外发光获得成功     

p-GaN与ITO欧姆接触的研究

针对GaN基发光二极管中p-GaN与透明导电薄膜ITO之间的接触进行研究,尝试找出透明导电层ITO的优化制程条件。将在不同氧流量、ITO厚度及退火温度下制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管,来增加电流扩展,减小ITO与p-GaN欧姆接触电阻,降低LED工作电压及提高透过率、增强LED发光亮度。将ITO薄膜应用于218μm×363μm GaN基发光二极管LED,分析其在20 mA工作电流条件下正向电压和光输出功率的变化,在优化条件下制得的蓝光LED在直流电流20 mA下的正向电压3.23 V,光输出效率为23.25 mW。     

超高亮度10W白光LED

<正> 随着半导体光电器件材料、结构设计、工艺及封装技术的发展,大功率白光 LED 的性能得到了快速发展。这不仅在单颗 LED的功率见长,并且在发光亮度、发光效率上及降低热阻上也有较大进展。本文介绍韩国首尔半导体公司推出的 Z-功率 LED 系列的 W724C0,它是一种超高亮度10W 冷白光 LED。它在2800mA 工作电流时,光通量为700lm(典型值)、900lm(最大值),发光效率可达70-90lm/W,这是目前发光亮度最大的10W     

NCV7680：稳流控制器

安森美半导体推出新的线性稳流及控制器NCV7680。新器件包含8个线性可编程恒流源,其设计用于汽车固态组合尾灯（RCL）的稳流和控制,能支持高达每通道75mA的发光二极管（LED）驱动电流。     

安森美半导体推出汽车照明用集成线性电流稳流及控制器

安森美半导体（ON Sereiconductor）推出新的线性稳流及控制器NCV7680。这器件包含8个线性可编程恒流源，其设计用于汽车固态组合尾灯（RCL）的稳流和控制，能支持高达每通道75mA的发光二极管（LED）驱动电流。     

ASMT-MY09：1W暖白光高功率LED

Avago推出一款1W暖白光Moonstone高功率LED产品,适合各种建筑、商业、聚光灯、工作灯、背光以及装饰照明等应用。ASMT-MY09LED采用薄型化设计,可以以350mA的驱动电流提供高达95流明（1m）的高光度输出。此外,这款由Avago公司所提供的暖白光高功率LED产品也可以帮助照明应用设计工程师通过使用较高驱动电流,在不牺牲每瓦流明数（lm/W）输出效率的条件下达到更高流明度输出。     

0．5W直角白光LED

直角DomiLED高光照强度白光LED系列DSW-NSG及暖白光LED系列DSF-NSG可取代现有的DSW-USD产品。当驱动电流仅有20mA时,白光LED的发光强度为1200mcd（典型值）,暖白光LED的发光强度为1000mcd（典型值）。由于其采用硅封装和低热阻设计,因此使用寿命长。     

脉宽调制型大功率LED恒流驱动芯片的研究

基于0.6μm5V标准CMOS工艺,研究并设计了一种脉宽调制型大功率照明LED恒流驱动芯片为1W大功率照明LED灯提供350mA恒定的平均驱动电流。实现了在5V电源电压有10%跳变时,平均驱动电流的变化可被控制在4.5%以内。输出级开关MOS管采用高密度的版图结构使单位面积的有效宽长比与普通结构的MOS管相比提高了一倍。芯片的电源效率可达87%,与以前设计的串联饱和型半导体照明LED恒流驱动芯片[1]相比提高近25%。