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《有色金属材料与工程》1980,(1)
我国第一台直拉大直径硅单晶炉诞生大直径硅单晶是发展大觇模集成电略的关键材科,用大直径硅单晶切制硅片可以提高生产率和材科利用率,从而降低成本。为把我国硅单晶材料的生产提高到一个新的水平,上海有色金属研究所自行设计、自行制造了一台高达6.5米的大直径硅单晶炉,为拉制大直径硅单晶准备了条件。经调试和投料11公斤试拉表明,各项性能均达到预定的指际:投料量可达16公斤以上,真空度达10~(-5)乇,温度控制情度达±0.5℃,可用于高真空、低真尘、充氩或 相似文献
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大直径(100)区熔硅单晶生长的特点 总被引:1,自引:0,他引:1
大直径〈100〉区熔硅单晶生长的特点谭伟时陈勇刚孙华英周旗钢(北京有色金属研究总院,北京100088)关键词:大直径区熔硅单晶1引言随着电力电子器件的飞速发展,高反压、大电流半导体器件对硅单晶的质量要求越来越高:纯度高、直径大、无位错、无旋涡缺陷及电... 相似文献
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高反压,大电流电力电子器件的发展要求FZ硅单晶直径进一步增大,大直径FZ硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件。目前国内生产D101mmFZ硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现。我们通过设备技术改造和工艺条件摸索。成功实现了在国产设备上拉制D101mmFZ硅单晶。填补了空白。节约了外汇。为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心。 相似文献
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高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大.大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件.目前国内生产φ101mm.区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现.我们通过设备技术改造和工艺条件摸索,成功实现了在国产设备上拉制φ101mm.区熔硅单晶.填补了空白,节约了外汇,打破了迷信,为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心. 相似文献
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高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大。大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件。目前国内生产Φ101mm区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现。我们通过设备技术改造和工艺条件摸索,成功实现了在国产设备上搠制Φ101mm区熔硅单晶。填补了空白,节约了外汇,打破了迷信,为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心。 相似文献
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一、前言大直径区熔硅单晶是制备高压大功率半导体器件,诸如可控硅、整流器等必不可少的主要原材料。近年来,3英寸、4英寸的大直径区熔硅单晶也开始用于制备大规模和超大规模集成电路,所以国外对此类产品 相似文献
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高国森 《有色金属材料与工程》1988,(1)
集成电路工艺技术已进入亚微米线宽时代,器件制造的基础材料一优质硅单晶是先决条件。今天对硅单晶的要求可归纳为①均匀的电阻率②高纯度③便于精确地控制杂质氧含量④在器件制造过程中,晶片结晶自身应对缺陷有较强的抑制功能⑤大直径化⑥廉价。 相似文献
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本文概述了拉制大直径区熔硅单晶的试验工作,着重介绍硅单晶的生长设备、氩气净化、加热线圈、操作参数、等诸方面的工艺技术条件。 相似文献
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黄世金 《有色金属材料与工程》1997,18(1):21-26
本文论述了硅单晶生长炉从1公斤级增长到15公斤级时,其热场设计的基本方法及大容量、长时间拉晶过程中采用的减压工艺。指出在随器件要求而增加硅片直径时,硅单晶锭的直径和长度应成比例增加,即硅单晶长度:直径应大于10:1,而在晶体生长中,坩埚直径。晶体直径应大于2.5:1。在大容量、长时间的晶体生长条件下,保持2.7×103Pa左右的炉压、一定的氩气流量和合理的氩气导流结构是避克拉晶过程中SiO在空间凝聚或在炉内物件表面沉积的必要条件. 相似文献
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为了满足对大直径P型探测器级硅单晶的需求,在原有小直径单晶工艺的基础上,采用线圈喷砂打毛、甩尾、保温提纯、快速成晶等技术,成功地拉制出Φ50、Φ62和Φ75的P型高阻硅单晶。用本区熔工艺拉制的单晶可做到无位错、无漩涡缺陷。对技术中涉及的有关机理进行了初步探讨。 相似文献
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重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定 总被引:1,自引:0,他引:1
重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定常青,曾世铭,何林,王君毅(北京有色金属研究总院100088)关键词:硅单晶,锑,掺杂,蒸发速率,测定(一)实验重掺锑硅单晶是在CG-3000型直拉单晶炉上研制的,直径为82mm,晶向(111)。石英坩埚直径为... 相似文献
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守义 《有色金属材料与工程》1987,(2)
采用CZ法生长硅单晶时,其固体和熔体中的温度梯度是决定晶体生长速度的主要因素。生长速度、晶体直径和炉温三者之间存在着复杂的联系,晶体直径的控制又是一个大热容量滞后的多变量系统。因此常规仪表难以胜任。上海有色金属研究所在国产TDR-40炉上采用微型计算机自动控制晶体等径生长,减轻了劳动强度和减少了操作失误,有效地保证硅单晶质量和实得率。控制用微型计算机以Cromemco CSⅡ为 相似文献
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在全自动拉晶条件下,讨论了拉制Φ200mm硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚泊选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转瘃规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。 相似文献
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元英 《有色金属材料与工程》1992,(3)
日本三菱材料公司和三菱硅材料公司共同开发出半导体用硅单晶的连续制造法,在该公司中央研究所进行的拉制试验中,成功地制造出直径6英寸、长2米的世界最长的高质量硅单晶。 相似文献
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郭善本 《有色金属材料与工程》1982,(1)
本文简要介绍了美、日集成电路发展水平以及硅单晶的质量、直径大型化、等径化的进展情况。并结合国内情况指出了LSI对硅材料的质量要求。硅单晶电阻率的径向不均匀性将决定器件的最小尺寸、金属杂质将导致器件性能恶化、微缺陷、氧含量与LSI质量密切相关。文内对于利用氧沉淀的本征吸杂和作为LSI工艺中的头道工序——硅片加工的质量要求也作了扼要介绍。 相似文献