金属氧化物掺杂对ZnO气敏特性的影响

掺杂金属氧化物可大大提高ZnO的气敏特性,目前对这种性质的研究成为了研究热点.本文综述了掺杂金属氧化物对ZnO气敏特性的主要影响及机理;总结了目前研究中所掺杂的多种金属氧化物,并就各种掺杂物对ZnO气敏特性的作用进行了具体分析.     

金属氧化物气敏传感器

金属氧化物气敏传感器是金属氧化物与被测气体发生作用后, 改变了它的电性质, 从 而把气体成份、浓度等化学信息转换成电的信息的一种元器件金属氧化物的电性质与材 料的点缺陷有密切的关系, 因而研究点缺陷理论对了解金属氧化物气敏传感器的作用原 理, 改善其气敏性能都是很必要的     

金属氧化物气敏传感器

6结论与展望 6.1气敏传感器近年来的研究开发成果 以二氧化锡可燃性气体传感器为代表的金属氧化物半导体气敏传感器和以二氧化锆浓差电池氧气传感器为代表的金属氧化物固体电解质气敏传感器实用化以来的短短几十年,金属氧化物气敏传感器事业得到很大的发展,特别是近20年来,它引起了世界主要国     

金属氧化物掺杂对TiO2气敏特性的影响

掺杂金属氧化物可显著提高TiO2的气敏这一特性，正逐渐成为研究的热点。本文综述了掺杂金属氧化物对TiO2气敏特性的主要影响及机理；总结了目前研究中所掺杂的十多种金属氧化物，并就各种掺杂物对TiO2气敏特性的作用进行了具体分析。     

超微粒氧化铁的制备与气敏性能的研究

本文采用PCVD法制备了纳米级的超微粒氧化铁气敏材料.用这种材料制备的气敏元件具有工作温度低、灵敏度高、响应速度快、稳定性好等优点.不需掺杂,改变工作温度和热处理温度便可获得对酒精蒸汽和C_2H_2气体具有选择性的气敏元件.这种材料像SnO_2,ZnO气敏材料一样,在205℃左右出现电导极值.超微粒α-Fe_2O_3的气敏机制属表面控制型.     

掺杂对ZnO气敏性能的影响研究

ZnO是最早发现的金属氧化物气敏材料,对其掺杂一直是研究的一个热点.采用机械球磨法制备了22种不同掺杂的纳米ZnO气敏材料,通过乙醇、丙酮、苯的测试,系统对比了掺杂元素的化学性质,如离子半径、化合价、元素周期等对ZnO气敏性能的影响.掺杂元素的离子半径为0.072～0.088 nm时,传感器对被测气体的响应比掺杂其他离子半径的高.不同周期掺杂元素对ZnO纳米气体传感器的选择性有一定的影响.     

WO_3掺杂NiO的气敏性能研究

用水热法制备出NiO纳米粉体,对其进行了WO3系列掺杂。利用XRD对产物晶相结构进行表征,测试了掺杂材料的气敏性能。结果表明:适量WO3的掺杂明显改善了NiO材料的气敏性能,其中,掺杂质量分数为6%的气敏元件性能最好,350℃时对Cl2的灵敏度可达到37.5,200℃时对H2S的灵敏度可达30.4。说明该元件在不同温度下对不同气体具有选择性,且该元件对H2S响应恢复快。     

聚乙二醇掺杂聚苯胺复合材料气敏性能的研究

以聚乙二醇(PEG)为掺杂剂,过硫酸铵(APS)为引发剂,用一步乳液聚合法合成PAN/PEG复合物.通过控制变量法,考察了不同制备因素对PAN/PEG乳液稳定性和复合材料气敏性能的影响,优化得到合成过程中最佳实验参数:n(DBSA)/n(An)=1.0,n(APS)/n(An)=1.0,n(PEG)/n(An)=2,聚...     

氧化铁薄膜的PCVP过程 及其气敏性能初探

由于α-Fe_2O_3具有较高的化学稳定性,一般认为它无气敏效应,后来才发现微细化、低结晶化及薄膜化的α-Fe_2O_3具有显著的气敏性,因此其气敏效应的发现晚于γ-Fe_2O_3。现已有了实用化的α-Fe_2O_3气敏元件,因而研究微细化的α-Fe_0O_3薄膜气敏村料成为必要,这对于材料的稳定生长和质量控制以及薄膜生长的微机控制都具有现实的意义,而研究氧化铁气敏薄膜的成膜工艺及动力学目前还未见详细报道。 实验是在一个真空反应管内进行的,衬底用电炉加热,温度由水银计显示,用10.5MHz高频电场等离子体激发源,以二茂铁为源材,以氧气为氧化剂兼作载气。氧     

金属氧化物半导体气敏传感器研究进展

金属氧化物半导体气敏传感器由于具有低成本、低功耗、高灵敏度、快速响应、稳定耐用等特点而引起人们广泛关注。本文主要介绍了金属氧化物半导体气敏传感器的基本原理、分类、器件结构、气敏机制,重点介绍了金属氧化物气敏传感器性能提升方法。通过掺杂改性、改变微观尺寸和形貌以及形成各种复合结构等都有利于金属氧化物传感器气敏性能的增强,并对其增强机理进行了一定的解释。     

氧化铁系气敏材料的气敏机制研究——α-Fe_2O_3基气敏材料的催化性能

<正> 本文从催化作用角度出发,对以α-Fe_2O_3为基的气敏半导体作出初步研究,以期揭示反应机理。实验采用气相色谱及连续流动U型管小型催化反应器,测量在300、350℃时各气敏材料对CH_4、H_2、LPG、C_2H_2的转化率。 从实验结果看,将实验误差考虑后,可认为各样品在实验温度下对CH_4无催化活性,与     

过渡金属氧化物薄膜的离子敏变色效应

过渡金属氧化物薄膜是重要的离子敏变色材料,也是光开关功能方面的灵巧(smart)材料.由它构成的电—光器件具有广阔的应用前景,其工作原理属固态离子学,或微离子学.过渡金属氧化物薄膜是宽能带间隙半导体,在可见光波段完全透明.当它在含水电介     

掺杂对CdSnO_3气敏性能的影响

研究了贵金属及金属氧化物对CdSnO_3气敏性能的影响.发现不同的Fe_2O_3、La_2O_3的掺入量对材料的气敏性能有不同的影响,贵金属Pt、Pd、Ag及某些金属氧化物对CdSnO_3的灵敏度和选择性也有影响.掺入La_2O_3及MgO的CdSnO_3可作酒敏材料,掺Pd的CdSnO_3可作乙炔敏材料.     

金属氧化物气敏元件稳定性的研究进展

金属氧化物气敏元件性能的不稳定制约了元件的实用化进程,气敏元件稳定性的研究成为气体传感器技术中的一项重要内容。概述了金属氧化物气敏元件稳定性的研究进展,介绍了敏感材料、敏感材料的制备工艺、载体材料、加热/测量电极等因素对稳定性的影响。分析了各种影响因素的作用机理,并对其研究前景进行了展望。     

金属氧化物半导体气敏材料的研究进展

金属氧化物是重要的半导体材料,具有较好的气敏特性,作为气敏材料被广泛应用。本文较系统地对金属氧化物气敏材料的研究现状作了阐述,重点介绍了复合氧化物气敏材料的研究状况,并对其气敏性质进行了概述。展望了金属氧化物半导体气敏材料今后的研究重点及发展方向。     

镍镧复合氧化物的掺杂及其气敏性能研究

用共沉淀法制备了镍镧复合氧化物并对其进行三价、四价离子系列掺杂。研究了掺杂物的气敏性能。实验结果表明,SiO2,TiO2,SnO2,Al2O3,SbCl3等掺杂的复合氧化物,均对乙醇有较高的气敏性,而对汽油、H2及LPG等气敏性较低。其中TiO2掺杂量为4%(摩尔分数)的镍镧复合氧化物对乙醇的气敏性能最好。探讨了Si,Ti,Sn,Al,Sb等离子的价态,离子半径及复合氧化物的形成条件等与气敏性能的关系,研究了工作温度,被测气体浓度对元件气敏性能及对气体选择性的影响。     

Zn2+掺杂WO3基气敏材料的制备及气敏性能研究

通过加热分解钨酸制备的WO3与Zn(NO3)2溶液超声分散,制备出了掺杂Zn2 的WO3基气敏材料。研究了Zn2 掺杂对WO3气敏材料性能的影响。结果发现,Zn2 掺杂WO3基传感器对H2S有较好的气敏性能,在常温下对极低浓度(5×10-6)H2S也有很高的灵敏度(56),适量掺杂可以提高其灵敏度,Zn2 掺杂n_Zn~(2 )/n_W=2%的WO3基传感器的灵敏度最大,对50×10-6H2S在200℃灵敏度可达1800。通过X-射线衍射仪(XRD),比表面测定仪(BET)对材料进行了表征,比表面积范围介于2.5～3.5m2/g之间。结合有关理论,对元件气敏现象及机理进行了解释。     

掺杂CuO微纳米材料及其低温气敏性能的研究

采用水浴加热法合成CuO微米颗粒,并用Au、Ag和Cr元素进行掺杂。通过扫描电镜和X射线衍射仪对产物的形貌及组成进行表征,并将合成的粉体制成敏感膜,采用静态配气法对产物气敏性能进行研究。实验结果表明:制备合成的CuO颗粒呈微米片聚合成的橄榄或捧花状,尺寸范围在2μm～3μm;所有样品的XRD图谱与标准卡片一致;微米CuO的气敏性能随着测试温度的降低而提高。气敏测试表明:掺杂1.25 wt%Au的CuO对10×10^-6的H_2S气敏性能最好,最佳工作温度降低至40℃,响应值达到128,具有良好的选择性;此外,该传感器的最低检测下限达到100×10^-9,具有较好的重复性和长期稳定性,有望制备出低功耗H_2S气体传感器。     

金属氧化物半导体SnO2气敏传感器

SnO_2具有金红石型的晶体结构,禁带宽度约为 3.6 eV.由于Sn的电子亲合力不太强,晶态SnO_2都具有氧空位,故属于N型金属氧化物半导体.作为施主的氧空位,其能