超大规模集成电路芯片的激光缺陷检测技术

介绍了激光扫描散射检测超大规模集成电路芯片上缺陷的原理，描述了对芯片沾污质粒子与芯片电路图形缺陷的检测方法，并对它们的特点进行了比较。     

一种输水廊道缺陷检测装置及控制方法

文章介绍一种检测装置,用于检测输水廊道中的裂痕等缺陷,排除安全隐患。该装置采用自动避障、灵活巡游等控制方法,依托智能小车式检测系统为作业平台,搭载各种检测和图像识别设备,可以在阴暗、潮湿、危险等恶劣环境下代替人工快速完成廊道安全检测。     

基于带吸收介质表面缺陷光子晶体的高通量检测

提出了一种带有吸收介质的表面缺陷光子晶体结构,将表面波谐振原理和微孔板技术相结合,实现了样本溶液信息的高通量检测。根据分层传输矩阵法和Goos-Hnchen理论分析其折射率传感机理,建立谐振角度与样本折射率变化的理论模型。结合微孔板和角度调制,在同一扫描周期中分别对不同传感区域的待测物实现光谱特性分析。结果表明,待测样本浓度变化将引起谐振角度的变化,进而使反射谱中的缺陷峰值波长产生漂移,并且单个周期角度扫描就可实现多个待测样本溶液信息的同时监测。该方法对高通量检测系统的设计具有一定的理论和技术参考价值。     

线路板缺陷的图像检测方法

为提高线路板缺陷的自动检测能力,结合图像处理技术,提出了线路板缺陷的图像检测方法。该方法首先对Gerber文件解析,获取标准线路板图像;其次利用定位孔检测实现标准线路板图像与待检测图像的配准;然后结合形态学滤波,完成线路板缺陷区域定位;最后根据常见缺陷的特征,综合采用面积法、连通域法和缺陷边缘邻域法,实现了常见缺陷类型的自动识别。通过对真实线路板图像仿真缺陷的检测实验,其结果证明了该方法的有效性。     

检测MLC缺陷的一种新方法

用热刺激电流法(简称TSC法)直接检测MLC中的微细缺陷,即试样(如钛酸钡基和铌镁酸铅基MLC)分别经过水、甲醛和甲醇处理,根据液体处理前后样品的TSC谱的变化特征来判断样品中有无缺陷。大量的实验证实了用TSC法来检测MLC中的裂缝、分层和开口气孔等缺陷是行之有效的。     

一种改进Faster R-CNN的太阳能电池片缺陷检测方法

针对传统太阳能电池片检测方法中检测时间过长,检测精度不高等缺点,提出了一种改进Faster R-CNN的太阳能电池片缺陷检测方法.以Faster R-CNN为框架,以ResNet50为网络主干,针对小目标缺陷,融入了基于FPN的多尺度检测网络,并应用了 GA-RPN结构,实现对太阳能电池片缺陷的检测.实验结果表明,较原...     

一种基于LSKNet的绝缘子缺陷检测方法研究

目前,电力网络缺陷检测主要通过无人机航拍完成。对当前公开的数据集进行筛选,发现绝缘子的标注误差较大且正负样本失衡;同时,巡检图像中存在许多小尺度和细长类型的目标,使用现有的算法很难达到高精度的检测效果。针对上述问题,通过雾化算法构建一个新的数据集,采用大型选择核网络(LSKNet),引入暗通道先验算法,提出针对电力网络缺陷的LSK绝缘子图像去雾算法。实验结果表明,在SFID-PRO数据集上的mAP达到85.90%,其中缺陷绝缘子的召回率达到了99.6%,能够对细长物体和小尺寸物体进行精准的检测。     

Dielectric Properties and Defect Structure of Bi—doped SrTiO3 Ceramics

The dielectric properties of ceramics with composition of (Sr1-xBix) TiO3 x/2( where x=0.05-0.70) were measured at frequency of 1 MHz.The experimental results indicate that the dielectric properties of (Sr1-xBix)TiO3 x/2 system are greatly varied with an increase of the stoichiometric amounts of Bi2O3.The relative permittivity of the solid solutions is high, and the dissipation factor is low.The positron annihilation technique(PAT) was adopted to study the defect structure.An explanation of the dielectric properties of Bi-doped SrTiO3 ceramics has been suggested in terms of electron-compensation and vacancy or defect-compensation mechanisms and space-charge polarization mechanism.     

垫片加载圆柱介质谐振器的谐振频率计算方法

本文利用开波导法对有垫片加载的圆柱型介质谐振器之谐振频率进行了计算,其计算结果与实验吻合，误差小于1％。此方法适宜于实际工程。     

用六端口和开口同轴线测量介电常数的一种校准方法

本文提出了一种六端口测量介电常数的校准方法，该方法将六端口和开口同轴线两次校准合为一次，特别适合于介电系数的在线测量。     

微波介质陶瓷介电常数测量的简单方法

应用等效网络法分别测量了空气、聚四氟乙烯及微波介质陶瓷材料片状试样的介电常数。理论分析计算与实验结果表明,该方法在无损测量片状微波介质陶瓷材料试样的介电常数中是可行的,且有模型简单、计算量小、精度较高及操作容易等特点。是一种无损测量片状微波介质陶瓷材料介电常数的简单方法。     

MOS器件栅介质层陷阱的表征方法

随着MOS器件按比例缩小,MOS器件的可靠性问题正成为限制器件性能的一大瓶颈。作为可靠性研究的一个热点和难点,MOS器件栅介质可靠性的研究一直是学术界和工业界研究的重点。普遍认为,栅介质中的陷阱是引起栅介质退化乃至击穿的主要因素,对栅介质中陷阱信息的准确提取和分析将有助于器件性能的优化、器件寿命的预测等。针对几十年来研究人员提出的各种陷阱表征方法,在简单介绍栅介质中陷阱相关知识的基础上,对已有的界面陷阱和氧化层陷阱表征方法进行系统的调查总结和分析,详细阐述了表征技术的新进展。     

数字式超声波无损检测和成像处理系统

论文介绍了一种数字式超声波无损检测和成像处理系统.分析了这一检测系统与传统超声波检测系统的不同点;阐述了系统的工作原理及关键技术部件.     

一种提高栅氧化物介电常数的方法

从90 nm技术节点开始,等离子氮化SiON栅氧化层被广泛用作先进的CMOS器件制造。作为传统SiO2栅氧化层的替代材料,SiON栅氧化层因其具有较高的介电常数而能有效地抑制硼等栅极掺杂原子在栅氧化层中的扩散。氮化后热退火处理(Post Nitridation Anneal,PNA)是制备等离子氮化SiON栅氧化层的一个重要步骤,主要用于修复晶格损伤并形成稳定Si-N键,同时在氧化氛围下通过界面的二次氧化反应来修复SiO2/Si界面的损伤。本文通过对传统栅氧制备工艺中PNA单一高温退火工艺的温度、气体氛围进行优化,提供了一种通过提高栅氧化物的氮含量来提其高介电常数的方法。实验数据表明,与传统的制备方法相比,采用本方法所制备的SiON栅氧化层中氮含量可以提高30%以上,栅氧界面态总电荷可减少一个数量级,PMOS器件的NBTI寿命t0.1%和t50%可分别提高15.3%和32.4%。     

波导介质不连续性问题的FEM/PML方法分析

将完全匹配层(PML)与矢量有限元方法(FEM)相结合对波导介质不连续性问题进行分析。利用PML对计算区域进行截断，大大节省了FEM分析问题的内存消耗。对波导的单介质块加载问题的S参数进行了分析计算，数值结果与文献结果一致。在此基础上，计算了多介质块加载波导的散射参数。数值结果证实了应用FEM／PML方法对波导介质不连续性问题进行分析的正确性与有效性。     

微扰法测量介质陶瓷薄膜的介电特性

对于介质陶瓷薄膜，特别是厚度小于1μm的介质陶瓷薄膜，我们提出了一种新的基于微扰理论的测量方法，本文对该方案进行了理论推导，获得了计算介质陶瓷薄膜复介电常数和Qf的公式，并设计了实际的测试方案，以具体的介质陶瓷薄膜作了测试验证和误差分析。结果表明，该方案是可行的，测量结果具有较高的精度(7％)，最后提出了对系统的改进方案。     

介质周期结构频率选择特性有限元法分析

采用有限元方法分析了平面波入射时介质周期结构的频率选择特性.截取一个完整的周期单元,内部应用有限元(FEM)方法计算;采用理想匹配层(PML)吸收边界、周期边界、入射边界相结合的方法对无限空间进行截断.几种边界条件的联合应用大大简化了开放空间问题的计算,保证了计算精度.算例结果与理论值符合较好,表明有限元方法在分析此类问题中的正确性和有效性.