气相色谱测定非晶硅薄膜中氢含量

本文介绍用气相色谱法测定非晶硅薄膜中氢的总含量及不同温度下氢的释放率,这种方法比过去在氢的热释放实验中采用的气压测定法更可靠.     

等离子体工艺参数对非晶硅氢合金中氢的键合性质的影响及氢的释放机理

研究了等离子体工艺参数对射频辉光放电沉积的a-Si:H膜中氢的键合状态的影响及氢在退火时的释放机理。结果表明:可以通过不同的制备条件(特別是等离子体压力)控制a-Si:H膜中氢的键合状态。提出了以空间氢聚团模型解释在a-Si:H膜的退火过程中氢的释放机理。     

等离子体过程不稳定性和氢处理对HIT电池界面特性影响的研究

采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备薄膜硅/晶体硅异质结,通过测量沉积了本征非晶硅（a-Si:H(i)）后晶体硅（c-Si）的少子寿命以及结构为Ag/a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si(n) /Ag 异质结的暗I-V特性,研究了等离子体初期瞬态过程和氢预处理对异质结界面性质的影响。结果表明：使用挡板且当挡板时间（tS）大于100秒时,可以有效地减少等离子体初期瞬态过程对界面性质的负面影响;与热丝化学气相沉积中氢原子处理有利于界面钝化不同,PECVD中的氢等离子体处理,由于氢原子的轰击特性,对钝化可能存在一定的不利影响;最优氢预处理时间为60秒。     

气体中微量氢快速分析法的研究及其应用

一、前言 在电子工业常用的高纯氧、氮、氩等气体中,氢是主要的杂质之一,国内外标准中规定氢杂质含量低于1PPm,因此微量氢的测定是很重要的。在医学上临床应用的氢呼吸试验中,微量氢测定也是关键。用于气体中微量氢测定的气相色谱检测器有热导、氦离子化、放电等。这些检测器均要求使用高纯载     

低压气相生长金刚石薄膜成核机理的研究

本文论述了低压气相生长金刚石薄膜中活性原子团ＣＨ＿３和原子态氢在金刚石成核运动中的作用以及衬底材料性能对成核的影响，认为活性基ＣＨ＿３是生长金刚石的主要活性物质，它们在衬底表面的吸附、碰撞、聚集等构成了成核运动，原子氢在成核运动中的主要作用是参与ＣＨ＿３的脱氢反应和石墨相碳原子团的刻蚀反应，并且还有稳定ＣＨ＿３中ＳＰ￣３杂化轨道的作用。衬底材料性能对成核的影响在于晶格失配而导致的错配位错和晶格畸变所引起的界面势垒和晶核弹性能的增加。最后讨论了金刚石薄膜与衬底之间是否存在过渡层问题，认为过渡层不是金刚石唯一的成核区，它的存在与生长条件密切相关，并且解释了关于过渡层实验研究中遇到的相互矛盾的结论。     

锑化铟红外探测器二氧化硅钝化膜中氢含量的分析

用氦离子前角反冲技术研究了等离子体增强化学气相淀积工艺制备的红外探测器二氧化硅钝化膜膜层内的氢含量、浓度以及氢分布的深度。结果表明,所测量的氢分布深度与椭偏法所测得膜厚结果是一致的,膜层中氢的含量随淀积时间的增加是非线性的、氢含量与浓度随淀积温度和射频功率密度的增加而减少。实验也表明了膜层的腐蚀速率与氢含量的关系。     

基板支撑梢对TFT栅界面SiN_x和a-Si成膜特性的影响

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜,对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究。结果显示基板支撑梢对氮化硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)高于非基板支撑梢区域,氢含量及[SiH/NH]值高于非基板支撑梢;对氢化非晶硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)小于非基板支撑梢区域,氢含量高于非基板支撑梢。并对成膜影响的机理进行了分析讨论。     

流量及温度对低频PECVD氮化硅薄膜性能的影响

研究了低频等离子增强化学气相沉积(LF-PECVD)工艺中气体流量比和衬底温度对氮化硅薄膜折射率、密度及应力的影响规律,同时测试了薄膜的红外光谱以分析不同条件对薄膜成分的影响.结果表明,低频氮化硅薄膜折射率主要受薄膜内硅氮元素比的影响,其次是薄膜密度的影响.前者主要由硅烷/氨气反应气体流量比决定,而后者主要由衬底温度决定;低频氮化硅薄膜应力大致与密度成正比关系.此外,PECVD工艺所制备氮化硅薄膜都含有相当数量的氢元素,而衬底温度是薄膜内氢含量的决定因素.     

双反应区激光制粉实验装置的研制

提出了双反应区的新构思，研制出双反应区激光制粉实验装置。以５ｋＷ大功率ＣＯ２激光器为能源，以六甲基二硅胺烷为原料，对新装置进行了评价。结果表明，与单反应区实验装置相比，双反应区实验装置可成倍提高激光能的利用率和粉末的制备产率。     

等离子体在金刚石析出中的作用

近年来,通过在低温领域中的碳化氢等的气相分解,使金刚石那样的非平衡碳素的析出成为可能。但是,在低温低压下要使非平衡状态的金刚石析出,还需要在低温低压下形成与高温高压下构成金刚石的碳原子同样的结合状态。这样,就研究了在气相中生成具有SP~3杂     

自由弧熔融氢方法制备MLC用纳米金属镍粉

自由弧熔融氢等离子射流方法制备MLC用金属纳米镍粉,平均粒径36.6 nm,粒度呈近似正态分布,94%集中于10~60 nm范围内;分析了制粉空间平均温度及等离子弧柱的轴心线温度,计算过冷温度梯度,指出在弱电离自由弧和强制风冷的情况下仍然可以得到超细纳米金属粉末。     

有机凝胶法制备纳米氧化镍及金属镍粉

研究了具体的工艺过程,并采用SEM、CV和VSM对产物的形貌、粒径及电、磁性能进行了表征。结果表明:试验制备的纳米氧化镍和金属镍粉体均在100 nm以下,分散性良好,并显示出良好的电化学电容特性和软磁性能。纳米氧化镍在–0.8~+0.4 V电压范围内,比容量达到了76.4 F/g,而纳米镍粉的Ms为50.98 A.m2/kg,Hc为9.7 kA/m。     

Numerical investigation of characteristics of wick structure and working fluid of U-shape heat pipe for CPU cooling

In the current study, the effects of the wick structures and working fluids characteristics on U-shape heat pipe performance were numerically presented. A two-dimensional FEM simulation was performed on U-shape heat pipe to analyze the temperature and the pressure distributions inside the heat pipe. In order to reduce the pressure arising in the area of the wick to increase heat transport capability at the liquid-wick region, a comparative numerical study was made by using methanol and water as working fluids with sintered powder and screen mesh wicks. The simulation was performed by using ANSYS/FLOTRAN software with heat input of 10 W at forced convection. The results showed that the use of sintered copper powder wick resulted in a small temperature difference between the evaporator and condenser compared to screen mesh wick. The use of screen mesh wick caused a decrease in the pressure drop in liquid-wick region while the use of methanol as working fluid increased the liquid pressure drop.     

激光光内送粉仰面熔覆工艺研究及优化

利用激光光内送粉熔覆技术,在与水平方向成大于90的仰面基体下表面进行了单道熔覆实验研究。分析了仰角、保护气压力与光粉耦合处粉束直径之间的关系;研究了仰面姿态下熔覆层的宽度、高度以及熔池的流淌下垂趋势受激光功率、扫描速度的影响规律。研究发现,光粉耦合处粉束直径随仰角的增大而变大,随保护气压力的增大而减小。基体仰面与水平姿态下,工艺参数对熔覆层的宽度、高度的影响规律保持了较好的一致性;熔池在重力作用下,激光功率、扫描速度以及仰角的变化对熔覆层高度的影响更加显著;熔道顶点的偏移随激光功率的减小、扫描速度的增大和仰角的增大而逐渐增小。保持送粉量和离焦量不变,利用优化后的激光功率、扫描速度,以及保护气压力,获得了最大仰角达150、且具有较好尺寸精度和组织性能的激光熔覆立体成形件。     

Carbon nanotubes grown from nickel catalyst pretreated with H2/N2 plasma

To find the possibility of using a low-temperature process in growing carbon nanotubes (CNTs), nickel catalyst converted from film into particles by microwave H₂/N₂ plasma and the following CNT growth are all kept at a low temperature of 250 °C. The flat panel display industry requests low-temperature rather than the traditional high-temperature process for CNT growth. It was found that H₂/N₂ proportion is very sensitive to nickel morphology and the subsequent CNT growth. Better nickel and CNTs morphology are obtained for the proportion H₂/N₂=3/1 than those for the generally used pure hydrogen environment. The process pressure selection during pretreatment can determine whether CNTs are grown or not. The diameter of growing CNTs is proportional to nickel particle size. Field emission results support field amplification coefficient claim. The long tube length and high tube density of growing CNTs demonstrate low threshold electric field. This work shows the potential to use H₂/N₂ instead of pure hydrogen plasma in growing qualified CNTs applied in display industry.     

Isotropic conductive adhesives with fusible filler particles

A new low-temperature assembly process using a new class of isotropic conductive adhesives (ICAs) with fusible filler particles was proposed to realize a low-temperature, fluxless and cost-effective, alternative, solder flip-chip interconnection technology. New ICA formulations were developed using two different resin materials and fusible filler particles. The curing behavior of the resin materials and the melting of the fusible filler were observed by differential scanning calorimetry (DSC). The coalescence and wetting states, the size distribution of the fusible fillers, and the formation of the conduction path in each ICA formulation were observed with a laser microscope. It was found that two different types of electrical conductive paths, necking type and bump type, were produced. The bump-type conductive path was more effective than that of the necking type in achieving a lower electrical resistance through resistance measurement. The reduction capability of the base resin material was effective for the coalescence and the wetting of the fusible fillers and affected the conductive path type. A good metallurgical connection was formed between the fusible fillers in ICAs and between the fusible fillers and the copper surface even at the lower filler-volume fraction of 30%.     

高纯SiC粉料中杂质浓度的控制和测试

采用燃烧合成法制备碳化硅(SiC)粉料,调整氢气和氩气体积流量比以及高纯氯化氢气体体积流量,使氮、铝和钒浓度低于二次离子质谱仪的检测下限,硼和钛浓度接近检测下限。使用制备的高纯SiC粉料生长单晶,获得电阻率大于1×10^9Ω·cm的衬底,粉料达到高纯半绝缘水平。通过研究发现,增加氢气体积流量可以降低粉料中的氮浓度,并使氮浓度低于检测限1×10^16 cm^-3,但是氢气体积流量过高会加重坩埚损耗,影响坩埚寿命和工艺稳定性;高纯氯化氢气体可以降低粉料中硼、铝、钒和钛的浓度,但其体积流量不宜过大,否则会引入新的氮杂质;粉料的色度a^*值与氮浓度呈反比关系,利用分光色差仪测试色度a^*值判断粉料氮浓度高低。     

Die neue H2A-Plattform — ein Netzwerk als Basis für Akzeptanz einer neuen Technologie

If hydrogen is to be promoted as a fuel of the future, established and tried-and-tested organisational structures and working methods must be complemented by flexible instruments capable of ensuring a maximum of innovation, productivity and information exchange with a wide range of players. The platform structure provides the ideal environment for sustainable development processes.     

透过率实时可调的PDP屏滤光膜

利用NiOx薄膜具有优良的电致变色性能,制备了透过率可实时调整的PDP屏滤光膜以提高PDP屏的出光效率,在不同环境照度下获得更好的图像质量。采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、分光光度计研究了采用磁控溅射法制备的NiOx薄膜中镍的含量对薄膜光电特性的影响。分析测试结果表明:溅射时随着氧分压的提高,氧化镍薄膜的镍含量明显降低;NiOx薄膜中镍原子含量为45%左右时,NiOx薄膜对可见光透过率的调节能力最强,其最高透过率与最低透过率差值达70%。     

超声辐照合成超细NiO的研究

以氯化镍为镍源,碳酸氢铵为沉淀剂,采用液相沉淀–热分解法制备NiO。合成过程中引入超声场,并考察了不同加料方式对产物粒度和纯度的影响。采用SEM,XRD,激光粒度分布测定技术和离子色谱技术分别对产物进行表征。结果表明,在前驱体制备过程中引入功率超声可以减小产物NiO的粒径,且使形状更加规整;在有超声作用下采用并加加料方式制得了晶粒度为5~10nm,平均粒径为1.10μm,w(Cl–)为0.056%的立方晶系的NiO。