MOSFET衬底电流模型及参数提取

在短沟道ＭＯＳＦＥＴ器件物理的基础上,导出了其衬底电流解析模型,并通过实验进行了模型参数提取。模型输出与短沟ＭＯＳＦＥＴ实测结果比较接近,可应用于ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ可靠性模拟与监测研究和亚微米ＣＭＯＳ电路设计。     

基于BSIM3的低温MOSFET模型及参数提取

器件模型作为工艺与设计之间的接口,对保证集成电路设计成功具有决定意义.本文介绍了BSIM3模型的原理,并完成了低温下(77K) BSIM3模型的参数提取.同时探讨了使用参数提取软件的具体工作步骤.     

MOSFET模型＆参数提取

器件模型及参数作为工艺和设计之间的接口，对保证集成电路设计的投片成功具有决定意义。本文介绍了电路模拟中常用的几种MOSFET模型，并着重探讨了使用自动参数提取软件提取一套准确的模型参数的具体工作步骤。     

MOSFET衬底电流模型及参数提取

在短沟道MOSFET器件物理的基础上,导出了其衬底电流解析模型,并通过实验进行了模型参数提取。模型输出与短沟MOSFET实测结果比较接近,可应用于VLSI／ULSI可靠性模拟与监测研究和亚微米CMOS电路设计。     

短沟Trench MOSFET阈值电压解析模型

传统MOS器件的阈值电压模型被广泛地用于分析Trench MOSFET的阈值电压,这种模型对于长沟道和均匀分布衬底的MOS器件来说很合适.但是对于Trench MOSFET器件来说却显现出越来越多的问题,这是因为Trench MOSFET的沟道方向是垂直的,其杂质分布也是非均匀的.本文基于二维电荷共享模型,给出了Trench MOSFET的一种新的阈值电压解析模型,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律,模型的结果和器件仿真软件Sivaco TCAD的仿真结果吻合较好.该模型较好地解决了以往所用的Trench MOSFET阈值电压模型计算不准确的问题.     

MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取

基于 MOSFET热载流子可靠性物理 ,并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔIds/Ids0 、Isub等实测数据的拟合处理 ,发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化 /寿命参数提取模型 ;进而由自动测试 ATE与 CAD技术相结合的监测系统 ,实现了载流子速度饱和临界电场Ecrit、有效导电长度 LC和寿命因子 H、m、n提取 .实验研究结果表明 ,模型及提取参数合理可信 ,并可进一步应用于 MOSFET及其电路的退化 /寿命模拟预测     

MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取

基于MOSFET热载流子可靠性物理,并结合电应力条件下热载流子退化特征量△Ids/Idso、Isub等实测数据的拟合处理,发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化/寿命参数提取模型;进而由自动测试ATE与CAD技术相结合的监测系统,实现了载流子速度饱和临界电场Ecrit、有效导电长度Lc和寿命因子H、m、n提取.实验研究结果表明,模型及提取参数合理可信,并可进一步应用于MOSFET及其电路的退化/寿命模拟预测.     

一种适用于短沟道LDD MOSFET参数提取的改进方法

提出了一种适用于短沟道LDD MOSFET的改进型参数提取方法,通过对栅偏压范围细分后采用线性回归方法,提取偏压相关参数,保证了线性回归方法的精度和有效性,避免了对栅偏压范围的优化和误差考虑.提取出的参数用于已建立的深亚微米LDD MOSFET的I-V特性模型中,模拟与测试数据的吻合表明了该方法的实用性.     

一种适用于短沟道LDD MOSFET参数提取的改进方法

提出了一种适用于短沟道L DD MOSFET的改进型参数提取方法,通过对栅偏压范围细分后采用线性回归方法,提取偏压相关参数,保证了线性回归方法的精度和有效性,避免了对栅偏压范围的优化和误差考虑.提取出的参数用于已建立的深亚微米L DD MOSFET的I- V特性模型中,模拟与测试数据的吻合表明了该方法的实用性     

一种新型的基于SOI MOSFET 衬底模型提取方法

衬底寄生网络建模和参数提取,对RF SOI MOSFET器件输出特性的模拟有着非常重要的影响。考虑BOX层引入的体区和Si衬底隔离,将源、体和衬底短接接地,测试栅、漏二端口S参数的传统测试结构,无法准确区分衬底网络影响。文章提出一种改进的测试结构,通过把SOI MOSFET的漏和源短接为信号输出端、栅为信号输入端,测试栅、漏/源短接二端口S参数的方法,把衬底寄生在二端口S参数中直接体现出来,并开发出一种解析提取衬底网络模型参数的方法,支持SOI MOSFET衬底网络模型的精确建立。采用该方法对一组不同栅指数目的SOI MOSFET进行建模,测量和模型仿真所得S参数在20GHz频段范围内得到很好吻合。     

注F短沟MOSFET的抗热载流子损伤特性

研究了用注 F工艺制作的短沟 MOSFET的热载流子效应。实验结果表明 ,在栅介质中注入适量的 F能够明显地减小由热载流子注入引起的阈电压漂移、跨导退化和输出特性的变化。分析讨论了 F的抗热载流子损伤的机理     

短沟道MOS阈值电压物理模型

通过求解二维泊松方程推导了一个简洁的短沟道 MOS的阈值电压模型 ,得到的 DIBL因子可用于分析参数对短沟道效应的影响。模拟的结果能很好地与数值模拟器 MINIMOS的结果符合     

深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法的研究

基于BSIMSOI对深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法进行了研究,提出一种借助ISE器件模拟软件进行参数提取的方法。该方法计算量小,参数提取效率高,不需要进行繁琐的器件数学建模,易于推广。将该方法提出的模型参数代入HSPICE进行仿真,模拟结果与实验数据相吻合,证明了这种方法的有效性和实用性。     

短沟道MOSFET阈值电压辐照增强漂移效应

本文对γ辐照环境下,小尺寸MOSFET的性能进行了研究,发现了短沟MOSFET阈值电压辐照增强漂移效应;提出了辐照损伤电荷非均匀分布概念;开发了二维数值模拟程序,对辐照损伤电荷引起的器件物理作用进行了分析;建立了辐照环境下短沟道MOSFET的简化模型,成功地解释了实验现象;在理论分析的基础上,提出了适用于VLSI的抗核加固措施,并经实验证实其有效性。     

功率MOSFET参数测试仪的设计

功率MOSFET参数测试仪是用来测试功率MOSFET电特性参数的仪器设备（如阈值电压、跨导等）。以单片机为核心,介绍功率MOSFET参数测试仪的原理、设计及实现,设计了电特性参数测试的具体电路,编写了测试控制程序,通过对设计出的测试仪系统进行实验和调试,可以准确测量功率MOSFET的阈值电压、跨导、栅源漏电流、零栅压漏极电流及耐压。     

A unified short-channel compact model for cylindrical surrounding-gate MOSFET

For the first time, a continuous and explicit model valid in all operating regions, for undoped short-channel cylindrical gate-all-around (GAA) MOSFETs, is presented in this study. From a two-dimensional analysis, the threshold voltage roll-off, the drain-induced barrier lowering (DIBL) and the subthreshold swing are explicitly modeled. Short-channel effects are then implemented into a continuous drain-current model based on an effective surface potential approach using the gradual channel approximation. Improving the model behavior in the saturation operating region by accounting the channel pinch-off displacement, channel length modulation is studied and implemented as well. Analytical results are compared to TCAD-Atlas numerical simulations and validate the short-channel model in all operating modes making it suitable for circuit design simulations.     

77K低温下MOSFET非固有电容参数提取研究

77 K 低温参数是制冷型碲镉汞红外焦平面探测器读出电路设计与精确仿真的关键点之一.通过研究 MOSFET 非固有电容的特性,并基于 BSIM3通用模型对电容的描述,在77 K 低温下进行测试提取,得到了相关的模型参数.嵌入 SPICE 软件仿真对比,证明了参数的准确性.     

应用-种组合优化算法提取场效应管模型参数

提出一种将模拟退火法与基于主成份灵敏度分析的空间坐标变换相结合的优化算法，用以精确提取微波场效应管小信号等效电路参数。该法具有快速收敛，能够消去模型坏条件等优点，从而提高了低灵敏度元件Ｒｉ、Ｒｇ、Ｒｄ等的提取精度，使各个模型参数均能得到精确、快速提取。