低Br纳米晶Fe73.5Cu1Nb2V1Si13.5B9合金的低频损耗行为

在f=10～1000Hz和Bm=0.4～1.0T范围内，测量了低Br纳米晶Fe7.35Cu1Nb2V1Si13.5B9合金的总功率损耗，将总损耗分离为三部分后，仔细地老查了每周过剩损耗的非线性行为。结果表明，损耗统计理论能很好地描述这一非线性行为。与对高起始磁导率态所得的结果比较表明，导致低Br态的横向场退火使过剩损耗明显降低，从而明显地降低了总损耗。     

高导磁纳米晶Fe_(73.5)Cu_1Nb_2V_1Si_(13.5)B_9合金的低频损耗行为

在 f=1 0 ～ 1 0 0 0Hz及Bm =0 1～ 1 0T的范围内 ,测量了具有高起始磁导率的纳米晶Fe73 5 Cu1Nb2 V1Si13 5 B9合金的总铁损。将总铁损分离为磁滞损耗、经典涡流损耗和过剩损耗之和 ,我们仔细地考查了每周低频损耗的非线性行为。根据损耗的统计理论 ,仔细地计算了每周过剩损耗。结果表明 ,这一理论能很好地描述低频损耗的非线性行为。     

高导磁Fe_(73.5)Cu_1Nb_2V_1Si_(13.5)B_9合金的中、高频损耗行为

在 f=0 .3～ 10 3kHz和Bm =0 .0 5～ 1.0T的范围内 ,考查了具有高起始磁导率的纳米晶合金的每周损耗频率关系。结果表明 ,在 f =0 .3～ 30kHz和Bm ≤ 0 .8T的范围内 ,惯用的损耗分离原则是适用的 ,可用Bertotti的统计理论描述P/f—f行为 ;对于Bm =1T ,这种描述在直到150kHz的范围内都适用。大约在 30kHz的高频区和 Bm ≤ 0 .8T的范围内 ,不能采用惯用的损耗分离法 ,P/f—f行为可用线性方程P/f =Peh Keclf来描述。这种描述对于Bm =1T的行为也很好地适用     

低Br纳米晶Fe73.5Cu1Nb2V1Si13.5B9合金的中、高频损耗行为

在f＝2．0－10^3kHz和Bm＝0．05－1．0T的范围内，考虑查了低Br纳米晶合金的每周损耗的频率关系。结果表明，在0．2－5kHz的范围内，惯用的损耗分离原则适用，可用Bertotti的统计理论描述P／f-f行为。大约在3－5kHz以前的相当宽的中、高频区内，不能采用惯用的分离法。大致可分为三个区间，P／f-f行为可很好地用P／f＝Kccl^(i) Pch(i)型线性方程来描述。有效涡流系数Kccl^(i)比经典涡流系数Kcl小得多，也明显比高导磁态的Kccl^(i)的相应值小。     

高导磁纳米晶Fe73／5Cu1Nb2V1Si13／5B9合金的低频损耗行为

在ｆ＝１０￣１０００Ｈｚ及Ｂｍ＝０．１￣１．０Ｔ的范围内,测量了具有高起始磁导率的纳米晶Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ２Ｖ１Ｓｉ１３．５Ｂ９合金的总铁损。将总铁损分离为磁滞损耗、经典涡流损耗和过剩损耗之和,我们仔细地考查了每周员耗的非线性行为。根据损耗的统计理论,仔细地计算了每周过剩损耗,结果表明,这一理论能很发 地描述低频损耗的非线性行为。     

添加Zr元素对纳米复相Nd10．5Fe78．4-xCo5ZrxB6．1粘结永磁体结构和磁性能的影响

采用快淬、热处理及模压成形工艺，制备了成分为Nd10．5Fe78．4-xCo5ZrxB6．1（x=0，1．0，1．5，2．0，2．5）的5种粘结永磁体。采用XRD,DTA，TEM等方法对合金的组织结构和晶化行为进行了研究。结果表明：Zr含量的增加可提高材料的非晶形成能力；当Zr添加到一定量时，形成高熔点的Fe2Zr相，产生细化晶粒的作用；添加Zr元素显著地提高了合金的矫顽力，改善了退磁曲线矩形度，从而提高了最大磁能积。Nd10．5Fe78．4-xCo5ZrxB6．1永磁体在x=2时获得最佳磁性能，Br=0．659T，Hcj=628kA／m，Hcb=419kA／m，（BH）m=73kJ／m^3。     

Fe76.9Cu0.6Nb2.5Si13B7合金结构和性能的研究

本文研究了Fe76．9Cu0．6Nb2．5Si1387纳米晶软磁合金的晶化过程及软磁性能。Fe76．9Cu0．6Nb2．5Si1387纳米晶软磁合金具有优良的软磁性能：高饱和磁感应强度、高初始磁导率、低矫顽力、低损耗。本文中对损耗P进行了拟合分析，当Bm=0．1～0．7T、f=10～300kHz时，损耗P可近似地表示为：P=0．63f^1.72B^2m。我们采用晶化过程中电阻测量及X射线衍射方法研究了该合金的晶化过程，研究表明该合金在很宽的温度范围内进行退火处理都只存在单一的α-Fe(Si)析出相。     

Fe_(85-x)Nb_(6.8)B_(7.7)Cu_x(x=0,1,3)快淬态纳米晶薄带的制备与磁性

利用熔旋快淬方法在辊速为40m／s时制备了低B的Fe85-xNb6.8B7.7Cux（x=0,1,3）快淬态薄带。Fe85Nb6.8B7.7和Fe85Nb6．8B77Cu1快淬态薄带具有α-Fe纳米晶结构,α-Fe的晶粒尺寸分别为23nm和20nm,Fe85Nb6.8B7.7快淬态薄带中还出现少量的杂相,但两者的软磁特性很差。而Fe85-xNb6.8B7.7Cu3.6.快淬态薄带的α—Fe的晶粒尺寸为13nm,在磁场20 Oe,频率1kHz下相对磁导率的变化为△μ／μ（（0）=-44％,磁场90 Oe下交流频率为1．5MHz时磁阻抗△Z／Z0=-31．3％,显示了良好的软磁材料特点。     

Cu对纳米晶复合合金Nd_(9.5)Fe_(76-x)Cu_xCo_5Zr_3B_(6.5)(x=0～2)磁性能的影响

采用快淬后真空晶化处理的方法制备出纳米晶复合合金Nd9.5Fe76-xCo5Zr3CuxB6.5(x=0～2),系统地研究了Cu元素对其磁性能的影响。结果表明:适量Cu元素的添加,可以提高磁体的剩磁Br、内禀矫顽力jHc和最大磁能积(BH)max,并且可以有效地提高磁体的剩磁温度系数α,但使磁体的矫顽力温度系数β略有降低。当Cu含量为0.25 at%时,该磁体具有最佳的综合磁性能:(BH)max=79 kJ/m3,jHc=685 kA/m,Br(T)=0.713 T;剩磁温度系数α20～150℃=0.071%/℃;矫顽力温度系数β20～150℃=0.36%/℃。     

具有优良磁性能的新型铁基微晶合金的研究

本文报道三种新型铁基微晶合金Fe_(73)Cu_(1.2)Nb_(3.2)Si_(12.5)B_(10)(合金1),Fe_(73.1)Cu_1Nb_(1.5)Si_(1.25)B_(10)(合金2)及Fe_(73)Cu_1Zr_3C_(0.5)Si_(12.5)B_(10)(合金3),它们具有μ'_i≥5×10~4的高相对起始磁导率、Hc≤1.0A/m的低矫顽力、在相当宽频率范围内的高有效磁导率、低铁芯损耗和窄脉冲条件下的高脉冲磁导率。在f=1kHz和H_m=0.4A/m条件下,相对有效磁导率μ’_5的最佳值为16×10~4,超过了Yoshizawa报道的μ’_5=10×10~4。最佳铁损值为P_(5/50k)=57.9W/kg、P_(2/100k)=30.2W/kg和P_(3/100k)=68W/kg,也超过了Yoshizawa报道的P_(2/100k)=38.9W/kg。这些合金都具有优良的磁性稳定性;在130℃下保温216h后起始磁导率不变,合金的主晶相是Fe_(75+y)Si_(25-y)型有序固溶体,晶粒的平均直径为10～20nm。     

纳米晶Fe_(74.7-x)Cu_1Nb_xV_(1.8)Si_(13.5)B_9合金的磁性

本文报道Ｆｅ７４．７－ｘＣｕ１ＮｂｘＶ１．８Ｓｉ１３．５Ｂ９（ｘ＝１，１．５，２）纳米晶软磁合金的综合磁性。ｘ＝２的合金的高频铁损水平为：ｐ３／１００ｋ＝４６８ｋｗ／ｍ３：Ｐ２／２００ｋ＝７０６ｋＷ／ｍ３；Ｐ２／５００Ｋ＝３６２０ｋｗ／ｍ３和Ｐ０．５／１０００ｋ＝８１０ｋｗ／ｍ３优于Ｆｅ－Ｃｕ－Ｎｂ－Ｓｉ－Ｂ类纳米晶合金的水平所考察的三种合金铁损水平都大大优于功率优良的Ｍｎ－Ｚｎ铁氧体Ｈ７Ｃ４考察了起始磁化率的温度关系，观察到原始非晶样品出现两个尖锐的Ｈｏｐｋｉｎｓｏｎ峰，与此不同的是，在具有最佳磁性的样品中只出现第二Ｈｏｐｋｉｎｓｏｎ峰，用Ｔｈｏｍａｓ理论解释了这一现象。观察到高温下纳米α－Ｆｅ（Ｓｉ）晶粒系统的超顺磁行为，起始磁化率的温度关系符合Ｃｕｒｌｅ－Ｗｅｉｓｓ定律。     

WC-(7-9)Ni-(1-2)Cr硬质合金耐蚀性能的研究

以采用Ni、Cr做粘结相的碳化钨基硬质合金为研究对象,采用失重法、电化学测试方法,研究合金在室温和60℃下,在体积浓度10%稀硫酸、10%稀盐酸、10%稀硝酸溶液中的腐蚀行为,并与传统的WC-8Co,WC-13Co硬质合金进行比较。试验结果表明:在浸泡腐蚀试验和电化学试验中,WC-Ni-Cr合金的耐腐蚀能力明显优于传统的WC-Co类合金,具有较强的抗腐蚀能力,可应用作矿砂、钢渣的提炼、污水处理领域的耐磨耐腐蚀材料,有很好的应用前景。     

Preparation of Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y by MOCVD

The GalnAsSb quaternary alloys for 2～4 μm long wavelength optoelectronics have been prepared byMOCVD.The growth of buffer layers and the employment of GaSb/GaAs and GaSb/GaSb hybridsubstrates are mentioned,which effectively improve the properties of GalnAsSb epilayers.In order to controlthe epitaxial growth of GaSb and GalnAsSb,emphasis is given on the deposition rates,growth temperaturesand the relationship between growth conditions and the distribution coefficients of In and Sb.The experimen-tal solid compositions in this work are predicted by the thermodynamic calculations.Whether the growth ofGalnAsSb epilayers is controlled by chemical reactions or by mass diffusions depends on growth temperatures.This argument is verified by kinetic considerations.The FWHMs of the DCXD (double crystal X-raydiffraction)spectra of GalnAsSb epilayers grown on GaSb/GaSb and GaSb/GaAs hybrid substrates areabout 200～300 arcsec and 800 arcsec respectively.The unintentionally doped GalnAsSb epilayers have themobilities of μp=100～240 cm~2/V·s at 300 K.The corresponding wavelength ofMOCVD GaInAsSb alloysis calculated from EPMA(electronic probe microanalysis)data and determined by FTIR(Fourier transformedinfrared spectroscopy)measurement.