固相制备Li_(4-3x)Eu_x(WO_4)_2微晶及发光性能

采用固相法制备了Li_(4-3x)Eu_x(WO_4)_2系列红色荧光粉。通过荧光分析(FL)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对所得粉体的发光性能、颗粒大小及形貌和物相进行表征分析。XRD分析表明制备的Li_(4-3x)Eu_x(WO_4)_2微晶均为白钨矿四方结构;SEM结果显示随着x的增大,Li_(4-3x)Eu_x(WO_4)_2微晶的晶粒尺寸相应增大,在0.1~0.5μm之间变化。荧光分析结果表明该荧光粉可被近紫外(395nm)光有效激发,最大发射波长位于614nm,获得纯正的红光。随着x的增大,样品中Eu~(3+)的593nm和614nm处两个特征发射峰的强度先增大后减小,当x=1.0时达到最大。     

基于组合薄膜制备技术的成分梯度薄膜(La1-xCax)VO3 (0≤x≤1)的制备和热电性能研究

采用"组合激光溅射制膜技术",制备了高质量(La1-xCax)VO3(0≤x≤1)成分梯度薄膜。采用组合热电测量系统和组合XRD系统测量了(La1-xCax)VO3(0≤x≤1)成分梯度薄膜的热电性能和晶体结构。在0≤x≤1范围内,(La1-xCax)VO3形成了固溶体。800℃生长的LaVO3薄膜具有最大的功率因数(α)值0.6μW/cm K2。V离子化学价对LaVO3的热电性能影响很大,当它由+3向+2变化时,可能获得良好的热电性能。     

SiOx薄膜的制备及发光特性研究

本论文采用双离子束溅射沉积技术制备了非晶的SiOx薄膜，XPS的测试表明Si是以单原子或低价氧化物的形态存在于薄膜内；在波长为240nm紫外光的激发下，室温及1000℃退火后SiOx薄膜的PL谱图显示样品中存在峰位分别处于320nm，410nm，560nm，630nm四个相互分离的峰，其发光机制分别为来自中性氧空位缺陷（≡Si—O—O—Si≡）、双配位硅悬挂键（O-Si-O）、非桥氧空位中心以及其他缺陷所形成的发光中心。     

射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和I-V特性(英文)

用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95％左右,工作气体选用H2＋Ar,氢气的分压控制在31％到70％,同时改变薄膜的沉积时间。Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料。结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的I-V特性进行了研究。     

射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和Ⅰ-Ⅴ特性

用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间.Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料.结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的Ⅰ-Ⅴ特性进行了研究.     

射频溅射两步法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜

~~射频溅射两步法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜@冯贞健$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022 @邢光建$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022 @陈光华$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022 @于春娜$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022 @荣延栋$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022~~~~~~~~     

不同射频溅射功率下直接制备Ca_2Si薄膜(英文)

磁控溅射系统在恒定Ar气压和Ar气流流量下,使用不同射频溅射功率在Si(100)衬底上分别沉积Ca薄膜;随后,800℃真空退火1 h.立方相的Ca2Si薄膜首次、单独、直接生长在Si(100)衬底上.实验结果指出,在多相共生的Ca-Si化合物中,沉积Ca薄膜时的射频溅射功率影响了立方相Ca2Si薄膜的质量;最优化的溅射功率是85 W.另外,退火温度为800℃时,有利于单一相Ca2Si的独立生长.并且,退火时间也是关键因素.     

射频溅射法制作Y2O2S∶Eu发光薄膜

在钇铝石榴石单晶基片上用射频溅射法制取了Y2 O2 S∶Eu红色发光薄膜。利用正交试验法 ,对溅射气体 (Ar H2 S)中H2 S浓度、退火气氛中SO2 与H2 的比例、退火温度和退火时间等工艺条件进行了优化试验。给出了实验结果并对其进行了讨论。     

热氧化法制备纳米ZnO薄膜及其发光特性的研究

用热氧化ZnS薄膜方法制备纳米ZnO薄膜．并用X射线衍射谱．光致发光谱表征和研究纳米ZnO薄膜结构特征及热氧化温度对薄膜质量的影响。X射线衍射结果表明纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构．且随热氧化温度升高．薄膜晶粒尺寸逐渐增大。光致发光谱是由紫外激子发光和与氧空位有关的深能级缺陷发光组成的．且随热氧化温度升高，激子发光峰发生红移．激子发光和深能级缺陷发光强度之比逐渐增大．在热氧化温度为800℃时，其比值为10。     

射频溅射法制备硫化钨固体润滑薄膜的研究

本文研究了采用射频溅射法以3Cr13马氏体不锈钢为基片制备硫化钨薄膜.实验分别采用了不同的溅射功率、工作气压和沉积时间来制备样品.之后对三组样品分别进行物相分析、表面形貌观察、测定微区化学成分、结合力和摩擦系数.结果表明:通过射频溅射法可获得非晶态WS2薄膜,薄膜的S/W比一般小于2,并受溅射工艺影响较为明显,随着溅射功率的升高逐渐降低,随着溅射时间的延长明显升高.薄膜结合力受溅射工艺影响并不显著.通过射频溅射所获得薄膜的摩擦系数在一定范围内与其硫钨比成反比.     

Zn2SiO4：Mn光致发光薄膜的溶胶-凝胶法制备及发光性质的研究

以乙酸锌、氯化锰、无水乙醇、正硅酸为主要原料,用溶胶-凝胶浸渍提拉法在石英片上制得Zn2SiO4：Mn薄膜前驱体,经高温煅烧获得到Zn2SiO4：Mn荧光薄膜,荧光分析其发光性能。     

离子束溅射法制备YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜

采用 YBa_2Cu_3O_(7-x)靶材,用离子束溅射法在多种衬底上得到了接近化学计量的YBa_2Cu_3O_(7-x)单相超导薄膜。     

铕(Ⅲ)激活铌酸钇的发光

在使用Li_2So_4作助熔剂的条件下,由相应的氧化物高温合成了Y_(1-x)Eu_xNbO_4(0≤x≤0.30),研究了各试样的光致发光。254nm紫外光激发下的发射光谱包括两个部分:位于330～480nm的弱发射谱带,相当于NbO_4基团的电荷转移态跃迁发射;在535～720nm之间有5组锐线状发射光谱,分别归属于Eu~(3+)的~5D_1—~7F_j(j=1,2,3)和~5D_o—~7F_j(j=1,2,3,4)跃迁发射,其中主发射峰是位于612.7nm的~5D_o—~7F_2跃迁发射。~5D_o—~7F_2发射的激发光谱包括NbO_4基团电荷转移态的强激发带,和一些Eu~(3+)f—f跃迁弱激发锐线谱。随着Eu~(3+)浓度的增大,两种激发都逐渐增强,这表明光致发光过程中存在着能量由NbO_4→Eu~(3+)的传递。当Eu~(3+)浓度大于0.15mol时发生发光的浓度猝灭。     

直流磁控溅射法低温制备GZO:Ti薄膜及其光电性能研究

用直流磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出了钛镓共掺杂氧化锌(GZO:Ti)透明导电薄膜,研究了溅射压强和功率对GZO:Ti薄膜的微观结构和光电性能的影响。研究结果表明,所制备的GZO:Ti薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。溅射压强和功率对薄膜的电阻率和微观结构均有显著影响。随功率增大,薄膜电阻率降低,生长率增大。所制备的薄膜的最小电阻率为1.81×10-4Ω·cm,可见光区平均透过率大于84%。     

高密度发光材料γ-Bi_2WO_6:Pr~(3 )的发光性质研究

研究了用固相法制备的高密度发光材料γ－Ｂｉ２ＷＯ６：Ｐｒ３＋的结构、光致发光光谱、激发谱和γ－Ｂｉ２ＷＯ６的漫反射谱．由实验测得它的晶格参数为α＝５．４５Ａ,ｂ＝１６．４２Ａ,ｃ＝５．４３Ａ,密度Ｄｘ＝９．５３ｇ／ｃｍ３．它的光致发光光谱主发射峰位于６００、６０８、６１１、６２９ｎｍ,分别来自于Ｐｒ３＋的１Ｄ２→３Ｈ４、２Ｐｏ→３Ｈ６、３Ｐｏ→３Ｈ６、３Ｐｏ→３Ｆ２跃迁的发射．其激发谱由位于约２２５～４３０ｎｍ范围内、最大值约在３７２ｎｍ的主激发带和４５０ｎｍ的激发峰组成;主激发带来自于基质,可能是基质的带间吸收、Ｗ－Ｏ间电荷迁移吸收和缺陷能级的吸收;４５０ｎｍ的激发峰来自于 Ｐｒ３＋的３Ｈ４→３Ｐ２跃迁吸收．ＢＷＯ：Ｐｒ３＋的最佳掺杂浓度为 ０．８ｍｏｌ％左右．     

溶剂热电化学法制备Li_(3+x)V_(1-x)Si_xO_4薄膜

采用溶剂热电化学法,于SiO2、V2O5、LiOH的乙醇溶液组成的反应体系中,在Pt基体上制备出致密的Li3+xV1-xSixO4薄膜.XRD、IR、Raman分析表明,薄膜结晶状态良好,具有γ-Li3PO4型结构.其化学组成为0.4(Li4SiO4)-0.6(Li3VO4).薄膜中无Li2SiO3杂质相存在.低沸点乙醇溶液体系,能够提高反应釜内的压力,有利于促进薄膜的生成.组成元素在醇溶液体系离子浓度小,薄膜生成速度小,导致薄膜结构致密,表面光滑.     

用稀土金属Eu的有机配合物Eu（DBM）2（AA）phen作发光层的有机电致发光薄膜的研究

研究了稀土Eu的有机配合物Eu(DBM)2(AA)phen的光致光发特性,用Eu(DBM)2(AA)phen作光发层,分别用N,N－双（3－甲苯）－N,N’－二苯联苯胺（TPD）和聚乙烯基咔唑＊PVK）作空穴传输层研制了有机电致发光薄膜器件,研究了它们的电致发光特性。     

氮化铁梯度薄膜的制备和磁性研究

用对向靶溅射方法制备出氮化铁梯度薄膜。利用X射线光电子能谱（XPS）对样品进行了深度剖面分析：铁原子和氮原子的百分含量沿膜厚方向呈梯度变化。X射线衍射表明膜中含有α－Fe，α”－Fe16N2，ε－FexN（2＜x≤3）和ξ-FeN各相。随着氮分压增加，膜中含氮量高的相比例亦增加，饱和磁通密度逐渐降低。     

双离子束溅射法制备SiOxNy薄膜的结构与发光

本文采用双离子束溅射沉积法制备了SiOxNy复合薄膜,XRD、TEM测试表明薄膜呈非晶态,FTIR及XPS测试表明薄膜成分由Si、O、N组成,在室温下可观察到样品有400 nm（紫光）、470 nm（蓝光）的光致发光.根据测试分析研究了SiOxNy薄膜的可能的发光机理：470 nm处发光峰为来自于硅基薄膜中中性氧空位缺陷（O3≡Si-Si≡O3）,是由于氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致,其发光强度随退火温度的升高而变化,800℃时最大,高于800℃时慢慢减弱;400 nm发光峰的发射与薄膜中的Si、O、N所形成的结构有关,它可能来自于Si、O、N结构所形成的发光中心,该峰位的强度随退火温度的升高而增强.