n沟增强型InP MISFET研究

在掺Fe的<100>晶向半绝缘 InP上,用 TEOS为源的 PECVD SiO_2作为栅氧化层,以Si~+注入 S.I.InP形成源、漏区,研制成基于 InP/SiO_2界面的n沟增强型 InP MISFET.其饱和区跨导 g_m为6.4mS/mm,沟道有效电子迁移率 μ_(eff)为1400cm~2/V·S,并对 InP MISFET特性及漏电流慢漂移行为作了讨论与分析.     

铝栅自对准工艺

铝栅自对准电路具有集成度高和性能价格比高等优点。本文从离子注入与合金(退火)两方面着手,研究铝栅自对准工艺。成功地研制出可与国外样品互换的铝栅自对准电路。     

砷化镓自对准栅场效应晶体管

本文介绍了砷化镓微波肖特基势垒场效应晶体管源漏接触之间自动对准栅接触的方法。这个方法包括了源漏接触边缘下面砷化镓外延层的腐蚀以及用伸出部分作为栅接触金属的蒸发掩模。用这种方法制造的器件,栅长为4微米。微波测量的结果:在2千兆赫下最大可用增益为16分贝,按6分贝/倍频程下降,截止频率为11千兆赫。     

蓝宝石衬底上槽栅型X波段增强型AlGaN/GaN HEMT

研制了一款X波段增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。在3英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石衬底上采用低损伤栅凹槽刻蚀技术制备了栅长为0.3μm的增强型AlGaN/GaN HEMT。所制备的增强型器件的阈值电压为0.42 V,最大跨导为401 mS/mm,导通电阻为2.7Ω·mm。器件的电流增益截止频率和最高振荡频率分别为36.1和65.2 GHz。在10 GHz下进行微波测试,增强型AlGaN/GaN HEMT的最大输出功率密度达到5.76 W/mm,最大功率附加效率为49.1%。在同一材料上制备的耗尽型器件最大输出功率密度和最大功率附加效率分别为6.16 W/mm和50.2%。增强型器件的射频特性可与在同一晶圆上制备的耗尽型器件相比拟。     

自对准栅场发射三极管的设计

对于场发射三极管，提高使用频率，增加跨导以提高增益是设计的关键。因此，本文在研究场发射三极管工作原理的基础上，重点分析了场发射三极管结构参数与电参数的关系，设计出了两种结构、四种尺寸的自对准栅场发射三极管单元结构参数，并对它们的性能进行了讨论。     

自对准栅场发射三级管的设计

对于场发射三极管，提高使用频率，增加跨导以提高增益是设计的关键。因此，本文在研究场发射三级管工作原理的基础上，重点分析了场发射三极管结构参数与电参数的关系。     

自对准栅金刚石MESFET器件研究

基于表面氢化处理的金刚石材料,利用自对准栅工艺技术研制了p型金刚石肖特基栅场效应晶体管(MESFET)。利用AFM和Raman测试方法对材料的特性进行了测试及分析。同时,对研制的金刚石MESFET器件进行了TLM以及直流特性测试及性能分析。利用TLM方法测试获得的表面氢化处理金刚石材料的方阻和Au欧姆接触比接触电阻率分别为4kΩ/□和5.24×10-4Ω.cm2。研制的1μm栅长金刚石MESFET器件的最大电流在-5V偏压下达到10mA/mm以上。     

IGBT全自对准栅挖槽工艺研究

设计了一种全自对准槽栅IGBT(绝缘栅双极晶体管)结构，其工艺简单，全套工艺只有两张光刻版，提高了工艺成品率。它独特的IGBT沟道多重短路结构，有效地防止了器件闩锁；采用氧化层硬掩膜和硅化物工艺，实现了全自对准的多晶硅反刻和金属连接，增加了IGBT芯片单位面积的元胞密度和沟道宽度，提高了器件的电流能力；用砷(As)掺杂代替磷(P)掺杂，有效地提高了源区表面浓度，实现了浅结工艺。     

槽栅IGBT 硅化物自对准技术研究

本文设计了一种全自对准的槽栅IGBT（绝缘栅双极晶体管）结构，其工艺简单，全套工艺只有两张光刻版，是现有IGBT工艺中最少的，而且现金闪光刻之间没有套刻关系，避免了套刻误差，提高了工艺成品率。同时，降低了制版费用和制造成本。设计了一种独特的IGBT多重沟道短路结构，有效的防止闩锁。用氧化层硬掩膜和先进的硅化物工艺实现金属接触全自对准，可使元包尺寸减小到2μm甚至更小，增加了IGBT芯片单位面积的元包密度和沟道宽度，提高了电流，使器件导通电阻低于0.23mΩ/cm^2。用砷（As）掺杂代替磷（P），可有效提高源区表面浓度，实现浅结工艺。     

自对准钨栅GaAs MESFET IC工艺

为了制备耐高温肖特基势垒,已采用RF或DC磁控溅射法在n~+n型GaAs衬底上溅射淀积钨(W)膜。这种膜具有良好的力学及电学性质。膜的可蚀性及肖特基势垒的热稳定性能够满足自对准栅IC的要求。新颖的自对准结构及用W栅制成的自对准离子注入GaAs MESFET初步特性能说明W栅工艺适用于GaAs IC。     

自对准结构InGaAsP/InP双异质结构激光器

本文研究了一种横模稳定的InGaAsP/InP双异质结构(DH)激光器的器件参数,即各层的厚度和条宽,这种激光器称为自对准结构(SAS),发射波长为1.3μm。为了控制平行于结平面的横模以及为了在高温下能稳定工作(尽管阈值电流对温度很灵敏),得出最佳条宽为7μm。 SAS激光器显示出稳定的基横模和接近单纵模的工作特性,并且直到3GHz有平坦的频率响应特性,范围在±5dB内。在老化试验中,温度提高到50℃和70℃,在恒定光功率条件下,所有样品都已工作了10000多小时,驱动电流没有明显变化。在50℃,5mW/端面恒定功率条件下的样品,5000小时期间驱动电流增加的平均速率为3.1×10~(-6)/hr。这个数值与GaAlAs/GaAs DH激光器相比几乎一样。在老化试验期间未观察到基横模分布上的变化。     

超深亚微米自对准平面双栅MOSFET假栅的制作

进入超深亚微米领域以后,传统CMOS器件遇到了器件物理、工艺技术等方面难以逾越的障碍.普遍认为,必须引入新结构和新材料来延长摩尔定律的寿命.其中,双栅CMOS被认为是新结构中的首选.在制作平面型双栅MOS器件中,采用自对准假栅结构,利用UHV外延得到有源区(S、D、G),是一种制作自对准双栅MOSFET的有效手段.文章详细研究了一种假栅制作技术.采用电子束曝光,结合胶的灰化技术,得到了线宽为50 nm的胶图形,并用RIE刻蚀五层介质的方法,得到了栅长仅为50 nm的自对准假栅结构.     

X波段双栅场效应晶体管上变频器

<正>上变频器在通讯系统中是一个不可缺少的部件.历来的上变频器大多采用变容二极管来制作,亦称作参量上变频器.它具有一定增益,但常常需要一个高电平本振和相当复杂的外电路结构.近年来微波砷化镓场效应晶体管获得了迅速的进展,特别是双栅场效应晶体管这     

InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现

从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.     

InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现

从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.     

InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现

从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发，利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构，比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果，为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.     

波音研制X波段雷达阵列

波音公司已赢得一份 930万美圆的合同 ,设计并研制Ｘ波段雷达阵列 ,从结构上要求能够综合进将来的飞机设计中 ,如象美国空军的国家下一代传感器飞机 (ＳｅｎｓｏｒＣｒａｆｔ)情报、监视和侦察平台。项目将在 2 0 0 5年 1 0月完成波音研制X波段雷达阵列     

X波段固态功率放大器的研制

介绍一种新型X波段固态功率合成放大器,其为脉冲工作方式,采用4个30 W末级功率放大模块,通过混合方式进行功率合成,得到80 W以上的峰值输出功率。最大脉冲宽度200μs,最大占空比40%。实测结果表明,无论是输出功率、体积尺寸大小,还是散热、可靠性等方面都有较大的提升。     

X波段圆极化雷达天线研制

X波段圆极化雷达天线由波导窄边裂缝线阵、波纹喇叭及极化栅等部件组成.采用扼流槽加极化块的方法,抑制交叉极化瓣,取得了较好的效果.圆极化的实现,采用非常规极化栅的方法.经过仿真计算和试验优化,在确保其他技术指标的前提下,该天线在3%的较宽频段内轴比优于1.5 dB.