新型半含氟碳链液晶的合成和相变研究

设计并合成了4个系列含3,34,4,4,5,5,6,6－八氟己氧基或6－氯－3,3,4,4,5,5,6,6－八氟己氧基边,链的联苯甲酸酯类或二苯乙炔类液晶,其相变性质通过偏光显微镜和DSC进行了测量和观察,讨论了桥键和末端原子对液晶性的影响,发现末端一个原子就对液晶性有很大的影响,末端原子对液晶相的稳定性有利的顺序为氟＞氯＞氢;末端一个氢原子对中介相尤其是近晶C相的稳定性破坏很大。     

新型含氟偶氮苯类液晶的合成和相变研究

设计并合成了一类新型的4′-（4″－n－烷氧基亚苯基乙炔基）4－n-乙氧基偶氮苯及其两个系列的氟代化合物,它们的相变行为通过差示扫描量热法和偏光显微镜进行了测试及观察,发现它们均是液晶化合物,都呈现向列相和近晶相,并且发现该类化合物的相变行为与氟原取代的数目与位置有着密切的关系。相比较不含氟的同类化合物,氟原子的引入降低了化合物的熔点和清亮点,如果两个氟原子对称分布在液晶分子长轴向的两侧有利于向列相的稳定性,相反分布于分子长轴一侧的两个氟原子有利于近晶相的稳定性／。     

未端氰基取代含氟二苯乙炔类液晶的合成与相变研究

设计并合成了一类新型末端氰基取代含氟二苯乙炔类液晶。通过偏光显微镜和DSC对其相仿进行了研究。此类化合物仅呈现一个向列相。讨论了积极效应和极性因素对液晶稳定性及相奕温度范围的影响。     

含三氟乙氧基的二苯乙炔类液晶的合成和相变研究

设计并合成了4个系列的新型含三氟乙氧基羰基的基芳香环上含氟或不含氟原子取代的二苯乙炔类液晶化合物,其相变行为通过偏光显微镜和差热分析进行了测试和观察,发现目标化合物都呈现很宽的近晶A相,当另一侧的碳氢链较短时,还有较窄的向列相存在,芳香环上引入的氟原子在有利于向列相的同时压缩了近晶相。     

一类含不饱和侧链的氟代甾类液晶的合成和相变研究

设计并合成了一类新型的甾体2,3－二氟－4－丁烯氧基苯甲酸酯液晶,相相变性质通过偏光显微镜和DSC进行了测量和观察。结果表明末端的双健和芳香环上的氟原子取代都能降低甾体液晶的熔点和清亮点,增加中介相的温度区域,但是没有观察到手性近晶C相或其他铁电相。     

对三氟甲氧基苯酚酯类液晶的合成和相变研究

设计并合成了一类新型的对三氟甲氧基苯酚酯类液晶,其相变行为通过DSC及偏光显微镜进行了观察和测试。这类液晶化合物都显示一个很宽的近晶A相和一个很窄的向列相,近晶A相的温度范围不随烷氧基端链的长度发生变化,而向列相的温度范围却随着烷氧基链的增长而缩小。四氟苯环的引入降低了化合物的热稳定性,压缩了近晶相,却有利于向列相的形成。三氟甲氧基有利于近晶相。     

含氟三环类液晶单体的介晶性研究

利用差示扫描量热仪(DSC)、显微热分析仪和偏光显微镜(POM)对CCP和CPP 两个系列液晶材料中含氟三环类液晶单体的介晶性进行了研究.结果表明,除CPP系列中的2CPPF3和4CPPF3外,其余所有化合物均有介晶性,在液晶态可观察到部分单体的近晶相和除2CPPF3和4CPPF3外所有单体的向列相的典型织构.探讨了烷基链碳原子数、环骨架结构以及氟原子取代数目对2个系列单体相变温度的影响规律.     

新型含氟液晶的合成及相态研究

设计、合成了4’-[(4-烷氧基-2,3,5,6-四氟苯基)乙炔基]苯甲酸4”-甲基苯酚系列的液晶化合物.进行了结构分析.确证其结构.测定了它们的相变温度,确定了它们的液晶相变类型.     

含氟双环NCS液晶的合成与性质研究

合成了两种具有氟取代的双苯环异硫氰酸酯(NCS)类液晶单体。通过与不含氟NCS单体的对比发现,随着氟原子个数的增加单体的熔点逐渐降低,Δn值也逐渐降低,其中二氟代双环NCS单体的Δn为0.20。单氟代NCS单体混入商品液晶时具有提高其响应速度的特性,而二氟代材料对于响应速度的提升不明显。实验结果表明,单氟代双环NCS液晶是一种具有较高Δn、低熔点、低黏度的快速响应液晶材料,在液晶空间光调制器件中具有一定的应用前景。     

新型有机汞类液晶的合成及其相变研究

设计并合成了一类新型的双［（４－ｎ－烷氧基苯基）乙炔基］汞液晶，其相变行为通过ＤＳＣ及偏光显微镜进行了测试及观察。该类化合物表现出很好的液晶行为。     

含氟二苯乙炔类液晶材料的合成和性质研究

从烷基苄氯和对氟苯甲醛开始,用Ｗｉｔｉｎｇ－Ｈｏｒｎｅｒ反应合成了１,２－二苯乙烯,再加成一分子溴,然后脱去两分子溴化氢,将双键转变成三键,合成了末端为单氟和碳原子数分别为３,４,５,６正构烷基链的４种三环二苯乙炔类化合物。４种化合物分别具有从８５～１０１℃宽的向列相温度范围。     

含氟反式环己基联苯液晶的合成

分别以PdCl2或Pd2(dba)3(CHCl3)作催化剂,K3PO4作碱,吡啶为溶剂,通过Suzuki交叉偶联反应合成了3个含氟反式环己基联苯液晶。与PdCl2相比,Pd2(dba)3(CHCl3)催化效力高,用量少(摩尔分数为0.25%),能有效催化多氟-反式环己基联苯类液晶的合成,纯产品产率达80%～67%,该反应体系简单、高效,催化剂合成储存方便,经济实用,具有较高的工业应用前景。     

掺杂铁电纳米粉的液晶的电光特性

铁电纳米粒子悬浮在向列相液晶母体中，增强介电各向异性，而且对施加的电场信号敏感。本文也展示了纳米粒子对所述复合材料可实现的总的相变的作用。这种方法也许可应用于设计新型显示材料。     

液晶中的蓝相Ⅲ

蓝相Ⅲ（BPⅢ）是液晶中蓝相的一个子相。它是具有特殊性质的相态。它的结构和性质不同于BPⅠ和BPⅡ。近年来，BPⅢ的理论和实验研究有了很大的突破。在理论上BPⅢ的研究主要体现在其结构和相变上。不同的BPⅢ结构模型的建立，为它的结构的确定提供了很好的研究方法。BPⅢ—ISO相变为热力学相变。相变临界点的存在对BPⅢ的物理性质的研究有着重要的意义。实验上，通过各种手段（光的反射与选择性光散射、电场等）对液晶BPⅢ的结构研究证明和否定了理论上所主张的一些BPⅢ的结构模型，但是有些实验结果很难处理。目前，关于BPⅢ的结构之谜还不能被揭开。由BPⅢ理论和实验研究的简要论述，可以引发出BPⅢ结构研究的新的理论方法。BPⅢ的织构呈无规则形状，这就有可能在理论上从特定的模型出发建立起非线性方程，计算所得方程的结果可能存在混沌解。     

利用六氯乙烷合成含氯类液晶单体

提出了一种利用六氯乙烷给取代芳烃引入氯原子的方法.将取代芳烃在低温下制成锂(钾)试剂,再与六氯乙烷反应,可以得到较高转化率的氯代芳烃.分别对邻位无氟原子取代基、单氟原子取代基、双氟原子取代基三类中间体进行了合成方法研究.通过元素分析、质谱等对产物结构进行了确认和表征.该方法具有反应收率高、产品纯度好、成本较低等特点.     

Patterning Smectic Liquid Crystals for OFETs at Low Temperature

The preparation of regular microstructures with liquid crystalline materials for organic field effect transistors (OFETs) is an attractive but challenging issue. However, it is usually limited by the difficulty of forming large‐area single crystals aligned in a desirable direction. Herein, several terthiophene (TTP) smectic liquid crystals such as 8‐TTP‐8 and 12‐TTP‐11OH are patterned into highly crystalline microstripes by a sandwich system through a dewetting method. Morphology and orientation of the microstripes strongly depend on preparation temperature. Microstripes prepared below crystalline temperature are uniform, well‐ordered, and show high field effect transistor (FET) mobility. Meanwhile, π–π stacking direction of the TTP backbone is perpendicular to the microstripe and the molecules stack in layer structure, standing up on the SiO₂/Si substrate, which would provide an effective pathway for p‐type charge transport. However, higher preparation temperatures at liquid crystalline or isotropic liquid range induce many defects in the crystal formation process and cause incline of the unit cell, thus leading to a sharp decrease in FET mobility. A possible mechanism of molecular stacking at different temperature range is proposed. This strategy promised to provide a new opportunity for the high cost‐efficiency fabrication of OFETs.