感应等离子弧试验初获进展

等离子技术的开发应用,为高温化工过程提供了一个有力的手段。为探索新的多晶硅生产工艺,上海半导体材料厂正进行感应等离子弧用于还原多晶硅的探讨。第一步工作着手进行氩核氢鞘型感应等离子弧的试验,采用组合式油冷石英灯距,国产 GP100—DL2型高频等离子体发生器,已初步实现     

镍对冶金法制备多晶硅电学性能的影响

电阻率是多晶硅材料最重要的参数之一,通过高温扩散镍杂质到多晶硅中,利用四探针电阻测试仪、金相显微镜、扫描电镜（SEM）、电感耦合等离子发射光谱仪（ICP）、能谱分析（EDS）,X射线衍射仪（XRD）等设备,研究了镍对多晶硅电阻率的影响及机制。研究结果表明：镍杂质使N型多晶硅电阻率增加,使P型多晶硅电阻率减小;高温冷却后,大量的镍与硅形成NiSi2析出相在多晶硅表面析出,并对硅中的铁有吸附作用,由于铁含量少而形成Fe0.42Si2.67新相且在表面析出,这些硅化物会引起电阻率的变化。     

多晶硅中杂质元素B、P的来源分析

为达到太阳能级多晶硅产品的要求,去除杂质元素B、P,以多晶硅生产为例,分析了各环节脱除B、P的效果,以及采用矿热炉生产工业硅过程中B、P的来源和去向。结果表明,工业硅生产过程中消耗的炭素材料是B、P的主要来源;选用低B、P的优质还原剂和经过处理的炭素电极,才能保证工业硅产品,满足后续多晶硅提纯工艺的要求。     

信息动态

科研成果评审鉴定获奖组讯研发首套千吨级多晶硅副产物处理系统设备2011年2月28日,由乐山科立鑫化工有限责任公司独立自主开发、研制、建设的国内第一套千吨级连续、封闭塔式多晶硅副产物制备高纯烷氧基硅烷系统装置通过了中国电子材料协会、浙江大学等12名行业专家的鉴定。目前,随着国内多晶硅行业数量的快速发展和工艺技术水平的不对称发展,多晶硅行业副产物的处理成为制约     

多晶硅生产废水的处理实践

针对目前国内西门子法多晶硅生产工艺特点,分析了其生产废水的水质特性。结合某多晶硅企业废水处理实践,介绍了两级中和、一体化混凝沉淀过滤、机械压滤工艺和设备在多晶硅生产废水处理中的应用,应用效果显著,能满足国家排放标准和企业回用要求。     

浅析改良西门子法多晶硅用铸锭硅芯

目前市面上的多晶硅大多采用改良西门子法生产的棒状多晶硅为主,在改良西门子法生产多晶硅过程中,硅芯是作为多晶硅生产过程中非常重要的辅材使用和消耗的。本文简要回顾了硅芯发展历史,重点阐述了改良西门子法多晶硅用铸锭硅芯的工艺流程、技术指标及影响因素。     

多晶硅生产副产物SiCl4合成高纯石英玻璃的方法

针对国内多晶硅生产副产物四氯化硅的消化处理,通过对多晶硅生产尾气冷凝液主要成分三氯氢硅和四氯化硅等组分和杂质的含量分析,提出了利用多晶硅生产副产物四氯化硅合成高纯石英玻璃的方法及其工艺条件.通过分析四氯化硅合成高纯石英玻璃的影响因素,针对性地提出了生产控制方法.对高纯石英玻璃材料的理化性能及应用进行了探讨,为多晶硅行业资源综合利用及增效减排,提供了切实可行的途径.     

电子级多晶硅制备过程中质量影响因素分析

电子级多晶硅是微电子行业、信息产业和新能源产业的基础性材料,目前,全球电子级高纯多晶硅总产能约31 000 t,我国高品质多晶硅仍然需要大量进口。电子级多晶硅产品质量控制要求非常严格,目前生产工艺主要有三氯氢硅氢还原法和硅烷热分解法两种,全球90%以上的多晶硅企业采用三氯氢硅氢还原工艺生产,国内也多采用此工艺生产电子级多晶硅。本文针对三氯氢硅氢还原工艺对影响多晶硅质量的因素进行了阐述,包括三氯氢硅、氢气纯度,物料管线纯度,CVD炉材质,备品备件选取,硅棒后处理装置,设备维护保养等,以期为电子级高纯多晶硅的生产和后处理过程提供参考。     

改良西门子法多晶硅产品质量控制措施探究

随着太阳能行业的发展,提高太阳能电池板转化率的需求越来越强烈,导致单晶硅硅片的用量占比快速提高,多晶硅硅片比例逐渐减少。而生产单晶硅片用的多晶硅质量要求高于铸锭多晶硅,主要体现在同样内在品质情况下,多晶硅外观要求致密、无缝隙、无孔洞等异常情况。本文主要针对改良西门子法还原炉在还原工艺阶段造成的硅芯芯夹、断面结构疏松和表面颜色异常等问题进行了原因分析,并给出了处理措施。实践表明,本文列举措施可以有效提升多晶硅质量。     

硼化锆基复合陶瓷粉末制备及喷涂涂层抗烧蚀性能

超高温ZrB2/MoSi2 陶瓷涂层可有效提高C/C 陶瓷基复合材料抗高温烧蚀性能。采用喷雾干燥团聚造粒法 制备复合团聚粉末,然后采用等离子致密化工艺对团聚复合粉末进行致密化处理,研究了等离子致密化工艺参数 对处理后粉末性能的影响,经等离子致密化处理后,粉末松装密度及流动性均得到了明显提高,当送粉速率为 50 g/min 时,ZrB2/MoSi2 粉末松装密度及流动性分别为3.26 g/cm3 和21.5 s/50g,与团聚态粉末相比,松装密度及 流动性分别提高了108.97 % 和59.01 %,致密化处理后粉末的氧含量降低至0.05 wt.%,在等离子致密化处理过 程中ZrB2/MoSi2 复合粉末几乎未被氧化。对等离子喷涂涂层进行了烧蚀试验,烧蚀后涂层结构完整未发生剥落, 表明制备的ZrB2/MoSi2 涂层具有良好的抗高温烧蚀性能。     

多晶硅副产物二氯二氢硅的应用研究

主要针对多晶硅生产过程的副产物二氯二氢硅在还原、氢化、反歧化等工序中的应用进行研究,以期通过合适的处理方法提高多晶硅生产过程中的原料利用率并进一步降低多晶硅的生产成本。     

我国多晶硅生产现状与发展

本文分析了我国多晶硅市场需求与生产状况，结合市场需求和１００ｔ／ａ多晶硅试验示范线的鉴定和验收，说明利用我国已初步掌握的改良西门子工艺，采用自主开发或合作建设的方式，建设一至两条千吨级多晶硅生产线势在必行，以便满足我国多晶硅市场日益增长的需求。     

多晶硅材料制备技术国家工程实验室成立

2009年1月5日,国家发展和改革委员会正式批复,同意在河南省洛阳市建设多晶硅材料制备技术国家工程实验室,并安排1500万元国家投资补助给予支持。该实验室的建立,将有望打破制约我国高纯多晶硅产业发展中的环保处理之技术瓶颈,打破国外发达国家对我国的技术封锁,提高我国多晶硅产业化技术水平;开展前瞻性研究,使我国多晶硅产业健康长久发展;建设我国多晶硅产业化之规范与标准,规范行业发展;培养高素质的多晶硅产业化人才队伍,     

等离子喷涂氧化铝涂层连通孔的准分子激光表面处理改性

等离子喷涂氧化铝陶瓷涂层由于内部存在孔隙、层迭及层间裂纹等缺陷而呈现出复杂的微观结构。这些典型的微结构特点显著影响着涂层的力学性能。本研究开发了一种等离子喷涂氧化铝涂层的准分子激光表面处理技术以优化石油工业缆绳工具的部件性能。相比于CO2或YAG激光器的液相处理技术,准分子激光工艺采用短波激光,这对陶瓷材料来说就意味着能量主要被表面区所吸收。首先,采用SEM研究了涂层的表面和截面微观结构,并表征了激光处理后表面粗糙度和消融状态。然后采用X射线微观断层成像技术获取了涂层的三维微结构以研究激光处理后涂层的3D孔隙率。最后,借助纳米压痕和电化学阻抗谱方法分别表征了改性后涂层微结构的力学和电学性能。结果表明,准分子激光表面处理技术是一种控制等离子喷涂氧化铝涂层绝缘性能的创新工艺。     

有色金属等离子焊接接头超声消应工艺

随着科技的不断进步,有色金属等离子焊接工艺得到了很大提升,表现出较大、较好的行业发展前景。紧紧围绕有色金属,研究等离子焊接接头的组织性能以及焊接技术,充分利用有色金属等离子焊接接头超声消应技术,保证有色金属等离子焊接接头的性能。同时,规范有色金属等离子焊接接头超声消应工艺的操作流程,对等离子焊接接头进行超声消应处理,对比接头超声消应工艺前后其接头性能变化,研究结果表明,有色金属采用等离子焊接,对焊接接头运用超声消应工艺,可以增强焊接接头性能。     

关于提高和稳定多晶硅质量的几点设想

硅单晶是发展电子工业的基础材料,而多晶硅质量的优劣和稳定则直接影响着单晶硅的质量,因此,进一步提高和稳定多晶硅的质量、降低成本是多晶硅生产和研究的主要任务。半导体级多晶硅是由高纯的硅卤化物或氢化物经过氢还原法或热分解法而获得的。硅卤化物的纯度将直接影响多晶硅的质量。目前,广泛采用三氯氢硅氢还原法制取高纯硅。本文就改进三氯氢硅精馏塔的材质、筛板材质及精馏过程的工艺提出一些措施。我们曾将这些措     

多晶硅生产废气处理工艺

针对多晶硅生产废气难以处理的问题，采用全新工艺回收生产废气中的氯硅烷，同时以氯化钙晶体的形式回收废气中的氯元素，降低外排废水中氯离子含量，创造环保和经济双重效益。     

多晶硅的应用及生产技术

介绍了多晶硅的用途及近年来国内外多晶硅生产技术，同时对多晶硅生产技术的发展趋势和多晶硅市场情况进行了简要的分析。     

英国安装一台最大处理量达5吨的等离子氮化炉

英国Consarc工程公司最近安装了一台最大处理量达5吨的等离子氮化炉,用来氮化处理齿轮,以提高齿轮的承载能力、耐磨性能、疲劳性能和摩擦性能,但其尺寸不产生明显变化。等离子氮化是在真空下进行的。最初阶段,由于溅射放电作用,等离子放电对部件进行清洗。当部件达到处理温度时,即可连续进行氮化处理直到处理中止,尔后部件在真空下冷却。     

致密化工艺对氧化钛粉末及等离子喷涂涂层性能影响研究

采用喷雾干燥法制备了一种球形氧化钛团聚粉末, 并通过高温烧结及感应等离子球化工艺对团聚粉末进行 致密化处理。 利用扫描电子显微镜 (SEM)、 霍尔流速计和粉末颗粒强度仪对粉末性能进行了表征, 研究了不同致 密化处理工艺对粉末颗粒强度、 松装密度及流动性的影响。 采用大气等离子喷涂 (APS) 工艺制备了氧化钛涂层, 并对涂层的微观组织进行研究。 研究结果表明, 高温烧结工艺及等离子球化工艺均可有效提升氧化钛团聚粉末 的致密度, 经过高温烧结工艺后氧化钛粉末内部的细小颗粒呈现烧结熔融的趋势, 而采用等离子球化处理后的 团聚粉末直接形成了致密球体结构。 相比于高温烧结工艺, 等离子球化工艺对氧化钛粉末的致密化效应更为明 显, 粉末的颗粒强度可达 187.86 MPa, 松装密度可由 0.79 g/cm3 提升至 1.69 g/cm3, 流动性由 163.22 s/50g 加快 至 100.27 s/50g。 该粉末经过大气等离子喷涂沉积形成的氧化钛涂层孔隙率为 2.8 %, 与未经致密化工艺处理的氧 化钛团聚粉末相比, 制备的涂层致密化水平有了较大程度的提升, 涂层的平均显微硬度值由 434.18 HV0.3 提升至 744.37 HV0.3, 涂层的结合强度均值由 11.07 MPa 提升至 29.93 MPa。