柔性基底上电沉积法制备铜铟硒太阳电池薄膜

采用简单的二电极系统,以大面积的铂网为阳极,钼或不锈钢薄片为阴极,以氯化铜、三氯化铟、亚硒酸的水溶液为电沉积液,利用一步电沉积技术在不锈钢薄片柔性基底上电沉积制备铜铟硒(CIS)薄膜前驱体,该前驱体经热处理后得到具有黄铜矿型晶体结构CIS薄膜.采用XRD、SEM和EDAX等对制备的CIS薄膜进行了表征,结果表明所制备CIS多晶薄膜物相纯净、晶型发育好,表面无裂纹,晶粒均匀.     

高速钢表面渗硅沉积金刚石

研究了利用表面扩散渗硅,在高速钢基底上沉积金刚石的工艺方法,利用ＳＥＭ,Ｘ射线衍射技术检验了金刚石膜和试样表面组织的变化,结果表明,利用表面扩散渗硅,在高速钢表面形成富硅层,使过渡层有较高的含硅量,有利于在高速钢基底上沉积金刚石膜。     

CVD条件对金刚石薄膜/钼基体界面层的影响

用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在Mo基片上沉积金刚石薄膜时,界面层钼的碳化程度与初始沉积条件有关.利用XRD,SEM,EDS对界面层进行的研究表明:在化学气相沉积的开始阶段,较低的甲烷浓度有利于碳向基体内的扩散从而让表面的Mo充分碳化,形成富含Mo2C的界面层.甲烷浓度过高时有利于金刚石的形核而不利于碳向基体内的扩散.在金刚石薄膜的生长过程中,碳向基体内的扩散很少,界面层的组成结构保持不变.     

X80钢及其焊缝在鹰潭土壤模拟溶液中的循环伏安行为

用循环伏安法研究了X80钢及其焊缝在鹰潭土壤模拟溶液中,溶液/电极界面上的电化学腐蚀反应。通过改变扫描速率、阳极电位上限、离子浓度、通气状态研究了钢的阳极极化和阴极析氢反应之间的相互作用。结果表明,酸性环境中的X80钢电化学行为是不可逆的电荷转移过程,钢的表面不能形成一个稳定的氧化膜。溶液中的侵蚀性离子使阳极极化和阴极析氢反应程度增加。阳极极化产生的稳定沉淀层对析氢反应起催化作用。氧气的存在能使钢表面能生成稳定的氧化膜,这会降低对析氢反应的催化作用。溶液中的CO2能增加焊缝的SCC敏感性。     

CVD条件对金刚石薄膜／钼基体界面层的影响

用微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）在Mo基片上沉积金刚石薄膜时,界面层钼的碳化程度与初始沉积条件有关,利用XRD,SEM,EDS,对界面层进行的研究表明：在化学气相沉积的开始阶段,较低的甲烷浓度有利于碳向基体内的扩散从而让表面的Mo充分碳化,形成富含Mo2C的界面层,甲烷浓度过高时有利于金刚石的形核而不利于碳向基体内的扩散,在金刚石薄膜的生长过程中,碳向基体内的扩散很少,界面层的组成结构保持不变。     

沉积温度对C-AlPO_4涂层显微结构的影响

采用水热电泳沉积法在C/C-SiC基体表面制备了方石英型磷酸铝(C-AlPO4)外涂层,借助XRD和SEM对涂层的晶相组成和显微结构进行了表征。研究了沉积温度对C-AlPO4涂层显微结构的影响,讨论了涂层的沉积动力学,进行了抗氧化性能测试。结果表明:353~393 K范围内,沉积温度对涂层的显微结构有较大影响;涂层的沉积量随着温度的升高而增加;涂层的沉积规律受C-AlPO4带电颗粒的向阴极表面扩散迁移所控制;涂层的沉积活化能为21.88kJ/mol;在1 773 K空气气氛氧化37 h后,涂层试样失重仅为0.53%。     

电压对电沉积PbS薄膜结构和性能的影响

采用阴极恒电压法在ITO导电玻璃表面沉积了PbS薄膜,并用X-射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及紫外/可见/近红外光谱仪对薄膜的结构和光学性能进行了表征,研究了沉积电压对薄膜的相组成、显微形貌以及光学性质的影响.结果表明:在U=18 V,pH=2.5,沉积时间为20 min,加入EDTA作络合剂的情况下,可制备出沿(111)和(200)晶面取向生长的立方相PbS薄膜.薄膜组成均匀而致密,对紫外线有较强的吸收作用,而对可见光有较好的透过作用.随沉积电压增加,薄膜的结晶性变好,光吸收性能明显增强.     

电铸圆锥体的阳极形状和辅助阴极的设计及优化

针对电铸复杂阴极的电铸层不均匀性问题,提出了一种阳极形状设计方法。并利用ANSYS有限元软件对电铸圆锥体阴极的阳极轮廓形状进行了优化设计,同时模拟分析了采用优化后的象形阳极时,辅助阴极参数对圆锥体阴极表面电场强度分布的影响。结果表明:采用该阳极形状设计及优化方法可以在一定程度上改善电铸层的均匀性,即阴极表面电场强度最大值与最小值的比值由4.97降低为4.33;采用优化的阳极和半径为20 mm的辅助阴极后,阴极表面电场强度的最大值与最小值的比值为由4.33急剧下降到1.65,电铸层的厚度均匀性得到明显改善,同时模拟结果与实际电铸试验结果相吻合。     

阳极氧化条件对双通型TiO_2纳米管阵列薄膜形成的影响

采用阳极氧化技术制备了双通型自支撑二氧化钛纳米管阵列薄膜,并研究了阳极氧化条件对所形成的阵列薄膜的厚度以及形貌的影响。结果表明,反应温度和阳极电压对所制备的阵列薄膜的表面形貌以及纳米管的生长速度有较大影响;而所生成的阵列薄膜的厚度随阳极氧化时间的增加而增加。在阳极氧化过程中,最终阶段的快速升高电压是形成双通型阵列薄膜的关键因素。     

虚火花放电初始过程的PIC模拟

比较了两种计算气体放电的模型——流体模型和PIC模型。利用PIC方法对虚火花放电初始放电过程进行了计算机模拟,揭示了三个放电阶段电离增长的特点。对不同的气压和阴极孔径下虚阳极的形成时间和传播速度进行了模拟计算。较高的气压和较大的阴极孔径能够加速虚阳极的形成,并加快向空心阴极扩展速度。研究了较高气压和低气压下空心阴极效应在形成虚阳极过程中的作用。在低气压下,空心阴极效应在起始放电过程中具有重要作用。     

宽束冷阴极离子源及其应用

本文介绍一种新研制的用于离子束辅助淀积薄膜的宽束冷阴积离子源,与目前国内外普遍采用的考夫曼(Kaufman)型热阴极离子源相比,它具有寿命长,无污染,结构简单,所需供电电源少,操作方便等优点。实验结果证明,用宽束冷阴极离子源进行离子束辅助淀积所得 Zns 膜层强度超过国标规定的10倍,G|AlSIO_x|A膜层强度超过国标规定的8倍。该离子源有广泛的应用前景。     

熔融盐膜法脱除烟道气中的二氧化硫(英文)

开发了一种烟气中脱除SO2 的新方法 ,即熔盐膜法 .采用非平衡态热力学理论有效地描述二氧化硫通过熔盐膜的传质速率 ,建立了SO2 传质的数学模型 ,并用计算机求取模型的数值解 .实验考察了电流密度、SO2 浓度、阴极室及阳极室气体流量等实验参数对SO2 传质的影响 .实验结果与理论解吻合良好     

激光熔敷钴基合金高温腐蚀的试验研究

本文对以2Cr13不锈钢为基材,表面经激光熔敷钴基合金在高温PbSO_4盐中的热腐蚀行为和机制,进行了深入的研究探讨。试验结果表明,经激光熔敷钴基合金后,耐高温腐蚀性比原2Cr13钢提高2.5倍以上;耐磨性提高2倍以上。原因是获得细密枝晶+多元共晶组织,大量Co能促进Cr_2O_3、CoO.Cr_2O_3致密保护膜的形成,阻碍S的扩散,因而提高了耐高温腐蚀性能。腐蚀机制是沿晶腐蚀,硫化一氧化循环进行造成剥落型破坏腐蚀。     

Optimization of material structure of ploy-Si thin film based on Al induced crystallization

Based on Al induced crystallization (AIC) method, influences of different material structures on formation and characteristics of ploy-silicon thin films were studied and optimized. Al-Si films on glass with different structures (Si/Al/Glass, Al/Si/Glass, Si/Al/…/Si/Al/Glass) were deposited on glass substrates by sputtering method. All samples were annealed for MIC with varied time processes under 500℃ N2 environment. X-ray diffraction test and scanning electron microscope were adopted to characterize cryst...     

Photoluminescence properties of ZnO thin films prepared by DC magnetron sputtering

ZnO thin films were prepared by direct current（DC） reactive magnetron sputtering under different oxygen partial pressures And then the samples were annealed in vacuum at 450 ℃. The effects of the oxygen partial pressures and the treatment of annealing in vacuum on the photoluminescence and the concentration of six intrinsic defects in ZnO thin films such as oxygen vacancy（Vo）, zinc vacancy（VZn）, antisite oxygen（OZn）, antisite zinc（Zno）, interstitial oxygen（Oi） and interstitial zinc（Zni） were studied. The results show that a green photoluminescence peak at 520 nm can be observed in all the samples, whose intensity increases with increasing oxygen partial pressure; for the sample annealed in vacuum, the intensity of the green peak increases as well. The green photoluminescence peak observed in ZnO may be attributed to zinc vacancy, which probably originates from transitions between electrons in the conduction band and zinc vacancy levels, or from transitions between electrons in zinc vacancy levels and up valence band.     

ChinZA合金TIG焊剂对焊接电弧及焊缝成型的影响

研究了ZA合金TIG焊中不同的焊剂对焊接电弧及焊缝成型的影响.结果发现:加入 KCl焊剂电弧形状变化不大; 加入LiCl焊剂电弧有收缩和“粘着”现象,电弧的宽度增加,长度减少,但阳极斑点不明显突出; 加入KF焊剂电弧有明显突出的阳极斑点产生,阴极区有所收缩;加入ZnCl2焊剂电弧的宽度和长度都有所增加,阳极斑点变小而突出;加入多组元混合焊剂电弧宽度增大,阳极斑点变小,且明显凸出,电弧长度变化不明显.电弧进入焊剂区时,焊缝表面宽度都有所减小,其中KF的减少最为明显,焊缝表面呈现金属光泽,ZnCl2最为光亮,而无焊剂区焊缝表面呈现明显的氧化现象.     

Growth kinetics of cubic carbide free layers in graded cemented carbides

In order to reveal the formation mechanism of cubic carbide free layers (CCFL),graded cemented carbides with CCFL in the surface zone were fabricated by a one-step sintering procedure in vacuum,and the analysis on microstructure and element distribution were performed by scanuing electron microscopy (SEM) and electron probe micro-analyzer (EPMA),respectively.A new physical model and kinetic equation were established based on experimental results.Being different from previous models,this model suggests that nitrogen diffusion outward is only considered as an induction factor,and the diffusion of titanium through liquid phase plays a dominative role.The driving force of diffusion is expressed as the differential value between nitrogen partial pressure and nitrogen equilibrium pressure essentially.Simulation results by the kinetic equation are in good agreement with experimental values,and the effect of process parameters on the growth kinetics of CCFL can also be explained reasonably by the current model.     

铝阳极氧化膜缺陷形成机制及改善方法

铝电解电容器的电介质是一层微米级的氧化铝膜，其本身存在的各种缺陷直接影响电容器的电性能、可靠性及寿命，阐述了铝电解电容器阳极氧化膜杂质缺陷、水化物层缺陷、表面龟裂缺陷的形成机制，并提出改善方法．介绍了选用高纯度原料法、热处理法、电压变化法、水化物去除法和热水处理法，并证明了上述５种方法的有效性．     

浸润度对低温下气膜产生的影响

针对气膜在沸腾过程中的低热导率以及能够降低流体流动阻力的特点,应用分子动力学模拟的方法在等温等压系综下模拟了气膜的形成过程,在较低的温度下得到了气膜.通过改变固液界面的接触角来改变固液界面的浸润度,进一步影响气膜的形成.结果表明,超疏水性固体壁面明显能够增强气膜形成,在较低温度下,一般的疏水性界面不能形成气膜,而超疏水性界面能够在较短时间内形成气膜,既可以减小流体流动阻力,又可以防止器件表面温度过高而烧坏.