极高Q值球形介质谐振器的理论分析

基于球面电磁波的空间截止特性,本文提出了具有极高Q值球形介质谐振器的物理原理和设计思想,文中给出了球形介质谐振器的主要参数的解析表达式和典型的计算实例     

微波小型化固态介质谐振器振荡器的发展

介绍了近年来微波小型化固态介质谐振器振荡器（ＤＲＯ）研究方面的新成就。重点介绍了介质材料、ＤＲＯ的频率调谐特性、相位噪声性能的优化、ＤＲＯ的拓展设计以及焊封和可靠性。     

介质谐振器稳频振荡器——一种新型微波信号源

介质谐振器稳频振荡器(DRO)的主要特点是体积小、成本低,特别适用于现代微波集成电路。在诸如卫星电视广播、雷达信标和数字通信应用中,它完全可取代体积大、价格更为昂贵的腔体稳频振荡器。本文叙述了DRO的工作原理,并介绍了用DRO作为稳定的微波信号源的方法。     

微带环状谐振器晶体管谐波振荡器

晶体管谐波振荡器采用基频较低的晶体管,所以成本低和可以用低频晶体实现稳频。但是基频较低时,谐振器的尺寸一般都比较大。例如,1千兆赫腔体的尺寸为15×15×15厘米~3,微带直线谐振器电路板的尺寸为18×3×0.3厘米~3。为了解决这一问题,美国马克特大学电子工程与计算机科学部的P.杰泽克等人提出了采用微带环状谐振器的办法,电路尺寸可缩小到5×5×0.3厘米~3。微带环状谐振器共发射极柯尔匹兹型振荡     

采用介质谐振器的砷化镓MESFET振荡器的温度稳定性

本文提出了采用介质谐振器的场效应晶体管振荡器的简单的温度稳定性模型,并根据振荡条件,用该模型推出了振荡功率和振荡频率与温度的关系。具有适当的线性谐振频率/温度特性的叠式谐振器已试制成功,并被用来稳定采用介质谐振器的振荡器(DRO),在频率为11.5GHz、温度为-20℃到80℃时,获得了±120kHz的频率稳定度((?)±0.1ppm/K)。     

“介质谐振器稳频晶体管振荡器”(讲座)

作者:顾墨琳鉴于目前国内外大力开展介质谐振器的应用及介质谐振器稳频振荡器的研究工作而开设本讲座,从89年第一期开始连载于“现代雷达”,共五讲,约10字。讲座内容涉及微带电路中介质谐振器的计算方法、耦合于微带的介质谐振器参数测试、振荡条件、振荡器电路设计和振荡器的测试以及目前有关电路新技术。关于介质谐振器的计算及测试将较多地取材自86年美国Artech House公司出版的D. Kajfez和P. Guiuon所著 "Dielectric Resonators" (目前该书尚无中译本),而有关电路振荡条件及介质谐振稳频振荡器的设计等方面则较该书有比较多的补充和修改。本书可科科研人员、高等学校教师和研究生参考。“现代雷达”编辑部拟在全部讲座刊出后,约于89年6月出版一合订本,每册收工本费2.2元(包括邮费),需购     

大功率晶体管微波振荡器

近几年来,发展大功率信号源的兴趣有所增加,这种信号源可在L波段和S波段提供几瓦的振荡器基频功率。如果能保持低电平信号源的低噪声电平和频率稳定性,就能简化较高电平信号源的要求,并降低系统的成本。从而仍能满足目前高度发展的通讯和测试设备中对可靠性和指标的要求。本文介绍一种晶体管微波功率振荡器的简化设计方法。这种方法可看作是设计大信号C类功率放大器方法的延伸。能设计出提供1瓦到10瓦输出功率的L波段和S波段功率源。这种功率源具有高的效率、低的剩余调频噪声和良好的频率稳定性,并易于采用电压调谐和锁相技术。     

采用介质谐振器的镜能回收微波混频器

本文介绍了用介质谐振器制作镜能回收微波混频器的设计方法。实验表明,在X波段用介质谐振器制成的镜能回收混频器,在信号口可以使变频损耗减小1dB左右,同时在镜频口可以使镜像抑制比达到25dB以上。     

微波介质谐振器鉴频器

本文介绍采用小型介质谐振器作为鉴别器的微波鉴频器的结构,列出简便的介质谐振器计算公式、数据表和实验数据。     

微波介质谐振器陶瓷

早在1939年,R、D、Richtmeyer就发表了介质谐振器的论文,为用高介电常数、低损耗的介质材料,制成介质谐振器,代替体积庞大的金属波导谐振器,提供了理论的依据。但几十年来,由于没有找到合适的材料,国外直至1971年,国内直至1973年,还只能用温度系数不好的金红石(TiO_2)陶瓷制成集成介质谐振器。TiO_2的频率温度系数很大,达到500ppm/℃。因此,这种滤波器在X波段工作,温度系数达4MHz/℃。这在许多条件下是不能允许的。它只能在恒温或复杂的补偿条件下才能改善温度稳定性,这就失去了小型化方面的优点,在空间技术中,没有实用价值。因此,寻找一种高介电常数、低损耗、小温度系数的介质材料,几十年来一直是材料科学的目标之一。     

高Q微波介质谐振器材料D_5的研究

研制出新型Ｄ５微波介质谐振器材料。该材料为ＡＢＯ３型钙钛矿化合物。化学组成式为Ｂａ（Ｚｒｘ，Ｚｎｙ，Ｔａｚ）Ｏｎ（式中ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｎ为任意）。该材料具有稳定的工艺特性和良好的微波性能。１０ＧＨｚ下，无载Ｑ值Ｑ０＝９０００，相对介电常数εｒ＝３０，谐振频率温度系数τｆ（１０－６℃－１）在０附近可调。该材料的出现为Ｘ波段乃至Ｋｕ波段微波介质谐振器的应用提供了一种良好的可供选择的材料。     

高稳定介质谐振器FET振荡器

本文对采用介质谐振器进行稳定的砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)振荡器随温度变化而发生的长时间频率漂移从理论和实验两方面作了分析研究。人们发现,介质材料的稳定性和品质因数有某些限制,另外谐振频率的温度特性是非常合乎线性的。目前已经在BaTi_4O_9和Ba_2Ti_9O_(20)基础上研制出这种材料,并且已制成用超稳定介质谐振器稳定的振荡器,这种振荡器在11千兆赫、温度从-50℃～100℃时频率漂移约为±100千赫(≈±0.06×10~(-6)/K)。     

4千兆赫介质谐振器振荡器

本文叙述了介质谐振器作为加载带阻滤波器稳频的基本原理,介绍了4GHz介质谐振器振荡器.该振荡器在-40℃到+55℃范围内,频率稳定度在2ppm/℃左右,在+55℃下连续工作8小时,频率漂移一般在50kHz以内,振荡器的输出功率在10mW左右.该振荡器曾在国际卫星通迅公司5号星电视传输试验中作接收系统的本振源,使用良好.