新型的Sol-gel法制备Ba0.6Sr0.4TiO3铁电陶瓷

采用新型的Sol-gel工艺制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)超细粉体,将BST粉体进行压制和烧结,获得了晶粒尺寸在1μm以内的BST陶瓷块体.观察了BST陶瓷块体的结晶情况并测定了其电学性能.在Sol-gel工艺中,加入了有机大分子量聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone,PVP)制备BST前驱体.实验结果表明:PVP的加入可有效增加前驱体的稳定性和分散性,降低BST陶瓷的预烧温度约250℃,并在1200℃获得晶粒细小、致密的BST陶瓷.BST陶瓷,显示弥散相变特征.     

新型的Sol-gel法制备Ba0．6Sr0．4TiO3铁电陶瓷

采用新型的Sol-gel工艺制备了Ba0．6Sr0．4TiO3（BST）超细粉体，将BST粉体进行压制和烧结，获得了晶粒尺寸在1μm以内的BST陶瓷块体。观察了BST陶瓷块体的结晶情况并测定了其电学性能。在Sol—gel工艺中，加入了有机大分子量聚乙烯吡咯烷酮（polyvinyl pyrrolidone，PVP）制备BST前驱体。实验结果表明：PVP的加入可有效增加前驱体的稳定性和分散性，降低BST陶瓷的预烧温度约250℃，并在1200℃获得晶粒细小、致密的BST陶瓷。BST陶瓷，显示弥散相变特征。     

Ba0.6Sr0.4TiO3/PANI的制备及吸波性能研究

采用超声场下原位聚合法制备了Ba0.6Sr0.4-TiO3/PANI复合材料。其结构、形貌和电磁性能分别采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和HP8510网络矢量分析仪进行了研究。结果表明,HCl掺杂后的PANI是部分结晶的。Ba0.6Sr0.4TiO3与PANI分子链之间存在某些相互作用。与PANI相比,在8.2～12GHz频率范围内,Ba0.6Sr0.4TiO3/PA-NI复合物的ε′值和ε″值均较大。在9.8～12.4GHz的频率范围内,Ba0.6Sr0.4TiO3/PANI复合物的tanδε值大于PANI的tanδε值。Ba0.6Sr0.4TiO3/PANI复合材料具有较好的微波吸收性能,最大损耗为-14dB,-10dB带宽超过了5GHz。     

改进的sol-gel工艺制备细晶Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷及其介电性能的研究

用改进的sol-gel工艺制备了细晶钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)陶瓷块体,研究了BST陶瓷的结晶与介电性能.在这种改进sol-gel的工艺中,用传统的固相反应煅烧形成BST粉体,经高能球磨制备BST纳米陶瓷粉体,再将一定质量的纳米粉体加入到相同化学组成的BST的溶胶液中,经普球球磨12h后,制备成悬浮性好,分散均匀的浆料.浆料可用来制备BST陶瓷,并在1200℃保温2h烧结成瓷,结果显示,BST陶瓷块体结构致密,晶粒尺寸在0.15～2μm之间.分析了样品的介电性能和晶粒尺寸对材料介电性能的影响.介电温谱显示,在0℃,100kHz时,相对介电常数为2500,介电损耗为0.02;并且存在明显的弥散相变.     

Sol-gel法制备铁电陶瓷厚膜的研究

综述了基于Sol-gel技术的铁电陶瓷厚膜的制备方法.分别从溶胶、热处理工艺和成膜技术等3个方面详述了粉末溶胶法、添加有机物溶胶法等改进的溶胶法,一步烧结法、快速成膜法等改进的热处理工艺法以及界面聚合术等新型的成膜技术,讨论了这些制备陶瓷厚膜方法的优缺点,并对基于Sol-gel技术陶瓷厚膜的制备这一研究领域进行了展望.     

铈掺杂Ba0.1Sr0.9TiO3的改性研究

铈掺杂Ba0.1Sr0.9TiO3陶瓷有着较高的介电常数和较低的压敏电压,但其烧结温度高,烧结成功率低,非线性系数小。用ZnO和过量TiO2加以改性,研究表明:适量TiO2起到了烧结助剂的作用,可将样品的烧结温度降低到1325℃,提高了样品烧结率,钛与锶的最佳物质的量比为5∶3;ZnO作为受主掺杂剂将样品的非线性系数提高到10以上,降低了介电损耗,其最佳的掺杂量为0.7%(摩尔分数)。最后用扫描电镜分析了掺杂ZnO样品的微观形貌。     

改进的Sol-gel法制备Ba0.6 Sr0.4 TiO3厚膜

采用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si和Al2O3基片上制备厚度为2～14μm的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电厚膜材料.经高能球磨细化和表面改性后的BST陶瓷纳米粉体分散到BST溶胶中,通过甩胶法,形成0-3型BST厚膜材料.XRD图谱显示,BST呈现纯钙钛矿相结构;SEM照片显示,BST厚膜均匀致密、无裂纹;介电性能测试结果表明,当测试频率为1kHz,温度为25℃时,介电常数为620,介电损耗为0.6.     

SrCO3掺杂对PMN-PMnN-PZT-Ce压电陶瓷储能及介电弛豫性能的影响

通过铌铁矿先驱法制备了Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb(Mn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbZrO_3-PbTiO_3+0.3%CeO_2(质量分数)+xSrCO_3(PMN-PMnN-PZT-Ce-xSr,x=0.00,0.03,0.05,0.07)四元系压电陶瓷,研究了SrCO_3含量的变化对Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb(Mn_(1/3)-Nb_(2/3))O_3-PbZrO_3-PbTiO_3+0.3%CeO_2(质量分数)(PMN-PMnN-PZT-Ce)压电陶瓷相结构、储能密度以及弛豫行为的影响。通过XRD表明,样品为单一稳定的钙钛矿结构,并且存在准同晶界(MPB);当x=0.07时,在外加电场60kV/cm下取得较好的储能性能:储能密度W1=0.31J/cm~3,储能效率η=0.47;通过修正Curie-Weise定律,较好地描述了陶瓷弥散相变的特征,弥散相变系数γ随着Sr~(2+)掺杂量的增加而增加。当x=0.07时,γ取得最大值1.972 8,此时弛豫现象最明显。     

溶胶-凝胶法制备K0.5Bi0.5TiO3陶瓷的晶格结构和介电特性研究

采用溶胶-凝胶工艺成功制备出K0.5Bi0.5TiO3微细粉料,并利用此微粉烧结出成瓷良好的K0.5Bi0.5TiO3陶瓷.用X射线衍射法测定了K0.5Bi0.5TiO3陶瓷粉末室温和高温(600℃)时的点阵常数,确定K0.5Bi0.5TiO3的高温相为立方结构(点群m3m)指标化其衍射线,给出了K0.5Bi0.5TiO3陶瓷粉末的多晶X射线衍射数据.以此X射线衍射方法研究了K0.5Bi0.5TiO3陶瓷粉末的铁电-顺电相变,测定了k0.5Bi0.5TiO3的介电特性.所作测量表明K0.5Bi0.5TiO3可能是一种有序-无序型弛豫铁电体,呈现一级弥散相变特征.这可采用极性微区理论阐释,弛豫特性是由此类材料非均衡性产生的极性微区在逐渐冻结过程中引起的.     

细晶Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)陶瓷材料的制备与介电性能

采用改进的Sol-gel工艺和传统烧结技术制备了晶粒尺寸在0.15～10μm的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)陶瓷,观察了样品的显微结构,并对样品的介电性能进行了测试,分析了晶粒尺寸对材料介电性能的影响.实验结果表明:改进的Sol-gel工艺和两步烧结法可以有效地控制Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)陶瓷的晶粒尺寸.晶粒尺寸的降低,材料的介电常数也随之下降,介电峰呈现明显的铁电-顺电弥散相变;但当陶瓷的晶粒尺寸＜1 μm,介电常数出现峰值,铁电相变温区变窄.     

火焰原子吸收光谱法测定光学新材料钛酸钡锶中钡和锶

本文介绍了火焰原子吸收光谱法测定光学新材料钛酸钡锶中钡和锶,研究样品制备、测试条件和共存元素干扰消除。本法的准确度和精密度均达到满意的结果。     

BST组分梯度薄膜的性能研究

采用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了上组分梯度、下组分梯度及单层BST薄膜,对比研究了三种结构BST薄膜的电、热性能.实验表明:下组分梯度BST薄膜的介电性能最优(优值因子为66.2),温度稳定性能最佳(在25～80℃范围内,介温变化率为7.8％).此外,实验还运用X射线衍射仪、场发射电子扫描显微镜和透射电子显微镜对BST薄膜的晶体结构进行了研究,运用EDS能谱仪对BST薄膜的组分梯度进行了验证.     

无水溶胶-凝胶制备钛酸锶钡的热分析及膜光学性能研究

利用无水溶胶-凝胶技术制备了Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜,采用TG-DSC对干凝胶的热反应过程进行了详细分析,结果表明,经过350℃和450℃处理后的非晶薄膜为碳酸盐而非钛酸盐。450℃退火1h处理的非晶薄膜在350～1000nm的光学透过率大于80%,在470nm处的折射率最大(1.94),消光系数较小(0.003)。800℃退火1h获得了晶态薄膜,该晶态薄膜的光学透过率也较好,在λ=670nm处的折射率最大(2.05),消光系数为0.07。     

Effect of Laser Irradiation on the PTCR Behavior of Semiconducting Barium Strontium Titanate Ceramics

This paper examines the effect of pulsed laser irradiation on the electrical properties of n-type semiconductor ferroelectric ceramics (based on a (Ba,Sr)TiO₃ solid solution) with a planar contact configuration. The elemental compositions and surface morphologies of the material before and after laser irradiation are compared using scanning electron microscopy data. In the framework of the well-known Heywang model for the positive temperature coefficient of resistance effect, we calculate the resistance of the material as a function of temperature for the paraelectric phase and determine parameters of grain boundaries that ensure good agreement between the experimental data and theoretical curves.     

Glycothermal法制备钛酸锶钡纳米晶的研究

采用Glycothermal法制备了尺寸分布窄的准球形钛酸锶钡纳米晶. 利用XRD、拉曼光谱以及TEM对合成纳米晶结构及形貌进行了测定与表征, 研究了Glycothermal法制备BST纳米晶过程中醇-水比、温度和液相中Ba/Sr比等因素对产物组成、晶体结构、晶粒尺寸与结晶性的影响规律. 结果表明: 利用Glycothermal法, 可在无矿化剂的条件下制备出单分散性好的BST纳米晶.     

铌酸锶钡陶瓷材料的研究进展

在无铅陶瓷研究领域,铌酸锶钡体系陶瓷材料日益受到人们的关注.介绍了钨青铜型铌酸锶钡陶瓷的晶体结构,着重讨论了结构、组成和制备工艺对陶瓷性能的影响,并对铌酸锶钡陶瓷的发展进行了展望.     

Optical-induced absorption tunability of Barium Strontium Titanate film

The absorption tunability of 100 nm thickness of ferroelectric Barium Strontium Titanate (Ba_0.5Sr_0.5TiO₃) thin films with different densities of pumped optical field is measured by terahertz time-domain spectroscopy in the range of 0.2 THz – 1.2 THz at 19 °C. Experimental results show that the absorption coefficient of BST film is approximately at 5000 cm⁻¹–20000 cm⁻¹ in the range of 0.2 THz – 1.2 THz and the absorption coefficient reached up to 16% when we applied the optical field up to 600 mW. The theoretical calculations reveal that increasing photoexcitation fluences is responsible for the increasing of transmission change in the conduction current density cause the absorption coefficient varied.     

钛酸锶钡(BST)薄膜晶化过程研究

采用射频磁控溅RF-magnetron sputting)法制备了钛酸锶钡(BST)薄膜,用快速热处理(RTA)和常缮规热处理(CFA)对薄膜进行晶化.利用AFM、XRD等技术分析了钛酸锶钡薄膜的晶化过程,以及不同退火温度和退火方法下薄膜的晶粒、晶相特性.实验表明:钛酸锶钡薄膜在500℃开始结晶,到700℃左右时结晶比较完善,晶化过程中没有出现择优取向;从表面形貌和X射线衍射图综合分析,快速退火的晶化效果要优于常规退火.