激光二极管泵浦的固体激光新材料LaBGeO_5－Nd~（3＋）

激光二极管泵浦的固体激光新材料ＬａＢＧｅＯ＿５－Ｎｄ￣（３＋）１．ＬｎＢＧｅ２Ｏ４（Ｌｎ＝Ｌａ－Ｅｒ和Ｙ）在结构上分为两类。有较大Ｌｎ（Ｌａ－Ｐｒ）者具有ＣｅＢＳｉＯ５的非对称结构（Ｃ２３—Ｐ３１空间群），有较小Ｌｎ（Ｇｄ－Ｅｒ和Ｙ）者具有ＣａＢＳｉ...     

单晶、薄膜及其它功能材料

４单晶、薄膜及其它功能材料９５０４０用ＣＶＤ法在蓝宝石基片上合成Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）外延膜─—增本博．粉体粉末冶金，１９９３；４０（７）＝６９３～６９６采用Ｂｉ（Ｃ＿６Ｈ＿５）＿３－Ｔｉ（ｉ－Ｃ＿３Ｈ＿７Ｏ）＿４及Ｂｉ（ｏ－Ｔｏｌ）＿３－Ｔｉ...     

KNbO_3：Rb光折变晶体中的电子－空穴竞争

ＫＮｂＯ＿３：Ｒｂ光折变晶体中的电子－空穴竞争张治国ＤｉｎｇＹＥｉｃｈｌｅｒＨＪ（ＯｐｔｉｃａｌＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＴｅｃｈｎｉｃａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＢｅｒｌｉｎ，Ｓｉｒ．ｄｅｓ１７．Ｊｕｎｉ１３５，１０６２３Ｂｅｒｌｉｎ，Ｇｅｒｍａｎｙ）傅...     

双掺杂的KNbO_3光折变晶体响应时间的提高

双掺杂的ＫＮｂＯ＿３光折变晶体响应时间的提高张治国ＤｉｎｇＹＥｉｃｈｌｅｒＨＪ（ＯｐｔｉｃａｌＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＴｅｃｈｎｉｃａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＢｅｒｌｉｎ，Ｓｔｒ．ｄｅｓ１７．Ｊｕｎｉ１３５，１０６２３Ｂｅｒｌｉｎ，Ｇｅｒｍａｎｙ）殷爱...     

新型陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）、ＡＰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ）、ＡＷ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）和Ｊｘ－１（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ⅰ具有较高的抗弯强度（σ＿（ｂｂ））和断裂韧性Ｋ＿（Ｉｃ）；研究结果表明，在ＪＸ－２－Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。     

Research on the Passivation Function of Si＿3N＿4 Film to YBCO Superconducting Film

ＲｅｓｅａｒｃｈｏｎｔｈｅＰａｓｓｉｖａｔｉｏｎＦｕｎｃｔｉｏｎｏｆＳｉ＿３Ｎ＿４ＦｉｌｍｔｏＹＢＣＯＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇＦｉｌｍＺｈａｎｇＹｕｔｉａｎ；ＪｉｎＢｏＡＮＤＱｉａｎＰｉｎｇｋａｉ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｐｐｌｉｅｄＳｃｉｅ...     

SiC异质结双极晶体管的高频性能

用一种简练的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）模型来模拟ＳｉＣ基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在２７℃（３００Ｋ）到６００℃（８７３Ｋ）下的６Ｈ－ＳｉＣ／３Ｃ－ＳｉＣＨＢＴ。将其高频大功率特性与ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ作了比较。不出所料，欧姆接触电阻限制了ＳｉＣＨＢＴ的高频性能。现在看来，在ＳｉＣ上只能可靠地产生１×１０￣（－４）Ω－ｃｍ￣２的接触电阻。所以ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）的最高实际值仅分别为４．４ＧＨｚ和３．２ＧＨｚ。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到１×１０￣（－６）Ω时，则６Ｈ／３ＣＳｉＣＨＢＴ的ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）分别可达到３１．１ＧＨｚ和１２．７６Ｈｚ。     

晶体折射率测试方法

扼要介绍了一种测试晶体折射率的有效方法──激光干涉法．并用这种方法分别测试了ＥＩ１２ＳｉＯ２０、Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２、Ｂｉｌ２ＧｅＯ２０、ＬｉＮｂＯ３晶体和熔融石英的折射率．测试结果表明，这种方法具有简便、稳定可靠、测试范围广和精度高等优点．     

新型陶瓷刀具材料JX－2－I界面结构的实验研究

利用ＴＥＭ和电子衍射图谱分析，研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的界面微观结构。ＴＥＭ分析表明，ＪＸ－２－Ｉ刀具材料的界面结合状态较好，Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ界面上形成了具有较高强度的“钢筋混凝土”结构，在Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ界面上没有剧烈的化学反应发生；通过ＴＥＭ和电子衍射图分析，发现在Ａｌ＿２Ｏ＿３的晶粒边界上有尖晶石（ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４）生成，这有利于控制Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒的长大，提高复合材料的强度。     

Si_（0．5）Ge_（0．5）合金的热氧化物的研究

利用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）、Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析，研究了Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５合金在１０００℃下湿氧化所生成的氧化物的特征．结果表明：这种氧化物为双层结构．靠近表面的一层为（Ｓｉ，Ｆｅ）Ｏｘ混合层，在其下面是纯的ＳｉＯｘ层，Ｇｅ被排斥并堆积在ＳｉＯｘ／Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５界面附近．在本实验条件下，（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏｘ层的厚度约为２５００Ａ，它的形成时间不足５分种．当氧化的时间延长时，ＳｉＯｘ的厚度随之增加，但（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏｘ的厚度几乎不变．还发现：在这些氧化物中，Ｓｉ２ｐ和Ｇｅ３     

Ge＿xSi＿（1－x）／Si应变层超晶格的LACBED研究

Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）／Ｓｉ应变层超晶格的ＬＡＣＢＥＤ研究段晓峰（中国科学院北京电子显微镜实验室，北京１０００８０）Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）／Ｓｉ应变层超晶格是一种新的能带工程材料。人们可以通过调整合金层的合金成分等结构参数，来调整应变层超晶格的能...     

新型复相陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ的界面结构及其对材料性能的影响

本文利用ＴＥＭ研究了新型复相陶瓷刀具材料Ｊｘ－２－Ⅰ的界面结构，结果表明，在Ｊｘ－２－Ⅰ中Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ（氧化铝／碳化硅晶须）界面和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ（碳化硅颗粒）界面结合良好，形成了具有较高强度的微观结构；发现在ＳｉＣｗ、ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒上均有位错产生，在ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３上有孪晶产生；分析表明，位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能，提高材料的断裂韧性，改善ＪＸ－２－Ⅰ材料的整体性能。     

高压氧化Ge_xSi_（1－x）／si过程中Ge分凝和陷阱之间的转换

高压氧化Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）／ｓｉ过程中Ｇｅ分凝和陷阱之间的转换＝ＴｒａｎｓｉｔｉｏｎｂｅｔｗｅｅｎＧｅｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎａｎｄｔｒａｐｐｉｎｇｄｕｒｉｎｇｈｉｇｈ－ｐｒｅｓｓｕｒｅｏｘｌｄａｔｉｏｎｏｆＧｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）／Ｓｉ［刊．英...     

掺氧经铋六角钡铁氧体的磁性

已制得组成ＢａＯ（６－ｘ）Ｆｅ２Ｏ３ＸＢｉ２Ｏ３的Ｂａ－Ｍ角铁氧体。式中Ｏ≤Ｘ≤０．４。与Ｂｉ２Ｏ３含量有关的晶格参数没有明显变化。当Ｘ＝０．１５饱和磁化强度有最大值，而矫顽力值在Ｘ＝０．１５左右为最小。这一结果可由Ｂｉ＾５＋的存在使晶格中Ｆｅ＾２＋增多加以说明。     

服务于高速光纤网络的新型硅锗技术

飞利浦电子集团推出了全新的半导体处理技术—ＱＵＢｉＣ４‘Ｇ’。该技术完美结合了超高速硅锗技术、无源元器件集成及ＱＵＢｉＣ４ＢｉＣＭＯＳ处理技术的衬底隔离和密集的ＣＭＯＳ逻辑功能。ＱＵＢｉＣ４‘Ｇ’为高速集成电路设计人员提供了独特的高／低击穿电压晶体管组合 ,可进行ｆｔ、ｆｍａｘ和噪音值的优化选择。该组合一方面包括有ｆｔ 为７５ＧＨｚ和ｆｍａｘ为１００ＧＨｚ的低压晶体管 ,从而确保设计高线性放大器和传输门所需的增益和相位边缘。另一方面也包括了高压（ＢＶＣＥ＞３．８Ｖ）高频晶体管 ,因而可部署ＶＣＯ等电路…     

高性能掺杂PZT热释电陶瓷研究

对Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．９４）Ｔｉ＿（０．０６））Ｏ＿３和Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．６１）Ｔｉ＿（０．３９））Ｏ＿３两种主配方掺入Ｍｎ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｎｉ、ｗ等元素，制备出宽光谱吸收、电性能优良的掺杂ＰＺＴ热释电陶瓷。对其进行了结构分析和电性能测量，第一种配方的典型电学参数为：ε＿ｒ＝２１９；ｔｇδ＝０．００７８（２０℃，１ｋＨｚ）；ｐ＝４．４３×１０￣（－８）ｃ／ｃｍ￣２·Ｋ。     

关于SMT电路板焊装维修工艺的讨论

关于ＳＭＴ电路板焊装维修工艺的讨论（续完）三吉电子企业有限公司葛杰（北京１００００６）ＤｉｓｃｕｓｉｏｎｏｎＲｅｐａｉｒｉｎｇｏｆＳＭＴＰＣＢＳｏｌｄｅｒｉｎｇａｎｄＡｓｅｍｂｌｉｎｇ（Ｅｎｄ）ＧｅＪｉ１ＢＧＡ元件维修球栅管脚阵列（ＢＧＡ）集成电路（...     

单晶、薄膜及其它功能材料

４单晶、薄膜及其它功能材料９５３３５Ｌｉ＿２Ｂ＿４Ｏ＿７基片上ＢＧＳ波的传输特性及其频率温度特性的改善——佐藤隆裕。电子情通信学会技术研究告，１９９４；９４［２５（ＵＳ９４１－４）］：９～１５通过理论和实验研究了Ｌｉ＿２Ｂ＿４Ｏ＿７基片上ＢＧＳ波的传...     

钛酸铋薄膜的室温脉冲激光沉积研究

在室温下,采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在７．６２ｃｍＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）衬底上制备了钛酸铋（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）薄膜。Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的厚度和组分均匀性采用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）和扩展电阻技术（ＳＲＰ）来分析、表征;采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）技术研究了薄膜的退火特性。研究发现单独用常规退火或快速退火热处理的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜中较容易出现Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７杂相;而采用常规退火和快速退火相结合的方法,较好地解决了杂相出现的问题,得到相结构和结晶性完好的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜。透射电子显微镜实验和扩展电阻实验表明,室温下制备的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜具有良好的表面和界面特性。     

New Semiconductor Thin-Film Microcavity Surface Emiters

ＮｅｗＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＴｈｉｎＦｉｌｍＭｉｃｒｏｃａｖｉｔｙＳｕｒｆａｃｅＥｍｉｔｅｒｓＲ．Ｘ．Ｊｉｎ１Ｄ．Ｂｏｇｇａｙａｒａｐｕ２Ｍ．Ｓ．Ｔｏｂｉｎ１Ｒ．Ｐ．Ｌｅａｖｉｔ１Ｈ．Ｍ．Ｇｉｂｂｓ３Ｇ．Ｋｈｉｔｒｏｖａ３Ｆ．Ｊａｈｎｋｅ４Ｓ．...