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《激光与光电子学进展》1994,(5)
激光二极管泵浦的固体激光新材料LaBGeO_5-Nd ̄(3+)1.LnBGe2O4(Ln=La-Er和Y)在结构上分为两类。有较大Ln(La-Pr)者具有CeBSiO5的非对称结构(C23—P31空间群),有较小Ln(Gd-Er和Y)者具有CaBSi... 相似文献
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本文研究了新型陶瓷刀具材料JX-2-Ⅰ(Al_2O_3/SiCp/SiCw)的力学性能,同A(Al_2O_3)、AP(Al_2O_3/SiCp)、AW(Al_2O_3/SiCw)和Jx-1(Al_2O_3/SiCw)材料相比,JX-2-Ⅰ具有较高的抗弯强度(σ_(bb))和断裂韧性K_(Ic);研究结果表明,在JX-2-Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用,陶瓷刀具材料JX-2-Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。 相似文献
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ResearchonthePassivationFunctionofSi_3N_4FilmtoYBCOSuperconductingFilmZhangYutian;JinBoANDQianPingkai(DepartmentofAppliedScie... 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
用一种简练的异质结双极晶体管(HBT)模型来模拟SiC基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在27℃(300K)到600℃(873K)下的6H-SiC/3C-SiCHBT。将其高频大功率特性与AlGaAs/GaAsHBT作了比较。不出所料,欧姆接触电阻限制了SiCHBT的高频性能。现在看来,在SiC上只能可靠地产生1×10 ̄(-4)Ω-cm ̄2的接触电阻。所以f_T和f_(max)的最高实际值仅分别为4.4GHz和3.2GHz。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到1×10 ̄(-6)Ω时,则6H/3CSiCHBT的f_T和f_(max)分别可达到31.1GHz和12.76Hz。 相似文献
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利用卢瑟福背散射(RBS)、X光电子谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)分析,研究了Si0.5Ge0.5合金在1000℃下湿氧化所生成的氧化物的特征.结果表明:这种氧化物为双层结构.靠近表面的一层为(Si,Fe)Ox混合层,在其下面是纯的SiOx层,Ge被排斥并堆积在SiOx/Si0.5Ge0.5界面附近.在本实验条件下,(Si,Ge)Ox层的厚度约为2500A,它的形成时间不足5分种.当氧化的时间延长时,SiOx的厚度随之增加,但(Si,Ge)Ox的厚度几乎不变.还发现:在这些氧化物中,Si2p和Ge3 相似文献
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Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的LACBED研究段晓峰(中国科学院北京电子显微镜实验室,北京100080)Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格是一种新的能带工程材料。人们可以通过调整合金层的合金成分等结构参数,来调整应变层超晶格的能... 相似文献
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本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料Jx-2-Ⅰ的界面结构,结果表明,在Jx-2-Ⅰ中Al_2O_3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al_2O_3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构;发现在SiCw、SiCp和Al_2O_3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al_2O_3上有孪晶产生;分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-Ⅰ材料的整体性能。 相似文献
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王华 《电子材料与电子技术》1996,23(2):43-46
已制得组成BaO(6-x)Fe2O3XBi2O3的Ba-M角铁氧体。式中O≤X≤0.4。与Bi2O3含量有关的晶格参数没有明显变化。当X=0.15饱和磁化强度有最大值,而矫顽力值在X=0.15左右为最小。这一结果可由Bi^5+的存在使晶格中Fe^2+增多加以说明。 相似文献
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关于SMT电路板焊装维修工艺的讨论 总被引:1,自引:1,他引:0
关于SMT电路板焊装维修工艺的讨论(续完)三吉电子企业有限公司葛杰(北京100006)DiscusiononRepairingofSMTPCBSolderingandAsembling(End)GeJi1BGA元件维修球栅管脚阵列(BGA)集成电路(... 相似文献
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在室温下,采用脉冲激光沉积(PLD)技术在7.62cmPt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了钛酸铋(Bi4Ti3O12)薄膜。Bi4Ti3O12薄膜的厚度和组分均匀性采用卢瑟福背散射(RBS)和扩展电阻技术(SRP)来分析、表征;采用X射线衍射(XRD)技术研究了薄膜的退火特性。研究发现单独用常规退火或快速退火热处理的Bi4Ti3O12薄膜中较容易出现Bi2Ti2O7杂相;而采用常规退火和快速退火相结合的方法,较好地解决了杂相出现的问题,得到相结构和结晶性完好的Bi4Ti3O12薄膜。透射电子显微镜实验和扩展电阻实验表明,室温下制备的Bi4Ti3O12薄膜具有良好的表面和界面特性。 相似文献