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以NiCuZn材料为基础,改进传统的制粉工艺,制备出超细铁氧体粉料。添加V_2O_5,MoO_3,Bi_2O_3等组合助熔剂,实现了材料的低温烧结和高磁导率。在此基础上采用流延工艺制备出生磁膜带,在900℃烧结,研究了不同添加剂在烧结过程中的析出物状况,找到了既能实现材料高磁导率、又在烧结后没有析出物的组合添加剂。通过离子取代和晶粒细化获得了低损耗,并使材料满足了抗直流叠加的要求。分析了掺杂对材料损耗、直流叠加特性的作用机理。研究工作为开发此类高频、低功耗、高直流叠加材料提供参考。 相似文献
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用固相反应法(氧化物法)制备了成分为Ni1-a-xZnxCuaFe2-(O4(0.15≤a<0.25,0.1≤x≤0.65)的 NiCuZn铁氧体超细粉.研究了材料的烧结特性,给出了烧结样品的起始磁导率μi、品质因数Q、表观密度d、预烧、烧结收缩率η等随烧结温度的变化.由收缩率、相对比饱和磁化强度σsp/σs的烧结温度曲线讨论了致密化过程与固相反应的关系.由烧结样品形貌分析SEM照片讨论了起始磁导率与晶粒尺寸等显微结构因素的关系,以及细晶粒和异常晶粒的生长过程.获得了在870±10℃烧结温度下μi>835±10%、Q>140、比温度系数α<1×10-6/℃、居里温度TC=130℃、电阻率ρ>1012Ω·cm、比损耗因子tgδ/μ<8.4×10-6的良好性能.其μQ=12.3×104,是Sol-Gel法的2倍. 相似文献
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缺铁量对氧化物法低温烧结NiCuZn铁氧体电磁性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
用固相反应法(氧化物法)制备了成分为Ni1-a-xZnxCuaFe2-δO4(0.15≤a<0.25,0.1≤x≤0.65)的铁氧体超细粉.实验表明平均粒度随球磨时间的延长而减小,钢球和ZrO2球的球磨效果很相近.球磨粉料的平均粒度<0.2μm.给出了烧结样品的起始磁导率μi和Q值与缺铁量的关系.研究了缺铁量对材料磁导率频率特性和居里温度的影响.获得了良好低温烧结NiCuZn电磁性能:在860~880 ℃的烧结温度下,μi>835(1±10%),Q值>145,比温度系数α<1×10-6/℃,居里温度TC:125℃,电阻率ρ>1012Ω·cm,比损耗因子tgδ/μ<8.4×10-6,Bi2O3添加量仅为0.25mol%. 相似文献
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介绍了一种高磁导率(μi=2300)、高Bs、高居里温度NiCuZn铁氧体TN230B材料的制备方法及生产过程.研究表明,引入适量的CuO可大大改善材料的电磁性能;通过对原材料的选择,严格控制主配方和制备工艺可获得优良的材料性能. 相似文献
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采用氧化物陶瓷工艺制备低温共烧铁氧体(LTCF)多层片式器件用NiCuZn铁氧体材料,研究了V_2O_5掺杂对材料微观结构、磁导率及其温度特性的影响。结果表明,随V_2O_5掺杂量的增加,样品平均晶粒尺寸增大,材料烧结温度降低,磁导率先增大后降低;宽温NiCuZn铁氧体配方采用0.4wt%的V_2O_5掺杂,可使材料实现低温烧成(烧结温度900℃左右),并具有高磁导率(500左右)、致密的细晶粒显微结构,从而获得满足LTCF多层片式铁氧体器件高、低温应用环境(-55~+85℃)下磁性能要求的低温烧结NiCuZn铁氧体宽温材料。 相似文献
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Sol-Gel法低温烧结NiCuZn铁氧体的磁导率、温度系数等性能与Zn含量的关系 总被引:1,自引:0,他引:1
用溶胶-凝胶法制备了Ni1-a-xZnxCuaFe2O4(0.15≤a<0.25,0.1≤x≤0.65)铁氧体超细粉。测量了烧结样品的起始磁导率μi、Q值、比温度系数αμ/μi、居里温度TC、饱和磁化强度Ms、矫顽力Hc等与Zn含量的μ关系。给出了六个不同Zn含量样品的磁导率温度曲线。发现随Zn含量的增加比温度系数αμ/μi(20~60℃)由正到负。获得了μi>1000、比温度系数αμ/μi<1×10-6/℃、居里温度TC=125℃、比损耗因子tanδ/μi<2×10-5μ的高导、低温度系数、低烧(880±20℃)NiCuZn铁氧体材料。 相似文献
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采用固相反应法制备了NiCuZn软磁铁氧体,探究了CaCO_3添加对铁氧体微观结构、磁性能以及电学性能的影响。运用砖墙模型,对晶界及晶粒的电阻率进行了近似计算,结果表明,在低频时,NiCuZn铁氧体的电学特性趋向于晶界特性,在高频时,其电学特性主要由晶粒决定。综合考虑到NiCuZn铁氧体材料的磁电性能,当CaCO_3添加量为0.04 wt%时,样品具有高起始磁导率(1370)、高饱和磁感应强度(353 mT)及高电阻率(1.2×10~8?·m),磁电性能最为优异。 相似文献