用等离子体离子辅助沉积高性能红外增透膜

介绍了等离子体离子辅助沉积技术，用该技术制备了高性能的中红外增透膜，给出了该增透膜的光学性能和耐久性试验结果。     

溅射压强对柔性PET衬底ZnO薄膜性能的影响

利用直流磁控溅射法,在室温水冷柔性PET衬底上成功制备出了掺钛氧化锌(ZnO:Ti,TZO)透明导电薄膜。通过X射线衍射(XRD)研究了薄膜的结构,用扫描电镜(SEM)研究了薄膜的表面形貌,用四探针和紫外-可见分光光度计等仪器对薄膜的特性进行测试分析,研究了溅射压强对ZnO:Ti薄膜表面结构、形貌、力学、电学和光学性能的影响。结果表明,溅射压强对PET衬底上的TZO薄膜的性能有显著的影响,实验制备的ZnO:Ti薄膜为具有C轴择优取向的六角纤锌矿结构的多晶薄膜;当溅射压强从2Pa增加到4Pa时,薄膜的电阻率由10.87×10-4Ω.cm快速减小到4.72×10-4Ω.cm,随着溅射压强由4Pa继续增大到6Pa,薄膜的电阻率变化平缓,溅射压强为5Pa时薄膜的电阻率最小,为4.21×10-4Ω.cm;经计算得到6Pa时样品薄膜应力最小,为0.785 839GPa;所有样品都具有高于91%的可见光区平均透过率。     

溅射功能对TbFeCo磁光薄膜特性的影响

研究直流磁控溅射中溅射率对ＴｂＦｅＣｏ磁光薄膜成分均匀性、厚度均匀性、克尔旋转角θｋ和矫顽力Ｈｃ的影响。实验结果表明对于全金属互化物相（１００％ＩＭ）ＴｂＦｅＣｏ合金靶。若采用适当的溅射功率，不但能够实现高速率溅射，而且可获得较好的成分和厚度均匀性，同时溅射所得薄膜具有大的克尔旋转角和合适的矫顽力。此工艺参数被用一磁光盘的生产。     

溅射时间对氧化钒薄膜性能的影响

采用直流磁控溅射法在普通玻璃上制备了氧化钒薄膜,并对薄膜采取了450 ℃真空退火处理,分别测量了退火前后薄膜XRD图谱及电阻,比较了不同溅射时间（120 min、100 min、60 min）对薄膜性能的影响。结果表明,溅射时间增长,薄膜的结晶度也增强,经过退火处理,薄膜的电阻明显减小,且溅射时间越长,薄膜的阻值越小,3块薄膜的电阻分别达到16.0 MΩ、65.0 MΩ、71.5 MΩ,其随温度变化的幅度也越小。     

溅射压强对钛镓共掺杂氧化锌透明导电薄膜性能的影响

利用直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出了透过率高、电阻率较低的钛镓共掺杂氧化锌透明导电薄膜(TGZO)。研究了溅射压强对TGZO薄膜结构、形貌和光电性能的影响。研究结果表明,溅射压强对TGZO薄膜的结构和电阻率有重要影响。X射线衍射(XRD)表明,TGZO薄膜为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构多晶薄膜。薄膜的电阻率具有随着溅射压强的增大先减小,后增大的规律,在溅射压强为11Pa时,实验获得的TGZO薄膜晶格畸变最小,电阻率具有最小值1.48×10-4Ω.cm,透过率具有最大值94.3%。实验制备的TGZO薄膜附着性能良好,在400～760nm波长范围内的平均透过率都高于90%。     

射频阱中离子的激光溅射注入

通过实验测出了激光溅射碳靶时存储离子强度随延迟时间的变化 ,计算出团簇离子的相对存储效率与离子动能之间的关系 ,并对实验结果作出了定性的解释。     

溅射功率对PET衬底上ZnO:Zr薄膜性能的影响

采用直流磁控溅射法在室温下柔性PET衬底上制备出了高质量的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜。研究了溅射功率对ZnO:Zr薄膜表面形貌、结构、电学和光学性能的影响。溅射功率对ZnO:Zr薄膜的电阻率影响显著:当溅射功率从60W增加到90W时,薄膜的电阻率先减小后增大,在最佳功率80W时,电阻率具有最小值3.67×10-3Ω·cm。所制备的ZnO:Zr薄膜具有良好的附着性能,在可见光区平均透射率高达90%。     

脉冲溅射技术在氧化铝薄膜沉积中的应用

脉冲溅是一种新型的,用于消除直流反应溅射中异常放电的技术,通过采用金属铝靶和自制的脉冲电源进行了氧化铝薄膜的脉冲磁控反应溅射沉积实验,讨论了脉冲溅射参数对异常放电的抑制效果,以及对氧化铝薄膜的沉积速率和折射率的影响。     

循环间歇溅射工艺对PLT薄膜性能的影响

采用射频磁控溅射技术利用循环间歇溅射工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了镧钛酸铅(PLT)薄膜。通过原子力显微镜、X-射线衍射仪分析了循环间歇溅射工艺对薄膜形貌、结构和铁电性能的影响。实验结果表明,相比于连续溅射工艺,循环间歇溅射工艺的基片温度较低,且制得的PLT薄膜晶粒细小、均匀,结构致密。薄膜具有纯钙钛矿型结构,循环次数从1次增加到3次,其(100)和(200)峰衍射强度逐渐增强,结晶性提高,铁电性能逐渐增强,其饱和极化强度由28μC/cm2增大到53μC/cm2,剩余极化强度由5μC/cm2增大到12μC/cm2。循环4次溅射后,薄膜的结晶性和铁电性开始下降。     

用激光溅射的方法在离子阱中产生和囚禁碳原子团簇离子

利用激光溅射的方法，已经在离子阱中产生并囚禁了Ｃ＋ｎ（ｎ＝１～１３）原子团簇离子，并取得了溅射产生原子团簇的质量范围随激光脉冲能量的变化以及原子团簇离子的稳定存储随囚禁时间的变化关系等结果。囚禁时间可达２０ｓ。     

PECVD及溅射／蒸发生长二氧化锡薄膜的成形技术

针对二氧化锡薄膜常用的两种生长方法－等离子增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）及溅射／蒸发生长的不同特点，分别采用了两种不同的剥离工艺方案，由此实现了与ＩＣ加工工艺兼容良好的ＳｎＯ２薄膜成形技术。     

激光溅射法在射频离子阱中产生和囚禁低能多电荷离子

用激光溅射金属氧化物的方法在射频离子阱中产生了Ｃｏ和Ｔｉ的多电荷离子,结合离子阱选择囚禁技术和垂直交叉离子束碰撞冷却方法,得到了稳定囚禁的低能（电子伏特能量）Ｃｏ３＋和Ｔｉ４＋离子。     

Au薄膜溅射功率对ZnO/Au复合薄膜质量的影响

在ZnO薄膜上采用不同溅射功率制作了Au薄膜,研究不同溅射功率对Au膜成膜速率、结晶质量和结合力的影响,表明在本实验中100 W功率下Au膜的成膜质量比较好。同时对ZnO薄膜电阻的影响进行了研究,结果表明溅射功率越高,ZnO导通的可能性越大,通过实验,溅射工艺在100 W下制备的Au薄膜对ZnO电阻影响最小。     

溅射功率对Co-ZnO薄膜结构和光电性能的影响

以氧化锌陶瓷靶和金属钴靶为靶材,利用磁控共溅射方法制备钴掺杂氧化锌(Co-ZnO)薄膜。研究了溅射功率对薄膜的结构、光学和电学性能的影响。结果表明:薄膜具有类似于ZnO的六方纤锌矿结构,并沿C轴择优生长;作用在Co靶上的溅射功率对Co-ZnO薄膜的结构和光电性能有一定的影响。在其他条件不变的情况下,当Co靶上的溅射功率设置为10 W时,样品的结晶质量、表面形貌、光透过率、光致发光以及导电性能综合评价最优。     

溅射功率对AlN薄膜结构形貌的影响

采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AlN薄膜,利用X线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)对不同溅射功率下制备的AlN薄膜的结构及形貌进行了分析表征。结果表明:在一定范围内,随着溅射功率的增大,薄膜厚度增加,晶粒逐渐长大,表面粗糙度也随之增大;AlN(002)择优取向改善明显,120W时达到最佳。     

沃拉斯顿棱镜增透膜的研制

为了减小沃拉斯顿（Wollaston）棱镜端面反射以提高棱镜的透过率，研究了沃拉斯顿棱镜增透膜的设计和蒸镀工艺。针对制作棱镜的冰洲石晶体和许多膜料之间的附着力较差，膜层不牢固，以及该棱镜中o，e光对应的基体折射率相差较大等问题，在膜系设计时要兼顾两束线偏振光同时增透的特点，在多次工艺实验摸索出合适的膜料及蒸镀条件的基础上，利用矢量法分析了内层膜的作用并总结了设计方法，具体设计了沃拉斯顿棱镜窄带增透膜，最后根据设计的膜系蒸镀制备了增透膜。利用岛津UV3101分光光度计测量了膜系的反射光谱，结果表明，o光的端面剩余反射减小到0．21％，e光的端面剩余反射减小到0．22％，并且膜层牢固。     

溅射压强对ATO透明导电薄膜性能的影响

利用射频磁控溅射法在石英衬底上制备得到高质量的锑掺杂二氧化锡(ATO)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ATO薄膜的结构和光电性能的影响。结果表明:溅射压强对ATO薄膜的相结构、择优生长取向和结晶质量均有一定的影响。所制薄膜的电阻率随着溅射压强的增加有先减小后增大的规律,并在溅射压强为1 Pa时取得最小值(1.99×10–3?·cm)。不同溅射压强下制备的薄膜在可见光区的透过率均在85%以上。     

硅基硫化锌薄膜的溅射法生长技术

利用射频磁控溅法在Si衬底上制备ZnS薄膜,用X射线衍射技术对薄膜的结构相变进行研究,揭示了Si衬底上ZnS薄膜的微观结构和相变特征与溅射功率的关系,为寻找高新发光材料提供依据。