单片12GHz低噪声GaAs MESFET放大器

<正>为了满足我国电视卫星低噪声接收的需要,使单片低噪声FET放大器的性能赶上世界先进水平,南京固体器件研究所正抓紧单片12GHz低噪声GaAs MESFET放大器的研究,最近取得了较大的进展.研制的单级单片低噪声FET放大器,芯片尺寸为1×1.2mm,在10.5～12.4GHz带宽内测试,噪声系数为3～3.5dB,相关增益为6.0dB.     

12GHz低噪声MMIC放大器

<正>据《Semicon.NEWs》1989年第8期报道,日本三菱电机株式会社光微波器件研究所现已研制成在12GHz下噪声系数为1.58dB,增益29dB的世界最高性能的低噪声MMIC放大器.该放大器采用具有均匀性、重复性好的自对准多层金属栅结构超低噪声GaAs FET工艺,并使噪声和阻抗的匹配电路开始单片化.与以前采用凹槽型的GaAs FET放大器相比,性     

LEC SI GaAs离子注硅的退火方法及其在微波功率MESFET中的应用研究

本文主要介绍LEC SI GaAs离子注硅的退火方法及其在微波功率MES FET中应用研究结果。采用我们试验成功的一种独特的半密闭退火系统,研究了不同退火方式诸如CVDSiO_2包封,PECVDSiN_x包封以及GaAs贴面的无包封退火效果。采用在LEC SI GaAs衬底上选择注硅并用GaAs贴面作无包封退火,以及用CVD SiO_2包封退火的方法制备GaAs MES FET有源层,已达到15GHz下输出功率140mW,相应增益4.5dB的参数指标,为目前国内同类器件最高水平。该器件已通过产品鉴定。     

微波双栅GaAs MESFET

按照一种新的双栅器件设计理论,采用阶梯栅和两栅间嵌入虚接地点的结构,使GaAs双栅FET获得了优良的噪声和增益性能。二栅在管壳内通过电容射频接地,有助于稳定性的改善。器件最好水平为f_0:12GHz,N_F:2.42dB,G_(?):13.89dB。该器件设计合理,工艺经过优化,使器件具有较高的成品率及优品率。     

最高工作频率12GHz的高集成度GaAs IC

<正>据《电子材料》1989年第12期报道,日本索尼公司研制成高速高集成度的GaAs IC,约集成400个器件,工作频率为12GHz.目前所开发的GaAs IC集成了约400个栅长为0.5μm的结型FET,用作分频器具有1/256和1/258两种分频性能.这种IC可望应用于卫星通信的VSAT等高性能高频通信的小型收发     

12GHz 1.5dB亚微米栅GsAs MESFET

<正> 南京固体器件研究所成功地研制了深槽亚微米栅GaAs MESFET。器件栅工0.4～0.6μm、栅宽150μm、槽深0.3～0.4μm。以1.8×1.8mm标准陶瓷金属微带管壳封装,进一步改善了射频特性。在12GHz下测量,器件噪声系数的最佳值为1.4dB,相关增益7.5dB。大部分器件的噪声系数在1.5～3.5dB范围内。器件在2～12GHz频率范围内的s参数也较好。与日本三菱公司的2SK267和NEC的NE38883 MESFET 进行了同等条件下测试对比,说明测试结果可靠。 用于制作器件的GaAs材料的质量较好。GaAs半绝缘衬底有较高的电阻率;缓冲层纯度较高,提高了与有源层交界面附近的迁移率;有源层为N~+-N层,有利于减小源漏接触电阻。这些为器件获得高增益、低噪声打下了良好的基础。     

S波段振荡用大功率GaAs FET的设计和研制

本文叙述了S波段振荡用大功率GaAs FET的设计考虑、结构和制作,给出了器件性能。在3GHz下,器件振荡输出功率为3.34W,直流—射频转换效率为47.4％。     

栅耐压26V,最大漏电流400mA的GaAs异质结FET

<正>据日本《日经工卜夕1、口二夕又》1993年第573期报道,日本NEC公司研制成栅宽1mm,最大漏电流400 mA,栅耐压26 V的AlGaAs/InGaAs/GaAs异质结FET,并计划在1994年使其产品化,应用于卫星通信与便携式电话和无线LAN的发送部分。器件在12GHz,微波输出功率为0.83W,与以前该公司的GaAs MESFET相比,高1.5倍,功率附加效率为40％。     

三菱出售卫星通信用的GaAs器件

<正> 三菱电机已开始出售用于商业通信系统发射信号放大的GaAs器件,它们是五种大功率GaAs FET和一种GaAs单片微波集成电路。 GaAs FET(MGFK)系列输入输出阻抗在管壳内部匹配成50Ω,用14～14.5GHz频率,输出功率0.3～5.5W,是用MBE法制造的。为了在高感应率衬底上形成内匹配电路而缩小了电路尺寸。单片集成电路(MGF 7201),最适用于14～14.5GHz小信号放大,除了连接规定的电源以外,还能得到18dB的功率增益,输出     

离子注入GaAsMMIC的低噪声MES FET

本文提出在离子注入GaAsMMIC内低噪声FET的制作中应考虑的问题。已鉴别出可能使FET性能恶化的工艺,并提出了一些解决方法。用这些方法制作的低噪声MMIC FET直到18GHz都显示出有良好的微波特性,并接近由类似的分立FET所能达到的性能。已制作出在18GHz下噪声系数为2.9dB、相关增益为6.1dB的0.8μm栅长MMIC FET,这些器件适于在离子注入GaAs MMIC中的低噪声应用。