石墨造孔PTCR性能和结构的研究

对采用规模工业级原料取得的石墨造孔PTCR的工艺技术、性能和微观结构进行了全面的研究和探讨 .当石墨的质量分数为 1 .0 %时 ,采用快速升温、自然冷却的方法 ,可得到室温电阻率低 (2 0～1 0 0Ω·cm)、升阻比高 (≥ 1 0 5)、温度系数大 (2 1 % /℃ )的热敏电阻 ;通过对样品微观结构的分析 ,提出了多孔PTC效应主要起因于晶界氧的吸附 ,而晶粒细小并非是必需的条件的观点 ,并借助Heywany模型作了进一步的理论解释 .     

势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响

在已有的SiCe HBT基区渡越时间模型的基础上，考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系．结果表明：大电流密度下的势垒效应会增大基区渡越时间，基区Ge的不均匀分布并不能完全起到减小基区渡越时间的作用．     

Nb掺杂浓度对BaTiO3陶瓷半导化的影响

本文就Nb掺杂BaTiO_3陶瓷中电阻率分布不均匀现象进行了实验研究,结果表明在掺杂量处在半导化组分附近的样品中电阻率分布存在有规律的分层现象,在此基础上对施主掺杂BaTiO_3陶瓷的室温电阻率随掺杂量的变化规律作出了新解释,并对分层现象形成的原因作了初步探讨。     

势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响

在已有的SiGe HBT基区渡越时间模型的基础上,考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系.结果表明:大电流密度下的势垒效应会增大基区渡越时间,基区Ge的不均匀分布并不能完全起到减小基区渡越时间的作用.     

影响BaTiO3基热敏陶瓷PTC效应的试验研究

从研究中温加热用ＰＴＣ效应热敏陶瓷材料的成分，性能与工艺之间的关系入手，在传统耻，通过不同掺杂量和烧结工艺对ＰＴＣ效应半导资性能影响的分析，选出最佳成份配比与最佳烧结工艺。介绍从配料到终烧的各个步骤。     

影响BaTiO3基PTC陶瓷材料性能因素的分析

在BaTiO3基质中用15mol% Pb作移峰剂,以此为基础配料制备了Bi和V分别取代部分Pb的PTC陶瓷及BaTiO3-钛酸钡钠(NBT)陶瓷,采用SEM、EDS等方法对其性能进行了测试,并分析研究了烧成制度对显微结构的影响以及晶界重氧化对材料电性能和PTC效应的影响.结果表明:Bi3 取代微量Pb2 可以使BaTiO3半导化,且具有PTC效应,但是室温下其电阻较大;用V5 取代微量Pb2 ,不能实现BaTiO3的半导化;NBT-BaTiO3陶瓷在还原气氛下烧结,半导化效果良好,但没有PTC效应,经重氧化试样的室温电阻增加,具有PTC效应.     

α—Al2O3对瓷坯抗弯强度影响的研究

本文研究了α－Al2O3粉替代石英以及添加MgCO3、TiO2和Cr2O2对瓷坯抗弯强度的影响。并采用XRD和SEM手段，研究了瓷坯显微结构的变化及其与抗弯强度的关系。研究结果表明：α－Al2O3替代石英瓷坯抗弯强度得到明显改善；添加适量的矿化剂可以使瓷坯强度进一步得到提高，并且能降低烧结温度。     

Bi2O3和Fe2O3掺杂对BaTiO3陶瓷显微结构的影响

利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和X射线能量色谱（EDAX）等结构分析技术,研究了施主（Bi^3 ）和受主（Fe^3 掺杂对BaTiO3陶瓷显微结构的影响。研究结果表明：施主掺杂抑制晶粒生长,受主掺杂则促进晶粒生长;受主（Fe^3 ）掺杂导致部分晶粒中出现壳－芯结构和包晶结构特征,EDAX微区分析证实,壳－芯结构和包晶结构的形成都与Fe^3 的偏析有关;在Bi掺杂BaTiO3陶瓷晶粒中发现了离子化合物材料中比较罕见的位错网。     

硅掺杂对PTC陶瓷相组成、微结构及性能的影响

采用固相法制备了不同硅掺杂量的BaTiO3基PTC陶瓷,研究了硅掺杂量和Ba2TiSi2O8第二相对PTC陶瓷电性能以及微观结构的影响,并分别以XRD和SEM对样品的相组成和显微结构进行了研究.结果表明,少量硅的加入降低了室温电阻率;硅的加入有利于传质和限制晶界移动;当硅掺杂量不大于0.5 mol％时,样品的电阻-温度系数和升阻比都随着硅掺杂量的增加而增大;硅不单是烧结助剂,而且它可以改变晶界相组成.当硅浓度超过0.5 mol％时,样品出现Ba2TiSi2O8第二相.随着硅的浓度进一步加大,Ba2TiSi2O8第二相增多,电阻率逐渐增大,电阻一温度系数减小,但升阻比却增大.Ba2TiSi2O8第二相的出现,导致样品的PTC效应出现缓变的现象.     

受主杂质Mn对（Ba,Pb）TiO3系高温PTC热敏陶瓷的影响

本文研究了(Ba,Pb)TiO_3系高温PTC半导体陶瓷中半导化与其烧结工艺、铅空位、钡空位和施、受主杂质等相互之间的关系。着重分析讨论了引入受主杂质Mn对材料的半导化的影响,并采用复合缺陷模型自洽地解释了实验现象。     

锶掺杂对钛酸镧钡陶瓷结构相变和拉曼电荷效应的影响

采用X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(RS)技术调查了(Ba0.97-x La0.03Sr x)Ti0.9925O3(x=0.015-0.2)陶瓷的结构特征.结果表明:当x≤0.1时,晶体维持在四方结构,当Sr含量增加到0.2时,晶体由四方相变为伪立方相.伴随着结构相变,Sr掺杂对(Ba0.97La0.03)Ti0.9925O3陶瓷的拉曼电荷效应产生影响.     

温度效应对钙质砂体积应变和固结特性的影响

为了探究温度变化引起钙质砂体积应变的作用机制,在不同温度和围压下对南海钙质砂进行温控三轴试验,并与石英砂试验进行对比. 研究表明：升温引起相对密实度为70%的钙质砂和石英砂产生压缩体积应变;升温引起的钙质砂热体积应变远大于石英砂,且钙质砂热体积应变对围压的敏感性远强于石英砂;在围压较大时,升温引起的钙质砂热体积应变明显增加且体积应变发展模式显著改变. 利用温控固结仪研究不同温度下钙质砂和石英砂的固结特性. 研究表明：随温度升高,2种砂在e-lg p面内的压缩曲线先向上移再下移,直线段的斜率先减小后增大,但达到固结稳定的时间均提前;不同于石英砂,在45~75°C下,升温导致钙质砂的固结压缩量显著增加,远超常温水平,这是因为由筛分试验发现,随温度增加,钙质砂颗粒破碎程度增大,导致其在高温固结时的压缩量增大.     

轴向热传导和入口效应对圆形微通道对流换热特性的影响

提出了一种考虑轴向热传导、速度滑移、温度跳跃和入口效应情况下圆形微通道能量方程的求解方法．运用分离变量法将能量方程转化为本征值问题,再通过温度跳跃边界条件求解得到了本征值,由本征函数的正交性确定了能量方程的完备解的待定常数,给出了流体温度场和努塞尔数的计算表达式．对圆形微通道换热特性进行了数值仿真,结果表明,轴向热传导和入口效应增加了入口处的局部努塞尔数,速度滑移系数越小,局部努塞尔努塞尔数的渐进值越大．     

Cu掺杂对 Fe/Si多层膜的层间耦合和负磁电阻效应的影响

研究了Cu掺杂对Fe/Si多层膜的层间耦合和负磁电阻效应的影响。在用磁控溅射方法制备的Fe/Si多层膜中,发现在Si的标称厚度tSi =1.9nm附近存在一较强的反铁磁耦合（AFM）峰和与之相对应的负磁电阻峰,在Si层中掺入6％的Cu后,发现反铁磁耦合峰的饱和场显著降低,峰宽变窄,峰位略向较厚方向移动。掺杂后磁电阻峰的宽和峰位变化与AFM峰相似,而磁电阻峰值则略有下降,在液氮温度T＝77K下,掺杂前后具有负磁电阻效应的多层膜样品阻率都降低,而磁电阻效应和饱和场均增大,实验结果表明,用磁控溅射方法制备的Fe/Si多层的层间耦合机制和磁电阻效应的机制与磁性金属／非磁金属多层膜的层间耦合及磁电阻效应的机制是一致的。