半导体工业用石英玻璃和6H碳化硅微粉的技术创新与质量水平评价

本文对硅单晶、人工晶体及石英玻璃线切割用高质量6H—SiC微粉的最新研究成果和创新作了论述和评价。对半导体工业用高质量石英玻璃的工艺创新作了论述和评价，并对这两种材料的国内外产品性能进行了对比。     

用低纯碳化硅微粉烧结碳化硅陶瓷

用工业尾料低纯W3.5 μm SiC微粉为原料,在N2保护下烧结碳化硅(SiC)陶瓷.研究了低纯SiC微粉中杂质对SiC陶瓷力学性能的影响,对比了微粉提纯后材料的性能与结构.通过扫描电镜、金相显微镜分析材料的显微结构.结果表明:微粉杂质中SiO2、金属氧化物在SiC烧结温度下的放气反应是影响陶瓷材料力学性能的主要因素.由低纯SiC粉制得的材料的烧结密度达到(3.15±0.01)g/cm3,抗折强度达到(441±10)MPa.     

碳化硅微粉中除铁方法的研究

本文主要研究了除去碳化硅微粉中Fe2O3的方法及最佳条件。     

碳化硅微粉中除铁工艺的改进

讨论和改进了中位径为0.5μm的碳化硅微粉的除铁工艺,结果显示,经该工艺处理的碳化硅微粉的含铁量可以达到0.02％.     

湿法制备超细粒碳化硅微粉试验研究

某特种陶瓷对原料要求平均粒度达到亚微米级,对原料中杂质铁含量要求也较高,以干式气流粉碎物料为试验样品.通过选矿和化学处理除铁,提纯后的产品利用湿式高速搅拌磨机超细磨,高速卧螺离心分级机分级,过滤、真空干燥得到特种陶瓷用碳化硅微粉.     

金属微粉对碳化硅材料性能的影响

借鉴“塑性相成型的原理”,在纯碳化硅材料中加入不同质量百分比的金属硅粉、铝粉,研究了硅、铝粉加入后对纯碳化硅材料的成型性能以及烧后试样的体积密度、显气孔率、常温抗折强度的影响。结果表明:在纯碳化硅材料中分别加入硅、铝粉之后,由于金属的延展性,在成型过程中有利的填充了碳化硅颗粒间的空隙,使得干坯更加致密。在烧结过程中,少量的金属颗粒起到烧结助剂的作用,在高温烧结过程中形成液相,充填在关键的碳化硅间隙,使其通过液相烧结成致密体。     

日本研制出高纯度碳化硅晶体

日本丰田中央研发实验室开发出一种纯度极高的碳化硅晶体，制成的半导体可大幅提高电子设备的效率。日本科学家采取特殊方式分阶段培育碳化硅晶体。在每一阶段，研究人员将晶体的生长控制在最干净的表面上。热碳化硅的蒸气逐渐沉积，当晶体边缘扩展到7cm时，上面的沟道就逐渐消失了。研究人员报告指出，这种方法培育出的晶体沟道数量只有传统方式培育出的沟道的1％。碳化硅半导体的     

碳化硅微粉中去除硅和二氧化硅工艺的研究

本文主要研究了除去碳化硅微粉中硅和二氧化硅的方法及最佳工艺条件.     

用SiO2微粉制备碳化硅粉体的研究

为回收利用SiO2微粉,探究了以SiO2微粉为原料通过碳热还原法制备碳化硅粉体的最佳工艺条件;研究了分别以石油焦、活性炭和石墨粉为还原剂对冶炼效果的影响。在最佳碳质还原剂的基础上,研究了不同配碳比(还原剂与SiO2微粉的质量比为1∶3.5、1∶3、1∶2.5、1∶2、1∶1.5)和不同冶炼时间(15、30、45、60 min)对冶炼效果的影响。结果表明:石油焦、活性炭、石墨粉3种碳质还原剂中,石油焦的冶炼效果最佳;将石油焦与原料SiO2微粉以质量比1∶2进行混合,在中频感应炉中以1650℃冶炼45 min为最佳冶炼工艺条件;以此能够得到晶粒生长较好、品质较高的碳化硅粉体,碳化硅含量高达93.50%(w)。     

KDP晶体金刚石线锯切入方向的研究

KDP晶体具有强烈的各向异性,为了使锯切时锯丝的偏移量较小,获得好的切片表面质量,本文对金刚石线锯切入方向进行了研究.锯丝两边材料去除率差异性的变化是导致锯丝偏移量变化的重要因素,因此本文基于保持锯切时锯丝两边材料去除率差异性最小的原则,分析得出:锯切(001)晶面时,锯丝切入方向的改变不影响锯丝偏移量的大小,锯切二倍频晶面时选择[110]、[-1-10]晶向、锯切三倍频晶面时选择[100]、[-100]晶向,此时锯丝两边材料去除率差异性最小.该线锯切入方向的提出对于KDP晶体的线锯切片技术的研究具有重要的意义.     

New manufacturing process for nanometric SiC

Nanometric β-SiC powder was prepared by carbothermal reduction of freeze-dried gel. Initially, the gel was obtained by polycondensation of sol consisting of resorcinol and formaldehyde as a source of C and tetraethoxysilane as a source of silicon. The effect of temperature and time of heat treatment (carbothermal reduction) as well as the effect of C/Si ratio on SiC powder properties was studied. It was possible to obtain nanosized (～20 nm) β-SiC powder after one-hour heat treatment at relatively low temperature of 1200 °C. The powder was successfully synthesised without the need for excess carbon which is typical for conventional carbothermal reduction using some other sources of graphite. The increase in temperature of heat treatment to 1400 °C caused considerable growth of SiC particles up to 400 nm. It was found that prolonged heat treatment at 1200 °C is an effective way to obtain well crystallized SiC and keep the size of SiC particles below 50 nm at the same time.     

新型流变材料和发泡木纹技术在专利产品新型装饰线槽上的应用

着重从新型流变材料及结皮发泡仿木纹技术等在新型装饰线槽专利产品上的应用，论述了该产品的技术创新性和广泛的实用价值。     

以多晶硅线切割废料为主要原料制备碳化硅陶瓷的研究

以多晶硅线切割废料为主要原料、添加适量碳化硅粉,经1420℃真空烧制获得了碳化硅陶瓷材料.研究了碳化硅粉加入量对碳化硅陶瓷制品体积密度、气孔率和抗折强度等性能的影响.研究结果表明:随碳化硅粉添加量的增加,材料的气孔率逐渐增大、体积密度和抗折强度则呈现先增大后变小的趋势;当碳化硅粉的加入量为10wt％时,试样的体积密度达到最大值2.25g/cm3,抗折强度达到最大值99.8 MPa.     

新型自粘电磁线漆的研制

以偏苯三酸酐和二苯基甲烷二异氰酸酯为原料,N-甲基吡咯烷酮为溶剂,控制反应温度、时间、反应进程、聚合度,适时添加各种助剂,制备性能优良的耐高温聚酰胺酰亚胺自粘电磁线漆。     

Experimental Investigation for Performance Study of Wire Electrochemical Spark Cutting of Silica Epoxy Nanocomposites

Purpose

Polymer Nanocomposites are advanced engineering composites with enhanced properties. These materials play a central role in various industrial sectors. The growing awareness of the key parameters (which influence the physical properties) with different combination of matrix-reinforcement, are making them more attractive in various applications. Machining of these materials is a challenging task for engineers with their properties (hardness and brittleness) due to various combinations of matrix-reinforcement. Therefore, the aim of present work is to investigate the machining behaviour of Silicon Dioxide (silica) Epoxy Nanocomposite due to straight cutting by using Wire Electrochemical Spark Cutting (WECSC) process.

Method

A specific number of experiments were conducted based on one parameter at-a-time approach to study the effect of influencing input parameters.

Result

The effect of various process parameters namely voltage supply, electrolyte concentration, wire velocity, pulse-on time and silica particle concentration (Cp) such as 3%, 4% and 5% (weight percent) on performance measures such as material removal rate (MRR) and surface roughness were demonstrated experimentally.

Conclusion

WECSC has been found effective technique for cutting of Silicon Dioxide Epoxy Nanocomposite. It is reported that MRR increases with decrease in silica particle concentration in Silicon Dioxide Epoxy Nanocomposite.

     

光伏硅线切割固体废料制备多孔SiC陶瓷

以光伏硅线切割固体废料为主要原料,外加胶体石墨粉和碳化硅粉采用固相烧结法制备SiC多孔陶瓷。研究了烧成制度、石墨的加入量等对SiC多孔陶瓷性能的影响。结果表明:采用炭黑埋烧工艺可得到性能较好的多孔SiC陶瓷。在1400℃时,切割回收废料直接炭黑填埋烧制,试样的体积密度为1.65g/cm3,吸水率为26.92%,显气孔率43.96%;在1600℃时,当配方中加入石墨,使得Si和C的摩尔比为1∶6时,试样的吸水率为15.65%,体积密度为1.84g/cm3,显气孔率为38.25%。     

小电流接地系统消弧消谐选线新技术

中压电网发展很快，单相弧光接地的危害性受到了人们的普遍关注。采用新型消弧消谐选线装置，可以有效扼制其危害性，同时还带来一系列的优点，经过实际运行已经证实具有很高的运行可靠性。     

核用SiCf/SiC复合材料研究进展

核用SiC_f/SiC复合材料是国际上材料研究的一个热点,本文简要介绍了SiC_f/SiC复合材料的制备工艺,重点综述了SiC_f/SiC复合材料的抗辐照性能和耐腐蚀性能等方面的研究成果,详细介绍了SiC_f/SiC复合材料燃料包壳管的研究进展,并对核用SiC_f/SiC复合材料研究中需要关注的重点问题提出了几点思考。