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相似文献
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1.
本文采用简单实用的自适应控制技术,设计了用于cdma2000 1X系统的正向前馈线性功率放大器.输出功率大于20W(43dBm),双音IMD3低于-50dBc,cdma20001X信号测试ACPR低于-51dB·±750kHz.  相似文献   

2.
cdma2000 1X系统正向前馈线性功率放大器设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文采用简单实用的自适应控制技术 ,设计了用于cdma2 0 0 0 1X系统的正向前馈线性功率放大器。输出功率大于 2 0W ( 4 3dBm) ,双音IMD3 低于 - 5 0dBc ,cdma2 0 0 0 1X信号测试ACPR低于 - 5 1dB @± 75 0kHz。  相似文献   

3.
朱晓维 《无线通信技术》2003,12(2):53-55,62
本文采用简单实用的自适应控制技术,设计了用于cdma2000 lX系统的正向前馈线性功率放大器。输出功率大于20W(43dBm),双音IMD3低于—50dBc,cdma2000 1X信号测试ACPR低于—51dB@±750kHz。  相似文献   

4.
对非对称Doherty功率放大器(ADPA)的特性进行了研究。峰管采用更高功率的LDMOS管,用非对称负载调制理论做功率匹配,提高了功率放大器的平均效率和峰值输出功率。对功率放大器记忆效应进行了研究,介绍了多种减小记忆效应的方法。用ADS软件分别仿真了对称和非对称Doherty功率放大器,最后采用了100 W和140 W的LDMOS功率管进行实验验证。测试结果表明:2.62 GHz单载波W-CDMA信号平均输出功率为47.5 dBm,峰值输出功率为55dBm,功率附加效率(PAE)为41%,经数字预失真(DPD)校正后,近端(5 MHz)临信道泄漏比(ACLR)达到-60 dBc以下,完全达到系统要求的指标。  相似文献   

5.
针对5G通信微基站,提出一种基于GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺,芯片面积为1.3 mm×1.4 mm的高线性宽带宽的射频功率放大器。该放大器采用了异相功率合成方式和J类输出匹配的方法,在两路功率放大器的输入输出端引入了90°相移以及J类模式确定最佳负载阻抗,以此实现高线性宽带宽的特性。在5 V电源和2.85 V偏置电压下,室温条件下测试结果表明,该功率放大器在2~3 GHz频带内,小信号增益为36±0.5 dB。然而在2.4~2.8 GHz频带内,该功率合成结构的功率放大器拥有饱和输出功率大于36 dBm,功率附加效率大于38%。在5G-NR,带宽100 MHz和4G-LTE、带宽20 MHz的调制信号下,在2.4~2.8 GHz工作频带测试,放大器的输出功率为22 dBm,邻近信道功率比(ACPR)约为-43 dBc。  相似文献   

6.
设计了一个工作在800~1250MHz的宽带线性高功率放大器.用负载牵引方法测试了LDMOS场效应管宽带内的大信号阻抗参数,利用测得的阻抗参数优化设计了功放的匹配电路.实测功放的1dB压缩点输出功率大于44.5dBm,二次谐波小于-25dBc,输出功率为38.5dBm时双音测试三阶交调(IM3)优于-44dBc.  相似文献   

7.
张玉柱  张远见 《移动通信》2011,35(18):54-56
文章介绍了Doheny功放的基本原理,设计并实现了1880MHz-2025MHz(TD—F+A频段)频段的Doherty功率放大器。实测结果表明,以TD单载波为测试信号源,在最大输出功率回退9.0dB的情况下,其漏极效率达到35%以上。未加DPD时的ACPR小于-29.7dBm,完全满足要求。  相似文献   

8.
前馈线性化功率放大器设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
廖亮  褚庆昕 《电子科技》2005,(8):6-8,13
采用自适应结合查表控制的前馈技术,设计了用于CDMA2000的超线性功率放大器.在连续波输出功率达到45dBm时,双音IMD3低于-62dBc,用CDMA2000信号测试,其ACPR分别低于-54dB@750kHz和-71dB@1.98MHz.  相似文献   

9.
针对WiFi 6的设备需求,设计了一款工作在5.15 GHz~5.85 GHz的高线性度砷化镓异质结双极型晶体管射频功率放大器。为了保证大信号和高温下功率管静态工作点的稳定性,采用了一种新型有源自适应偏置电路。对射频功率检测电路进行了设计和改进,有效降低了射频系统的功耗。针对各次谐波分量产生的影响,对输出匹配网络进行了优化。仿真结果表明:该射频功率放大器芯片小信号增益达到了32.6 dB;在中心频率5.5 GHz时1 dB压缩点功率为30.4 dBm,功率附加效率超过27.9%;输出功率为26 dBm时,三阶交调失真低于-40 dBc。实测数据表明:小信号增益大于31.4 dB;5.5 GHz时1 dB压缩点功率为29.06 dBm;输出功率为26 dBm时,三阶交调失真低于-30 dBc。当输出功率为20 dBm时,二次三次谐波抑制到-30 dBc和-45 dBc。  相似文献   

10.
针对5G移动通信系统n1,n2,n40和n41频段,基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)工艺,设计了一款工作在1.8~2.7 GHz的宽带高增益功率放大器。该功放采用并联式负反馈的三级放大结构。为了拓展电路的工作带宽,一方面,第二、三级级间匹配采用片上变压器,并将单端信号转换为差分信号;另一方面,输出匹配网络采用片外变压器,实现阻抗变换和功率合成。实测结果表明,室温下所实现的宽带功率放大器在1.8~2.7 GHz全频段内小信号增益不小于32 dB,饱和输出功率大于31.9 dBm,饱和工作效率大于28%。输入4G-LTE 20 MHz的调制信号,当放大器的输出功率为22 dBm时,全工作频段邻近信道功率比(Adjacent Channel Power Ratio, ACPR)小于-39 dBc。1 dB压缩点输出功率在1.9,2.3和2.6 GHz三个工作频点实测均大于30.7 dBm。  相似文献   

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