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软磁薄膜高频巨磁阻抗效应的理论模型 总被引:12,自引:0,他引:12
利用修正的Landau-Lifshitz-Gillert方程,对横向单轴磁各向异性软磁薄膜在高频下的有效横向磁导率做了理论推导,从而得到了关于薄膜高频阻抗的理论表达式,并与其它理论结果作了比较。结果表明,给出的有效横向磁导率表达式与其它理论结果一致。详细讨论了小尺寸薄膜中退磁场对共振频率的影响,理论计算与结果相符合。 相似文献
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利用修正的Landau-Lifshitz-Gilbert方程,对横向单轴磁各向异性软磁薄膜在高频下的有效横向磁导率做了理论推导,从而得到了关于薄膜高频阻抗的理论表达式,并与其它理论结果作了比较。结果表明,给出的有效横向磁导率表达式与其它理论结果一致。详细讨论了小尺寸薄膜中退磁场对共振频率的影响,理论计算与实验结果相符合。 相似文献
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设计了一种十字架金属微结构的太赫兹波吸收器,其结构是将金属十字架置于硅基体之上,基体的背面再覆盖一层金属,以此为单元结构经周期排列组成.针对该太赫兹波吸收器提出了一种等效电路分析模型,通过仿真和加工测试证实了该吸收器的中心吸收频率位于0.571THz,吸收率为99.6%,反射率为0.38%,透过率为0,吸收带宽为29GHz.等效电路模型计算结果与测试结果相吻合.结果表明,提出的等效电路模型分析方法是简单有效的,从而为今后太赫兹波器件的研究提供了一种很好的思路. 相似文献
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本文根据散射矩阵方法模拟等离子体并建立了非均匀等离子体理论模型,并在此基础上计算了0.1 THz^10 THz频段的全波段太赫兹波在其中的传输特性。根据介质阻挡放电原理在实验室环境下搭建等离子体射流产生装置并产生非均匀等离子体,进行了太赫兹时域光谱(THz-TDS)以及宽带太赫兹源在等离子体中的透射光谱测量以及太赫兹波对等离子体遮挡下目标物的反射成像的试验。理论和实验结果均表明,较高频太赫兹波在等离子体中有良好的穿透性,这为太赫兹波在黑障区的通信以及雷达探测应用打下研究基础。 相似文献
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应力生长FeCoSiB非晶薄膜的磁各向异性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用应力生长方法,制备出受压应力和张应力作用的FeCoSiB非晶磁弹性薄膜,研究了薄膜中的应变大小对FeCoSiB薄膜的磁滞回线、剩磁、应力诱导各向异性场等磁特性的影响.结果表明,无应变薄膜在薄膜面内呈现各向同性,而有应变的薄膜呈现出明显的各向异性。张应力诱导的各向异性与应力方向平行,而压应力形成垂直于应力方向的磁各向异性。各向异性场随应变的增大而线性增大。 相似文献
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由于太赫兹波和薄膜样品的相互作用长度太短,其引起的测量信号相对于参考信号的改变很可能被系统噪声所掩盖。为了解决太赫兹时域光谱测量液体薄膜样品的测量准确性和可靠性评价问题,该文利用不确定度分析理论,从幅值变化和相位变化推导太赫兹测量薄膜液体样品有可信结果的样品厚度临界值模型,从而确定保证测量结果可靠性的临界判据,也就是能够被太赫兹透射式系统探测到的最小薄膜厚度。分析中考虑了在样品-载体交界面的菲涅尔透射、样品中的FabryPérot反射以及在太赫兹波在薄膜样品中的透射影响。该判据可以用来确定一个太赫兹系统的性能是否足够可靠地测量特定厚度的薄膜液体样品。 相似文献
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设计了一种基于微带方形开口环结构的太赫兹波吸收器,它由顶层方形开口环、中间电介质层基体和底层金属板组成.提出一种等效电路模型,利用该模型完成了对太赫兹波吸收器的设计、加工与测试.研究结果表明,吸收器在0.575THz处吸收率高达0.993.通过对器件的物理尺寸及材料参数的灵活调节,经优化设计即可实现对不同频率入射电磁波的高吸收.该吸收器具有结构简单、体积小、吸收率高等优点,有望在频谱成像、热辐射探测等应用中发挥重要作用. 相似文献
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电镀高饱和磁感应(Bs)CoNiFe软磁薄膜研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了电沉积 CoNiFe 合金薄膜镀液中主盐离子浓度对膜层磁性能的影响。用振动样品磁强计(VSM)和四探针等方法测试分析了膜层的物理性能。结果表明膜层的物理性能与合金镀液中的主盐离子浓度密切相关,镀液中Ni2 、Fe2 、Co2 浓度分别为0.2、0.012和0.063mol/L时,电沉积的 CoNiFe合金膜层的电磁性能较佳。其饱和磁化强度 Bs 达 1.9T,矫顽力Hc 为91.5A/m,电阻率为45μΩ·cm,在 1MHz下磁导率μi 为602。 相似文献
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Fe-36%Ni软磁合金电沉积条件的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用电沉积法制备Fe-36%Ni软磁合金薄膜,通过正交实验方法研究了Fe2 /Ni2 摩尔比、镀液pH值、电流密度、镀液温度与合金中铁含量的关系,用极差法分析了各工艺参数对Fe-Ni合金薄膜成分影响的显著性,并确定了最佳工艺条件.优化验证实验结果表明,所得合金薄膜光亮、致密、外观平整,合金薄膜中Fe含量为64.99%(质量分数),Ni含量为35.01%(质量分数),其饱和磁通密度(Bs)0.84T,剩余磁通密度(Br)0.27T,矫顽力(Hc)65A/m. 相似文献
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利用磁力显微镜(MFM)对TbFe磁性薄膜进行了不同抬举距离(分别为60~780nm)的磁力成像研究.在实验中,比较了低抬举距离(100nm以下)磁力像中样品-针尖的互相干扰;同时发现在高抬举距离磁力像中,随着抬举距离的增大,出现了与高凸起形貌对应的图像衬度特征,并随抬举距离的变化也改变着位置与强度,一直到抬举距离为仪器的极限值780nm时,形貌干扰仍未消失,对其形成机制进行了分析. 相似文献
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研究了磷化工艺对铁基软磁复合材料电磁性能的影响。XRD、SEM、EDS分析和元素面分布结果表明,合适的磷化工艺能在铁粉表面生成1层很薄的非晶或纳米晶结构磷酸盐,并且包覆完整均匀。磁性能测量结果表明,室温条件下用0.01g/mL磷酸对铁粉进行磷化30min,所得到的磷化铁粉磁芯具有优异的综合电磁性能。随着磷酸浓度的增大,磷化时间的增长和磷化温度的提高,软磁复合材料磁芯的电阻率增大,中高频磁损耗不断降低,同时磁导率也有一定程度的降低。 相似文献
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All-optical logic gates based on photoinduced anisotropy of bacteriorhodopsin (BR) film are proposed. The photoinduced anisotropy in BR film, which arises from the selective absorption of BR molecules to polarized light, can be controlled by changing the amplitudes and polarizations of exiting beams. As a consequence, the polarization of the probe light passing through the BR film can be controlled by the polarization of the exiting beam. Based on this property, a novel scheme of all-optical logic gates, such as AND, OR, XOR and NOT, has been implemented via the pump-probe technique. A theoretical model for the all-optical logic gates is proposed, and the theoretical predictions are demonstrated with the experimental results. 相似文献
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采用气雾化制粉技术并结合模压成形方法制备xTi/Fe-3Si-0.5Al-2Ni(x=0,1,2)软磁复合材料,通过XRD、SEM、综合物性测量系统(PPMS)以及软磁交流测量仪等装置表征和分析了合金粉末的相结构、形貌、磁特性及Ti/Fe-3Si-0.5Al-2Ni软磁复合材料的磁性能,探讨了Ti元素掺杂对合金粉末居里温度、饱和磁化强度等性能的影响,并着重研究了Ti元素添加对Ti/Fe-3Si-0.5Al-2Ni软磁复合材料有效磁导率、功率损耗、矫顽力等动态磁学特性的影响。结果表明:气雾化合金粉末只存在单一的α-Fe(Si)固溶相,球形度高;Ti元素的掺杂可提高粉末居里温度,但饱和磁化强度有小幅度的弱化;另外,随着Ti元素含量的增加,Ti/Fe-3Si-0.5Al-2Ni软磁复合材料有效磁导率升高,而功率损耗和矫顽力降低,当Ti元素含量为2wt%时,软磁复合材料获得较佳的综合磁性能。 相似文献