一种DC-DC全区间分段线性斜坡补偿电路设计

为了防止亚谐波振荡以及提高系统的稳定性和带载能力,设计了一种伞区间分段线性斜坡补偿电路.与传统的设计方法相比,该电路在-40～85℃下提供的补偿信号在不同的占空比区间内具有不同的斜率,对三个占空比区间进行分段线性斜坡补偿,有效减小了斜坡补偿对系统带载能力、瞬态响应的负面影响,极大地改善了系统的稳定性和带载能力.采用此电路的一款电流模PWM升压型DC-DC已在UMC 0.6μm-BCD工艺线投片,测试结果证明分段线性斜坡补偿电路性能良好,带载能力提高了20%.分段线性斜坡补偿电路芯片面积为0.01mm2,静态电流消耗仅为8μA,芯片效率高达93%.     

一种DC-DC全区间分段线性斜坡补偿电路设计

为了防止亚谐波振荡以及提高系统的稳定性和带载能力,设计了一种伞区间分段线性斜坡补偿电路.与传统的设计方法相比,该电路在-40～85℃下提供的补偿信号在不同的占空比区间内具有不同的斜率,对三个占空比区间进行分段线性斜坡补偿,有效减小了斜坡补偿对系统带载能力、瞬态响应的负面影响,极大地改善了系统的稳定性和带载能力.采用此电路的一款电流模PWM升压型DC-DC已在UMC 0.6μm-BCD工艺线投片,测试结果证明分段线性斜坡补偿电路性能良好,带载能力提高了20%.分段线性斜坡补偿电路芯片面积为0.01mm2,静态电流消耗仅为8μA,芯片效率高达93%.     

采用分段线性补偿的基准电流源设计

介绍了一种高精度基准电流源.首先设计出不同温度系数的电流IPATA和IVBE的产生电路,然后分析线性补偿的基本原理,通过电流的减法运算,在整个温度范围内分两段产生不同的补偿电流INL,并完成对电流IPATA的分段线性补偿,从而获得温度系数较低的带隙基准电流源.仿真结果表明:在-42℃～120℃的温度范围内,该电路输出基准电流的温度系数小于10-5/℃.     

带温度补偿的Ka波段CMOS堆叠功率放大器设计

介绍了一款基于55 nm CMOS工艺,带温度补偿电路的Ka波段堆叠高效功率放大器（power amplifier,PA）.采用了一种新型的针对晶体管堆叠结构的温度补偿电路,该补偿电路由两个二极管和四个电阻组成,结构简单,易于实现.通过调整堆叠放大器各个栅极偏置电路中的电压,使得PA随温度变化的增益和输出功率得到有效补偿,增强了电路的可靠性和热稳定性.基于Agilent ADS软件的版图仿真结果显示:电路的最大输出功率为20.1 dBm,频带内功率附加效率（power additional efficiency,PAE）为20%~30%,大信号功率-1 dB带宽为15 GHz（46%）.在-40℃到125℃的温度范围内,采用新型温补偏置电路与传统偏置电路相比,小信号增益的温度波动从2.2 dB改善到0.1 dB,显著提高了功放的热稳定性,证明了所提出的温度补偿电路对于在宽温度范围内校正功率放大器增益变化的有效性.     

InGaP/GaAs HBT射频功率放大器在片温度补偿电路研究

本文针对无线通信应用的InGaP/GaAs HBT射频功率放大器,提出一种新型的在片温度补偿电路。该温度补偿电路由一个GaAs HBT和五个阻值大小不同的电阻组成,结构简单,可实现性强。通过调整偏置电路中参考电压的方法调节功率放大器静态偏置电流,有效地实现补偿功率放大器功率增益和输出功率随温度变化的特性,优化了射频功率放大器的热特性,性能随温度只有略微的退化。将该温度补偿电路置入一个无线通信应用的三级单片集成功率放大器,温度在-20℃到＋80℃范围内变化时,增益随温度变化的变化量从4.3dB提高到只有1.1dB。     

一种应用于功率放大器的高精度温度补偿电路设计

提出一种应用于功率放大器的高精度温度补偿电路,采用硅二极管与电阻串并联的方法实现功率放大器的温度补偿,保证功率放大器在不同温度下均可以正常稳定地工作,且电路结构简单、易于调试。应用PCB板实现了具有温度补偿的功率放大器电路,测试结果表明在-40~80℃的温度范围内,功率放大器的静态电流只有3.8%的变化。因此该方法可以实现在较宽的温度范围内对功率放大器进行有效的高精度温度补偿,可以广泛应用于功率放大器、特别是对温度补偿量要求较高的功率放大器及大功率放大器的设计中。     

一种高温度性能的CMOS带隙基准源

提出了一种正负温度系数电流产生电路,使用分段线性温度补偿技术用于传统的电流模式基准电路中,改善CMOS带隙基准电路在宽温度范围内的温度漂移.采用0.18μm CMOS混合信号工艺,对该电路进行了设计.在1.8V的电源电压条件下,基准输出电压为0.801 V,温度系数在-40℃-125℃范围内可达到2.7ppm/℃,电源电压从1.5V变化到3.3V的情况下,带隙基准的输入电压调整率为1.2mV/V.     

一种带有分段补偿电路的高阶基准源设计

基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种带分段曲率补偿的低温度系数的高阶带隙基准电压源。首先设计了传统一阶带隙基准,温度系数最低可以达到13×10^-6/℃。在传统一阶带隙基准电压源的基础上,加入低功耗的分段补偿电路实现了高阶补偿,在显著降低了温度系数的同时,实现了低功耗,并且可以实现一阶、高阶基准电压的可控制输出。仿真结果显示,在-40～125℃温度范围内,温度系数最低可以达到3.5×10^-6/℃,比一阶基准降低约73%,线性调整率为0.08%,PSRR在1000 Hz可以达到-61 dB,静态电流为4.7μA。高阶基准源电路在实现低温度系数的同时兼顾了较低功耗,在同类型电路中具有明显优势。     

基于电流模式的分段补偿电压基准源

设计了一种基于电流模式的电压基准源,基准电压值可灵活调节,范围达几百毫伏到几伏.提出了一种实现形式简单、可扩展性强的新型分段补偿电流产生电路.在-40℃～135℃温度范围内,加入一路分段补偿电流能使电压基准源的温度系数从3×10-5/℃降为2.8×10-6/℃;加入两路补偿电流,得到的温度系数为6×10-7/℃.分段补偿电流对电压基准源的温度特性提升效果明显.     

一种基于0.5μmCMOS工艺的补偿型电流控制振荡器设计

提出了一种基于比较器的CMOS电流控制振荡器电路,该振荡器采用偏置电流对电容充放电,产生精准锯齿波,比较器及后续电路产生时序方波作为比较器输入,从而产生周期振荡.自偏置电路利用电阻和PNP管相反的温度系数产生PTAT、NTAT两路电流,叠加得到一路与温度无关的基准电流、实现了温度补偿;高摆幅共源共栅电流镜结构具有高PSRR实现了电源电压补偿.本设计采用0.5 μmCMOS工艺,典型情况下,振荡器频率为1.224 MHz,占空比为50%,通过spectre仿真结果表明:该振荡器在3.3 V～5 V的工作电压下、-40～120℃温度范围内都具有较好的工作频率.