基于电阻网络修调的高精度基准源

针对高精度集成电路系统,工艺条件导致的误差需要通过修调弥补。基于 0.18 μm CMOS 工艺设计了一种针对片上基准源的修调电路,通过调整数字输入信号,对电阻网络修调电路进行控制,通过重配置输出级电阻比例,从而达到对基准源电压的调整。基准源采用改进的 Neuteboom 带隙电路,在 5 V 电源电压的工艺条件下进行仿真测试,在-40～125 ℃温度范围内,实现了 2.98×10^-6/℃的温度系数。通过电阻网络修调的基准电压变化范围为 2.3840～2.5154 V,电压修调步长为 2 m V。     

一种可修调的高精度低温漂带隙基准电压源

设计了一种可修调的高精度、低温漂、高电源电压抑制比的高阶温度补偿带隙基准电压源。在Brokaw型带隙基准电路结构的基础上,采用多晶硅电阻负温度系数补偿技术,可实现2阶曲率温度补偿,减小了基准电压的温漂;设计了电阻修调网络,保证了基准电压的高精度。电路基于标准双极工艺进行设计和制造,测试结果表明:在－55 ℃~125 ℃温度范围内,15 V电源电压下,基准源输出电压为2.5(1±0.24%) V,温度系数为1.2×10－5/℃,低频时的电源电压抑制比为－102 dB,静态电流为1 mA,重载时输出电流能力为10 mA。     

一种带有温漂修调的二阶曲率补偿基准源电路

提出了一种带有温漂修调电路的二阶曲率补偿带隙基准电压源。采用VBE线性化补偿原理,通过在特定支路上产生二阶正温度系数电流来补偿VBE的二阶负温度系数项,从而大大提高了基准电压的温漂特性。另外,设计了电阻修调电路,简化了修调方式,降低了设计难度和设计成本,并且保证了基准电压的高精度。电路基于TSMC 0.18μm BCD工艺设计,使用Cadence Spectre对电路进行仿真验证,仿真结果表明,在3.3 V电源电压下,基准输出电压约为1.22 V,在-55～125℃温度范围内,温度系数为3.02×10~(-6)/℃,低频时电源电压抑制比为-51.21 dB。     

一种带有数字修调的高精度带隙基准电路

采用一种具有较高固有精度的带隙核心结构,设计了一种应用于开关电源芯片的带数字修调的高精度带隙基准电路。通过对传统Brokaw基准结构进行改进,提出了一种新型的带隙基准核心电路,使得由于失配导致的基准电压变化从6.4 mV减小到3.4 μV,提高了带隙基准的固有精度。基于CSMC 0.5 μm BCD工艺对电路进行仿真,结果表明,在－40 ℃~120 ℃的温度范围内,基准的温度系数为5.2×10－6/℃,电源抑制比分别为－167.5 dB@dc,－89.6 dB@1 MHz。     

一种低压新型曲率补偿基准电压源设计

基于Chrt0.35 μmCMOS工艺,设计了一种基于亚阈值工作区的一阶温度补偿和I²_PTAT电路组成的带隙基准电压源。芯片测试结果表明,电路在1.2 V电源电压下便可工作;在温度-20~120 ℃范围内,基准电压源平均温度系数＜2×10^-6/℃。该带隙基准源具有良好的可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。     

适用于片内集成的可修调低失调LDO

提出了一种新型可修调低失调LDO电路,该电路适于片内集成应用.现有的修调方法一般直接作用在反馈网络中,修调电路的自身失调会造成修调精度损失.本文提出一种失调隔离模块,以大大减小修调电路引入的误差.仿真结果表明,在修调电路发生10％的电流失调时,输出电压仅变化0.31％,使LDO输出电压的修调获得很好的线性度.     

一种高精度高电源抑制比的带隙基准电压源的设计

设计了一种具有良好稳定性和高精度的带隙基准电压源电路。通过启动电路和提高电源抑制比电路的加入,使得带隙基准电压具有较高的电源电压抑制比和较小的温度系数。HSPICE仿真结果表明,在电源电压V_(DD)=3．3V时,在-55℃～125℃的温度范围内,电路得到一个温度系数仅为17×10~(-6)/℃,电源抑制比(PSRR)为79dB的带隙基准电压输出。     

一种易烧写高可靠的硅化物多晶熔丝修调电路

多晶硅熔丝是一种单次可编程(OTP)的非易失存储单元,常用于集成电路的修调,确保电路在PVT下性能稳定.对传统熔丝修调电路进行了改进,设计了 一种常规修调电压下高可靠的硅化物多晶熔丝修调电路.该电路具有功耗低、易扩展和复用性强等优点.基于0.25μm CMOS工艺流片测试,该电路在3.3 V电压下实现了 14位DAC高...     

宽温范围高温度稳定性曲率互补电压基准设计

针对当前射频系统中电源管理芯片在宽温度范围下对带隙基准稳定性的较高要求,提出了一种新型互补带隙基准电路结构,通过将带隙基准与MOS弱反型区基准的温度系数曲率互补叠加,实现了极宽温度范围内带隙电压基准的高温度稳定性输出.采用0.35 μm CMOS工艺对所设计的电路进行了流片验证,测试结果表明,基准电压源工作电压为5V时,输出基准电压1.28 V,在-55 ～125℃温度范围内,温度系数可达4.5×10-6/℃,频率1 kHz时,电源抑制比(PSRR)可达-60 dB,100 kHz时,PSRR可达-55 dB,电压基准源芯片面积为0.22 mm×0.15 mm.     

用于金融双界面芯片的高精度低功耗稳压电路

金融双界面应用中,LDO(Low-dropout Regulator,低压差线性稳压器)为片内数字电路及主要模拟电路提供电源,高精度LDO可以保证数字电路及主要模拟电路工作状态及功耗稳定.为了提高金融双界面应用中LDO输出电压的精度,提出了一种LDO参考电压上电切换电路.在高压电源下设计一个不精准的BG(Bandgap带隙基准)仅用于启动过程,设计一个高精度BG在LDO的输出电压下工作.上电时,LDO首先使用高压电源域下BG的参考电压,保证整个启动过程顺利完成,同时关断POWER管,使低压工作下的电路不受上电过冲的影响,当LDO及高精度BG完成启动过程之后,将LDO的参考电压切换至高精度BG.测试结果显示,LDO输出电压的随机失调有效减小,由传统结构的±7％左右下降到±3.69％,并且能够减小芯片面积.