33≤Z≤40类氟离子精细结构能级和跃迁波长的相对论多组态Dirac-Fock计算

本文用相对论多组态Dirac-Fock广义平均能级模型计算了可能成为激光工作物质的类氟AsXXV、SeXXVI、BrXXVII、KrXXVIII、RbXXIX、SrXXX、YXXXI和ZrXXXII的2s~2p~5、2e2p~6、2s~22p~43s、2s~2p~43p组态的各30个精细结构能级和54个3s-3p跃迁波长,大部分计算值都是本文首次预言的。     

类氟CoⅪⅩ,NiⅩⅩ,CuⅩⅪ,ZnⅩⅫ,GaⅩⅩⅢ和GeⅩⅪⅤ精细结构能级和跃迁波长的相对论多组态Dirac-Fock计算

本文用相对论多组态Dirac-Fock广义平均能级模型(MCDF-EAL)计算了可能成为激光工作物质的类氟CoⅪⅩ、NiⅩⅩ、CuⅩⅪ、ZnⅩⅫ、GaⅩⅩⅢ和GeⅩⅩⅣ的2s~22p~5、2s2p~6、2s~22p~43s、2s~22p~43p组态的精细结构能级和若干3s-3p组态跃迁波长值。大部份计算值都是本文预言值。     

21≤Z≤26类氟离子精细结构能级和跃迁波长的MCDF计算

本文用相对论多组态Dirac-Fock广义平均能级模型(MCDF-EAL)计算了可能成为激光工作物质的类氟ScXIII、TiXVI、VXV、CrXVI、MnXVII和FeXVIII的2s~2p~5、2s2p~6、2s~22p~43s、2s~22p~43p组态的精细结构能级和若干3s-3p跃迁波长值。预言了一些离子的3p组态能级和3s-3p跃迁波长值。     

58≤Z≤71类氖离子2p~53l能级的相对论多组态Dirac-Fock计算

本文用相对论多组态Dirao-Fook广义平均模型(MCDF-EAL)计算了58≤Z≤71的2P~53s、2P~53p和2P~53d组态的各27条精细结构能级,以及其作为等离子体激光工作物质所可能发射出的激光波长值。     

ThLXXXI、ULXXXIII离子2P~53l组态能级及2P~53l-3l’跃迁波长和振子强度计算

我们使用相对论多组态Dirac-Fock程序计算了ThLXXXI和ULXXXIII离子的2p~53l组态精细结构能级,以及2p~53l-3l′态跃迁波长和振子强度.计算结果表明,ThLXXXI、ULXXXIII离子在激光等离子体中能够产生波长λ<0.3mn软X射线相干辐射.这是天然最重的稳定元素类氖离子2p~53l组态能级跃迁所能产生的最短相干辐射波长值.     

类氖离子AlⅣ－XVI2s~2p~54f，5f能级跃迁的理论研究

类氖离子ＡｌⅣ－ＸＶＩ２ｓ~２ｐ~５４ｆ，５ｆ能级跃迁的理论研究陈宏善，赵仪，董晨钟（西北师范大学物理系，兰州７３００７０）最近，我们用相对论组态相互作用方法详细分析了类氖离子ＡｌⅣ－ＭｎＸＶ２ｓ２ｐ~６３ｌ与２ｓ~２２ｐ~５ｎｌ（ｎ＝４，５，６）之间的?..     

类Be等电子数序列离子(Z=14～17,19,20)与软X射线激光研究有关的能级和振子强度

用多组态HXR自洽场方法和优化Slater径向积分方法相结合计算了类Be离子(Z=14-17,19,20)与软X射线激光研究有关的偶宇称组态2s3d、2s4d,2s5d和奇宇称组态2s3p,2s4f,2s5f的能级值以及这些能级之间的跃迁波长和振子强度。     

Excitation cross sections for some of the states of 2p4-3p configuration of neon and 4p4-5p configuration of krypton

Excitation cross sections for some of the2p^{4} - 3pupper laser states of neon and4p^{4} - 5pstates of krypton have been calculated by assuming a fast electron strips away one of the bound valence electrons of the neutral atom in a very short time compared to the relaxation of the ion. Exact wavefunctions for the upper laser states of neon II and krypton II in terms of pureLSwavefunctions are found.     

Al3+/Eu2+共掺杂高硅氧玻璃的荧光特性

由纳米多孔玻璃制备了Al3+/Eu2+共掺杂的高硅氧玻璃,并研究了在纳米多孔玻璃基质中共掺杂Al3+离子对Eu2+离子450 nm处蓝色荧光强度和荧光峰位的影响。结果表明,共掺杂Al3+离子可分散多孔玻璃中丛聚的Eu2+离子,加之Al2O3较低的声子能量,使Eu2+离子的蓝色荧光发射显著增强;并且由于共掺杂的Al3+降低了Eu2+离子5d轨道劈裂幅度,随着Al3+离子含量的增加,Eu2+离子荧光峰蓝移。     

Tm3+/Ho3+共掺碲酸盐玻璃的中红外发光及能量传递机理

用高温熔融法制备了Tm3+/Ho3+共掺碲酸盐玻璃(TeO2-ZnO-Na2O),根据测量得到的吸收光谱,应用Judd-Ofelt理论计算分析了玻璃样品中Ho3+离子的强度参数Ωt(t=2,4,6)、自发辐射跃迁几率A、荧光分支比β和荧光辐射寿命τrad等各项光谱参数。同时,测量得到了不同Ho3+离子掺杂浓度下玻璃样品的荧光发射谱。结果显示,在808nm抽运光激励下Tm3+/Ho3+共掺碲酸盐玻璃样品发射出较强的2.0μm中红外荧光。分析表明,较强的Ho3+离子中红外荧光来自于Tm3+/Tm3+离子间共振的能量传递过程,以及Tm3+/Ho3+离子间基于零声子和单声子辅助非共振的两部分能量传递过程。由此进一步计算得到了Tm3+/Tm3+、Tm3+/Ho3+离子间的能量传递微观速率、临界半径和声子的贡献。最后,计算分析了Ho3+…5I7→5I8能级间跃迁的2.0μm波段吸收截面、受激发射截面和增益系数。研究表明,Tm3+/Ho3+共掺TeO2-ZnO-Na2O玻璃可以作为2.0μm波段中红外固体激光器的潜在增益基质。     

钼酸盐Na5TbxEu1—x（MoO4）4的发射光谱研究

测定了室温下Ｎａ５ＴｂｘＥｕ１－ｘ（ＭｏＯ４）４的发射光谱。发现随ｘ的增加，Ｔｂ＾３＋离子５４６ｎｍ（＾５Ｄ４→＾７Ｆ５）的荧光发射亦随这增加。同时观察到，当ｘ＞０．７时，发光相对强度变化会出现突变。     

NdP_5O_(14)晶体中Nd~(3+)的4F_(3/2)受激态上粒子数对荧光寿命的影响

研究了室温下 NdP_5O_(14)晶体中 Nd~(3+)的4F_(3/2)态的荧光寿命。观察到高泵浦强度下影响光学增益的荧光双指数衰减曲线。从能量传递过程进行理论分析。简单描述了脉冲若丹明6G 激光器选择泵浦的τ计。     

磷酸银应用于太阳能光催化的研究进展

主要回顾了近年来有关Ag3PO4合成与表征方面的研究进展。通过较全面的综述,使人们对该材料的发展现状有了较为直观的认识。首先,介绍了光催化剂的工作原理、类型、应用以及发展态势等。总结并分析了国内外在Ag3PO4领域较为活跃的研究小组的最新研究成果。其次,简单介绍了Ag3PO4光催化剂的主要合成方法,并比较了这些方法的优劣。最后,展望了Ag3PO4的应用前景,并分析了当前研究中尚待解决的一些问题。并针对其提出了一些改进措施,包括在合成过程中添加表面活性剂以提高产物的比表面积、对产物进行表面包覆以增强稳定性或与TiO2复合以降低成本等。     

亚稳态He（2^3S）原子与N2H4分子传能产物的发光研究

本文在流动余辉装置上,研究了亚稳态H2(2^3S）原子与N2H4分子碰撞传能,观察到了激发态产物NH（A^3п→X^3∑^ ）、NH（c^1п→a^1△）、NH2（A^~A1→X^2△B1)的发射光谱,由相对光谱强度求得了形成各产物的通道比;分析NH（A^3п,v′＝0）的转动分辨谱的结果表明,v′＝0能级上的转动布居是“双模”分布,激光态产物NH（A）、NH2（A）的形成机理可能是：He(2^3S) NH2H4 N2H4→NH2H4^*→NH(A) NH2(A) H。     

CO2laser annealing of Si3N4, Nb2O5, and Ta2O5thin-film optical waveguides to achieve scattering loss reduction

Significant reductions in the optical scattering losses of Si3N4, Nb2O5, and Ta2O5waveguides fabricated on SiO2/Si substrates have been measured following CO2laser annealing. The largest improvements were observed for Si3N4waveguides, where waveguide attenuation values of about 6.0 dB/cm before laser annealing were reduced to as low as 0.1 dB/cm afterwards. An improvement of more than an order of magnitude was obtained for a Nb2O5waveguide upon laser annealing, the attenuation coefficient decreasing from 7.4 to 0.6 dB/cm. In the case of one Nb2O5waveguide no improvement was obtained upon laser annealing. The attenuation coefficient of a reactively sputtered Ta2O5waveguide was found to decrease from 1.3 dB/cm before laser annealing to 0.4 dB/cm afterwards. In the case of a thermally oxidized Ta2O5waveguide a small initial improvement in waveguide attenuation was followed by degradation upon further laser annealing.     

Two Layer Surface Exfoliation on Si3N4/Si by Sequential Implantation of He and H Ions

n-Type Si(100) wafers with a thermally grown Si₃N₄ layer (∼170 nm) were sequentially implanted with 160 keV He ions at a dose of 5 × 10¹⁶ cm⁻² and 110 keV H ions at a dose of 1 × 10¹⁶ cm⁻². Depending on the annealing temperature, surface exfoliations of two layers were observed by optical microscopy and atomic force microscopy. The first layer exfoliation was found to correspond to the top Si₃N₄ layer, which was produced at lower annealing temperatures. The other was ascribed to the implanted Si layer, which was formed at higher temperatures. The possible exfoliation processes are tentatively discussed, and potential applications of such phenomena are also suggested.