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采用半导体光放大器的多波长光纤环形激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了一种插入马赫-曾德尔(M-Z)光纤干涉仪的半导体光放大器(SOA)多波长光纤环形激光器,实现了信道间隔为100 GHz的稳定的多波长连续光激射,其输出光谱3 dB带宽为19.5 nm,消光比大于30 dB.其中在17.9 nm范围内获得了22个波长的连续光,功率不平坦度为1.2 dB,总输出功率为5.1 dBm.对该结构的多波长激光器输出光谱宽,不同波长间功率波动小的特性进行了分析,提出在较低环腔损耗下,半导体光放大器的增益饱和及四波混频(FWM)效应的共同作用使环腔内多波长光功率获得自动均衡;并对实验观测到的激光器输出光谱带宽及中心波长随半导体光放大器驱动电流降低或环腔损耗增大而减小的现象进行了讨论. 相似文献
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Su Kwan Oh Ji-Myon Lee Ki Soo Kim Chul-Wook Lee Hyunsung Ko Sahnggi Park Moon-Ho Park 《Photonics Technology Letters, IEEE》2003,15(12):1680-1682
Planar buried heterostructure (PBH) was adopted to fabricate a sampled grating distributed Bragg reflector laser diode (SGDBR-LD) having a low threshold current and a stable fundamental transverse mode. The etching process for butt-coupling was optimized to improve the reproducibility and the uniformity of the butt-coupled waveguide. The maximum output power of the fabricated SGDBR-LD was 20 mW at 200-mA continuous-wave operation at 25/spl deg/C. The output power was measured 10 and 9 mW higher than those of ridged waveguide (RWG) structure and buried ridge stripe (BRS), and the threshold current was slightly higher than those of RWG and BRS. The spectra of 25 channels spaced 50 GHz within the tuning range of 44.4 nm was obtained by a precise control of SG and phase control currents. The side-mode suppression ratio of more than 35 dB was obtained in the whole tuning range. The output power variation was less than 5 dB, which is 4 dB smaller than that of RWG structure. 相似文献
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Gustafsson Y. Hammerfeldt S. Hammersberg J. Hassler M. Horman T. Isaksson M. Karlsson J. Larsson D.E. Larsson O.D. Lundqvist L. Lundstrom T. Rask M. Rigole P.-J. Runeland E. Saavedra A. Sarlet G. Siljan R. Szabo P. Tjernlund L. Traskman O. de Vries H. Wesstrom J.-O. Ogren C. 《Electronics letters》2003,39(3):292-293
A GCSR laser with optimised coupler design and tailored reflector grating is presented. Output power is larger than 25 mW across the C-band with 40 dB SMSR and only 1.4 dB power variation without additional SOA. 相似文献
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基于半导体光放大器交叉增益调制效应的主动锁模光纤激光器 总被引:3,自引:3,他引:3
提出一种腔内损耗小的基于半导体光放大器(SOA)交叉增益调制效应(XGM)的主动锁模光纤激光器结构。使用光环行器成功减小了激光器的腔内损耗,提高了激光器的输出功率。从理论上对有理数谐波锁模过程中腔内脉冲复合的物理机制进行了详细分析。利用有理数谐波锁模技术,在调制频率为10 GHz下,得到了重复频率为30 GHz的皮秒级光脉冲序列输出,其峰值功率约0.5 mW。由于半导体光放大器的宽增益谱与滤波器的较大可调谐范围,使得激光器输出可以在较大的波长可调谐范围内保持较大功率输出。成功实现了调制频率为20 GHz的谐波锁模短光脉冲输出,可调谐范围达40 nm,峰值功率大于0.65 mW。半导体光放大器和激光器的短腔长保证了激光器的长期稳定性。 相似文献
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基于光纤Bragg光栅的掺铒光纤激光器 总被引:7,自引:2,他引:5
研制了基于光纤Bragg光栅的掺铒单模光纤激光器。用 980nmLD作抽运源 ,在 1 56 μm波段获得了谱线宽为 0 1nm的激光输出。最大输出光功率为 1 73mW。输出功率稳定性为± 0 .0 2dB ,波长稳定性为 0 0 5dB。阈值抽运光功率为 7mW ,斜率效率为 3%。 相似文献
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基于光纤光栅法布里-珀罗腔的高效窄线宽光纤激光器 总被引:12,自引:0,他引:12
报道了采用双光纤光栅(FBG)法布里-珀罗(F-P)腔选模的线形腔结构窄线宽光纤激光器。激光器以高掺杂Er~(3 )光纤为增益介质,利用全光纤型法拉第旋转器(FR)抑制空间烧孔效应,通过两个短光纤光栅法布里-珀罗腔选模,产生了稳定的1534.83 nm单频激光输出。激光器采用两支976 nm单模激光二极管(LD)抽运,两端输出。激光器阈值抽运光功率为12 mW,在总抽运光功率为145 mW时总输出信号光功率为39.5 mW,单端最高输出信号光功率为22 mW。光-光转换效率为27%,斜率效率为29.7%。随着抽运功率的增加,激光器输出功率趋于饱和。采用延迟自外差方法精确测量光纤激光器线宽,实验中使用了15 km单模光纤延迟线,由于测量精度的限制,得到激光器的线宽小于7kHz。这种光纤激光器具有输出功率高、线宽窄、信噪比高的特点,可用于高精度的光纤传感系统。 相似文献
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对1550nm高功率窄线宽光纤放大器进行了实验研究。该放大器采用双级放大(MOPA)结构, 其中第一级预放采用5 m长的掺Er3+光纤, 将种子光信号放大到约90 mW; 采用15 m长的Er3+/Yb3+共掺双包层光纤放大器作为二级放大, 抽运源采用2支工作波长为980 nm的大功率激光二极管(LD), 抽运阈值功率约1.3 W。 当抽运功率为10.8 W时, 得到放大激光输出功率为1.97 W, 光-光转换效率为18 %, 斜率效率为21%, 增益大于13 dB。所采用的种子光源为1550 nm单频窄线宽(DFB)LD, 输出功率为10 mW; 采用延迟自外差方法对种子源及放大器输出的线宽进行测量, 测量结果显示该种子源及放大后的激光输出的3 dB线宽均约为220 kHz, 在目前的实验条件下, 没有观察到放大后的激光线宽展宽现象。 相似文献
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YANG Xin-min LIU Tao ZHOU Ning JIN Jin-yan HUANG Tao WANG Chang-hong LI Tong-ning 《半导体光子学与技术》1999,5(2):92-95
1IntroductionLonghaulopticalfibercommunication,multi-channeltransmisionandopticalfiberCATVsystemrequire1.31μmand1.55μmDFBlase... 相似文献
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研制了一种高功率高边模抑制比及高波长稳定性的DBR型掺铒光纤激光器。该激光器使用980nmLD作为泵浦源,并使用长度为2.75m的高掺杂浓度的掺饵光纤作为增益介质,在1.55μm波段获得了3dB线宽为0.2nm,25dB线宽为0.4nm的激光输出。最大输出光功率25mW,输出功率稳定性±0.01dB,边模抑制比60dB,波长稳定性0.01dB(受光功率计精度的限制),阈值泵浦光功率8.6mW,斜率效率21.7%。 相似文献
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研制了一种高功率高边模抑制比及高波长稳定性的DBR 型掺铒光纤激光器。该激光
器使用980nm LD 作为泵浦源,并使用长度为2. 75m 的高掺杂浓度的掺饵光纤作为增益介质,在1. 55μm 波段获得了3dB 线宽为0. 2nm ,25dB 线宽为0. 4nm 的激光输出。最大输出光功率25mW ,输出功率稳定性±0. 01dB ,边模抑制比60dB ,波长稳定性0. 01dB (受光功率计精度的限制) ,阈值泵浦光功率8. 6mW ,斜率效率21. 7 %。 相似文献
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H. Asano S. Takano M. Kawaradani M. Kitamura I. Mito 《Photonics Technology Letters, IEEE》1991,3(5):415-417
The device parameter optimization for 1.48 mu m InGaAs/InGaAsP multiple quantum well laser diodes (MQW-LDs) was reported. Approximately 800- mu m-long MQW-LDs with five wells were found to give a moderately low driving current for 100 mW light output, as well as high maximum power. 250 mW maximum CW power was achieved for a long-cavity (1800 mu m) MQW LD. The MQW LDs were shown to operate stably at 100 mW output power as well.<> 相似文献