钇和钬掺杂对铋层状化合物的介电性的影响

为了研究和改善铋层状化合物的介电性能,利用常规固相反应法制备了稀土钇和钬掺杂的钡铋三钛二铌氧十二陶瓷,并研究了其介电性能随温度变化的规律． Ｘ射线衍射结果表明,钇和钬能部分替代钙钛矿层中的铋,形成纯相固溶体陶瓷．所有样品的介电温谱显示出典型的弥散型铁电相变,并且介电常数和居里温度均随稀土掺杂量的增加而降低．结果表明,钙钛矿层中Ａ位和Ｂ位多元素的共同占位导致局部成分的不均匀,从而引起铁电相变的弥散．钇和钬部分替代钙钛矿层中的铋,抑制了与铋关联的结构变形,从而减少了铁电极化．     

直流和射频反应溅射CoTiO_2薄膜研究

通过直流对靶反应溅射和射频反应溅射工艺制备了系列磁性金属Co掺杂TiO2薄膜样品.通过原子力显微镜和磁力显微镜研究掺杂样品的结构,利用振动样品磁强计研究系列样品的磁性能,对比不同反应溅射方法制备薄膜的性质和结构.经研究发现,射频溅射法制备的样品表面致密程度优于直流溅射法,薄膜表面十分光滑,结构致密,饱和磁化强度略强,薄膜磁性的方向各向异性明显.     

Dy^3＋掺杂对Fe3O4纳米粒子磁性能的影响

为提高Fe3O4纳米粒子的磁性能，研究了Dy^3＋掺杂对Fe3O4纳米粒子宏观磁性及粒径的影响。适量的掺杂可使Fe3O4粒子的粒径增大，饱和磁化强度提高。过量的掺杂不会引起粒径的进一步增大，但会引起饱和磁化强度的下降。在反应温度为55℃，搅拌转速900r／min，反应时间1．5h，掺镝量为12．17％的条件下，用化学共沉淀法制备出平均粒径为18．6nm、饱和磁化强度可达168．73mT的镝铁氧体粒子。     

高能球磨法制备纳米ZnO掺Fe稀磁半导体材料

稀磁半导体合金制备的基本思想主要是利用磁性离子部分地取代原来半导体中的阳离子.本论文利用高能球磨方法制备铁掺杂氧化锌,是通过高能球磨方法,球磨ZnO粉末,利用钢球及钢罐在球磨时撞击下的铁屑进行掺杂.XRD结果表明,随球磨时间的增加,10 h以前只有ZnO峰位,样品中铁峰在球磨10 h出现,46 h为最强,球磨136 h消失,46~136 h过程ZnO峰位向左偏移,在球磨达到172 h,样品中出现新相Fe0.85-xZnxO.振动样品磁强计测量样品具有室温铁磁性,磁性能随Fe含量的变化而改变.     

镧离子掺杂对钴铁氧体磁性能的影响

采用水热法制备镧离子掺杂的钴铁氧体粉末CoFe_(2-x)La_xO_4(x=0,0.05,0.10,0.20,0.40,0.80),采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)以及振动样品磁强计(VSM)等设备,分析研究镧离子掺杂量对钴铁氧体结构、形貌及磁性能的影响。结果表明:随着所钴铁氧体中镧离子掺杂量的提高,钴铁氧体的XRD衍射峰强度逐渐降低;在x=0.10处出现第二相La(OH)_3;第二相出现后颗粒间的团聚现象明显减弱;饱和磁化强度从63.856(A·m~2)/kg逐渐减小到25.539(A·m~2)/kg,而矫顽力先从71.14 k A/m减小至38.18 k A/m后,再增大到160.45 k A/m。     

钇掺杂纳米TiO2的制备及其降解甲基橙研究

以钛酸四丁酯为主要原料,在室温下,采用水热法制备了稀土Y3＋掺杂的纳米TiO2光催化剂,分别采用粉末XRD法和FT—IR法对产物进行了晶相和结构表征,分析结果表明：所制备的TiO2和四种不同掺钇量的TiO,粒子结构均为锐钛矿型二氧化钛,且随着Y掺杂量的增加,TiO2的粒径越来越小,说明钇的掺杂有细化晶粒的作用．以20mg／L的甲基橙为目标降解物,研究了掺杂纳米TiO2粉体的光催化性能,结果表明,钇的掺杂能够有效提高紫外光下甲基橙的降解率,钇的最佳掺杂量（摩尔比）为n（Y3＋）：n（TiO3）=1．2％时,光催化效果最好,当反应2．5h时,降解率可汰到85％．     

Mn掺杂ZnO纳米晶粉体的结构及磁性研究

为探寻ZnO稀磁半导体材料的室温铁磁性来源,采用溶胶凝胶法制备掺Mn量为0、1%、2%和3%的ZnO粉体,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪以及振动样品磁强计,研究粉体的形貌特征、物相、电子结构以及室温磁性能。结果表明:掺Mn可使粉体粒度减小;Mn以离子形式取代Zn的位置,保持了本征ZnO的六方纤锌矿结构,无第二相形成;掺Mn形成的Zn—Mn键和Mn—O—Mn键改变了本征ZnO的缺陷结构,从而导致磁性变化;样品中的氧空位浓度决定ZnO的室温铁磁性;掺Mn量为1%时为最优掺入量,具有最大的饱和磁矩22.599×10?2 emu/g。     

溶胶-凝胶自蔓延法制备镍掺杂Zn_2-Y铁氧体及其磁性能研究

以金属硝酸盐为原料、柠檬酸为络合剂,采用溶胶-凝胶自蔓延法制备片状镍掺杂Zn2-Y铁氧体BaNi0.5Zn1.5Fe12O22和Zn2-Y铁氧体BaZn2Fe12O22。采用XRD、SEM、VSM和VNA技术,探讨镍掺杂对Zn2-Y铁氧体的物相组成、颗粒形貌、静磁性能和电磁性能的影响。结果表明,镍离子引入,使饱和磁化强度Ms增大,在10~18GHz频率范围内,磁损耗增强,介电损耗减小。     

稀磁半导体CoTiO2薄膜结构和磁性研究

通过对靶磁控反应溅射法和原位退火工艺制备了系列CoTiO2薄膜样品.研究发现,掺杂量对薄膜的磁性和结构有很大的影响.通过X射线衍射仪和振动样品磁强计对样品的结构和磁性进行了分析,发现制备的样品中较少的掺杂显示明显的室温铁磁性并且没有Co金属存在,但是随着掺杂的增加,部分Co以微小的颗粒存在,而且在超顺磁极限之下,使薄膜的磁性受到超顺磁相的影响.     

化学共沉淀法制备Y型平面六角铁氧体粉体及其磁性能

使用化学共沉淀法制备了Y型平面六角铁氧体粉体.用XRD、SEM、LPS(激光粒度分析仪)对制备粉料的物相、形貌和粒度进行了表征,并结合热重与差热扫描分析(TG-DSC曲线)对粉料的烧结过程进行了研究.采用振动样品磁强计、HP4291A型阻抗分析仪测试样品的磁性能.结果表明:在pH=10±0.1,盐溶液流速为2 mL/min,转速为1 000 r/min的共沉淀实验条件下制备出了颗粒细小均匀的铁氧体前驱体粉料,在1 000℃下预烧后形成纯相Y型平面六角铁氧体,对样品的磁性能测试显示出良好的软磁性能:矫顽力HC≈43.64 Oe,比饱和磁化强度σS≈26.67 emu/g,剩余比磁化强度σr≈6.23 emu/g.     

1.5μm上转换发光材料工艺参数的正交优化实验

用高温固相法,以正交表设计的实验条件,制备出添加助熔剂的掺饵氟化钇钠钡样品。利用正交设计助手,以样品的红、绿发光总强度为分析指标,分析得到制备样品所需要的最佳实验参数为：灼烧时间1.5h、灼烧温度750℃、各组分配比为Er：Y：Ba：Na=10：5：15：70,助熔剂的质量百分比是15%,最后对得到的最佳样品作物相分析和形貌分析。     

Sr和Nd掺杂对La_（9.33）（SiO_4）_6O_2电解质性能的影响

采用尿素-硝酸盐燃烧法对磷灰石型LSO电解质进行了三价稀土元素Nd和二价碱土元素Sr的La位掺杂,对合成样品进行XRD、SEM分析表征,并测试和分析了样品的电导率.结果表明：Sr、Nd掺杂对LSO的晶体结构、物相和形貌产生的影响很小,而适量的掺杂可有效提高LSO的氧离子传输性能.当掺杂x=0.3时,La9.33Mx（SiO4）6O2＋δ（M=Sr、Nd）具有最高离子电导率,La9.33M0.3（SiO4）6O2＋δ在500℃时的电导率分别为7.248×10-3S.cm-1、1.782×10-2S.cm-1.Nd掺杂不仅可以提高电导率,还可以降低传导活化能,相比于Sr掺杂更有利于LSO在中低温SOFCs中的应用.实验认为,Sr、Nd掺杂的LSO属于间隙氧传导机制,掺杂可以提高间隙氧的数量,间隙氧相比阳离子空位对LSO电导率的影响更大.     

一价Cu掺杂ZnS纳米晶光学性质影响因素分析

利用亚硫酸钠作为还原剂对二价Cu离子的还原制备了一价Cu离子掺杂的ZnS纳米晶。透射电子显微镜观察结果表明所制备的样品的尺寸约为2.7nm,而X射线衍射的结果证明其为立方闪锌矿结构。利用紫外可见吸收光谱和荧光光谱对样品的光学性质进行表征,发现随着Cu离子掺杂浓度的增加,ZnS∶Cu纳米晶的吸收边及紫外光激发下的荧光发射峰均发生了红移现象,且Cu离子浓度越高红移越显著。还原剂量调整的对照试验表明,还原剂过量将导致ZnS∶Cu纳米晶发光峰位的进一步红移。     

Ni—Zn铁氧体的结构和电磁性能的Nd^3＋掺杂效应

采用固相反应法制备Ni0.5Zn0.5Nd2-xFe2-3O4铁氧体,通过X射线衍射仪（XRD）、阻抗分析仪和振动样品磁强计（VSM）对样品的物相、结构和电磁性能进行表征,讨论了Ni0.5Zn0.5NdxFe2-xO4（x=0．002～0．010）铁氧体的结构和电磁性能。结果表明：Nd^3＋掺杂量z〉0．008时,样品中出现了杂相NdFeO3;随着Nd^3＋掺杂量的增加,晶格常数呈现先增大后不变,而密度、介电常数和介电损耗角正切呈现先增大后减小（z=0．008时出现最大值）,但饱和磁化强度呈现逐渐减小（z=0．010时有最小值71．22emu/g）;并且所有样品的介电损耗角正切均出现峰值,表现异常的介电行为。     

LaZn掺杂锶铁氧体纳米颗粒的制备与磁性研究

利用化学共沉淀法制备出化学组成为Sr1-xLaxFe12-xZnxO19(x=0~0.4)的掺杂锶铁氧体纳米颗粒,研究了不同的掺杂量对铁氧体结构和磁学性能的影响.结果显示,γ-Fe2O3的是M型锶铁氧体相形成的前驱体,随退火温度的升高,γ-Fe2O3衍射峰强度逐渐减弱直至消失,850℃时已形成单一的M型铁氧体相;随着代换量x的增大,样品的比饱和磁化强度σS先增大后下降,而矫顽力HC的值则单调减小,这些非常适合用于高密度磁记录材料.     

Sm掺杂La_2Mo_2O_9的合成及其导电性

用固相反应法合成了La2-xSmxMo2O9(x=0~2)。室温XRD测试结果表明,在掺Sm计量x≥0.9时,出现杂质相的衍射峰;x≤0.85时,晶胞参数随Sm掺杂计量增加而线性降低。用直流四电极法和离子阻塞法在723~1 173 K温度范围测定了合成试样的电导率,结果表明电子电导率和电导率均随Sm掺杂量增大而降低,掺Sm增大了电导活化能和电子电导活化能。     

微波铁氧体器件薄膜的制备及性能研究

该文采用RF磁控溅射工艺制备了射频薄膜电感用的铁氧体薄膜。为了降低铁氧体薄膜在高频下的涡流损耗、剩余损耗等,通过对铁氧体材料的磁特性分析,研究了不同的温度、成分掺杂对铁氧体磁性能的影响,获得了矫顽力为5.619 6Guss的铁氧体薄膜,并采用SEM、XRD对铁氧体薄膜表面结构进行了表征,采用VSM对薄膜磁性能进行了测试。     

The structure and properties of Ag(Nb0.8Ta0.2)O3 ceramic doped with MnNb2O6

The influences of doping of MnNb2O6 on the structure and dielectric properties of Ag(Nb0.8Ta0.2)O3 were illustrated. Ag(Nb0.8Ta0.2)O3 samples doped with different amount of preformed MnNb2O6 (1 mol%, 2 mol%, 3 mol%, 4 mol%, 6 mol%, 8 mol%) were prepared by traditional solid-state reaction method and characterized by XRD, SEM and EDS, and the dielectric properties of samples were compared. The experiment results indicated that when the doping amount of MnNb2O6 was greater than 3 mol%, second phase appeared because of the solid solution limit. The permittivity of the Ag(Nb0.8Ta0.2)O3 samples doped with MnNb2O6 firstly increased and then decreased with the sintering temperature, while the dielectric loss decreased first, and then increased slightly. 1 100 ℃ seems to be the most proper sintering temperature for most of the samples. When the amount of MnNb2O6 is about 3 mol%, the samples have the best dielectric properties, larger permittivity and smaller dielectric loss.     

纳米钕基氧化物的溶胶-凝胶法制备及其催化性能

采用乙二醇溶胶-凝胶法制备氧化钕基氧化物纳米粒子,研究乙二醇与Nd3+的摩尔比、煅烧温度和掺杂对产物结构的影响及其对高氯酸铵热分解的催化性能。研究表明:当乙二醇与Nd3+的摩尔比为10,70℃加热回流2 h,90℃干燥26 h,700℃煅烧2 h,可得到平均粒径为43.6 nm的球形纳米氧化钕;3.4 mol%Mn掺杂Nd2O3纳米粉体催化高氯酸铵热分解使其在310~350℃和400~470℃的2个小放热峰合并为一个以347.7℃为中心的强放热峰,表观分解热由515 J/g上升到1 250 J/g,高于纳米Nd2O3催化下的1140 J/g,证明了Mn2+掺杂可进一步提高纳米Nd2O3的催化活性。更多还原