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相似文献
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1.
在高精度逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)中,电容阵列是SAR ADC的核心之一。电容阵列中的电容失配问题是导致转换精度降低的一个重要原因。为了尽可能改善这一问题,设计了一种6+6+6分段电容阵列,并且基于这种阵列设计了权重迭代算法的前台数字校准。该方法不需要额外的电容阵列,利用自身的电容阵列与比较器量化出电容失配,计算出每一位输出码的权重校准系数,用来对正常量化出的输出码进行编码,实现校准功能。仿真结果表明,引入电容失配的18 bit SAR ADC经过该算法校准后,信噪比(SNR)从77.6 dB提升到107.6 dB,无杂散动态范围(SFDR)从89.8 dB提升到125.6 dB,有效位数(ENOB)从12.54 bit提升到17.54 bit。在SMIC 0.18μm工艺下,该校准算法对高精度SAR ADC的动态性能具有较大提升。  相似文献   

2.
徐亮  代志双  谢亮  金湘亮 《微电子学》2019,49(3):320-325
设计了一种12位1 MS/s单端结构的自校准逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。采用串联三段式7位校准DAC阵列结构来校准高6位误差电压,减小了面积,扩大了校准范围。将校准DAC的初始态接为中间态,简化了校准逻辑控制过程。采用“双寄存器”预判的方式,提高了回补校准码的效率。在电源电压为3.3 V、转换速率为1 MS/s的条件下,进行了仿真验证。结果表明,该SAR ADC校准后,SNDR从校准前的49.2 dB提升到71 dB,DNL、INL分别从校准前的-1 LSB /+21.250 LSB、-17.398 LSB /+10.152 LSB减小到-0.25 LSB /+0.5 LSB、-1.048 LSB /+0.792 LSB。  相似文献   

3.
王亮  邓红辉  陈浩  尹勇生 《微电子学》2022,52(2):270-275
介绍了一种基于剪枝神经网络的后台校准算法,能够对高精度单通道SAR ADC的电容失配、偏移、增益等多个非理想因素同时进行校准,有效提高SAR ADC的精度。本算法不仅可以达到全连接神经网络校准效果,而且同时对贡献小的权重进行剔除,降低了校准电路的资源消耗,加快了神经网络校准算法速度。仿真结果表明,信号频率接近奈奎斯特频率的情况下,对16 bit 5 MS/s的 SAR ADC进行校准,校准后ADC的有效位数从7.4 bit提高到15.6 bit,无杂散动态范围从46.8 dB提高到126.2 dB。  相似文献   

4.
研究了应用于流水线模数转换器(ADC)的LMS自适应数字校准算法及其FPGA实现。该校准算法可用于校准大多数已知的误差,包括非线性运算放大器的有限增益、电容失配,以及比较器的失调等。通过Simulink软件,对一个12位160 MS/s的流水线ADC进行建模。采用LMS自适应校准算法对该流水线ADC进行校准,并将算法在Virtex-5上实现了硬件设计。实验结果表明, 输入信号频率为58.63 MHz时,流水线ADC的无杂散动态范围(SFDR)和有效位(ENOB)分别由校准前的46.31 dB和7.32位提高到校准后的82.03 dB和11.12位。  相似文献   

5.
基于SMIC 0.18 μm CMOS混合信号工艺,设计了一种适用于体局域网(BAN)的自校准逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。基于BAN系统的特点,设计的SAR ADC采用阻容混合型主数模转换器(DAC)及电容型校准DAC等结构。采用误差自校准技术来校准SAR ADC的阻容混合型主DAC的高5位电容失配误差,有效降低了SAR ADC非线性误差。仿真结果表明,自校准SAR ADC获得了±0.3 LSB微分非线性、±1 LSB积分非线性、82.2 dB信噪比等性能特性。设计的SAR ADC具有良好的性能,适合于BAN系统。  相似文献   

6.
介绍了一种新的流水线ADC校准算法,并利用该校准算法完成了一个13 bit,50 MS/s流水线ADC的设计.该校准算法对级电路的比较器和后级电路的输出码字的出现频率进行统计,得到各个级电路输出位的真实权值,可以同时校准多种非理想因素如运放有限增益、电容失配等造成的误差.电路采用UMC 0.18μm混合工艺,1.8 V电源电压.通过SPECTRE仿真获得晶体管级级电路的输入输出关系,将其结果导入顶层行为级模型进行校准.仿真结果表明,在50 MHz采样率、5 MHz输入信号下,通过校准算法SFDR由44.1 dB提升至102.2 dB,SNDR由40.9 dB提升至79.9 dB,ENOB由6.5 bit提升至12.98 bit.  相似文献   

7.
黄继伟  康健 《微电子学》2019,49(5):708-712
为了减少分段式电容阵列ADC中分段电容引起的电容失配效应对转换精度的影响,采用最小均方根(LMS)迭代方法,实现了一种基于扰动的逐次逼近型(SAR)ADC数字前台校准算法。对同一个模拟输入信号先后加入作为扰动的模拟失调电压+Δd和-Δd,依次进行量化。使用LMS对两次量化结果进行加权迭代,得到最佳权重,实现了对ADC的校准。针对电容失配效应、寄生电容效应的影响,搭建了14位SAR ADC数模混合仿真验证系统。仿真结果表明,该校准算法将系统的无杂散动态范围(SFDR)从62.6 dB提升到87.7 dB。  相似文献   

8.
Tan  KS 莫铭 《微电子学》1991,21(3):36-44
本文描述了克服可能影响电荷再分布模-数转换器(ADC)精度的几种误差机制的误差校正技术;用校正电路和自校准算法来提高微分ADC的共模抑制;改进后的技术用于自校准电容器比率误差而获得更高的线性度;采用平方电压系数(QVC)自校正方法,把由于电容器的电压依赖关系引起的ADC的剩余误差减至最小;最后,用有数字误差校正线路的双比较器拓扑来避免由于比较器阈值滞后而引起的误差;用这些技术设计的全微分电荷再分布ADC,已用金属-多晶硅化物电容器的5V1μmCMOS工艺制作出来;逐次近似转换精度达到16位,在200kHz速率下转换时,其共模抑制大于90dB。  相似文献   

9.
燕振华  李斌  吴朝晖 《微电子学》2016,46(5):595-598
提出了基于冗余子级的流水线ADC后端校准技术,采用精度较高的流水线冗余子级代替参考ADC,对流水线ADC的各个子级校准,替代了对整个ADC的校准,使校准系统无需降频同步,较好地解决了传统校准系统中主信号通路与参考ADC信号通路不同步的问题。对Matlab/Simulink中搭建的精度为16位、采样频率为10 MS/s的流水线ADC进行仿真,结果表明,当输入信号频率为4.760 5 MHz时,经过校准,流水线ADC的有效位和无杂散动态范围分别由9.37位和59.96 dB提高到15.32位和99.55 dB。进一步的FPGA硬件验证结果表明,流水线ADC的有效位和无杂散动态范围分别为12.73位和98.62 dB,初步验证了该校准算法的可行性。  相似文献   

10.
多比特子DAC的电容失配误差在流水线AIX:输出中引入非线性误差,不仅严重降低AEK、转换精腰.而且通常的校准技术无法对非线性误差进行校准.针对这种情况,本文提出了一种用于16位流水线ADC的多比特子DAC电容失配校准方法.该设计误差提取方案在流片后测试得到电容失配误差.进而计算不同输入情况下电容失配导致的MDAC输出误差,根据后级的误差补偿电路将误差转换为卡乏准码并存储在芯片中,对电容失配导致的流水级输出误差进行校准.仿真结果表明.卡《准后信噪失真比SINAD为93.34 dB.无杂散动态范围SFDR为117.86 dB,有效精度EN()B从12.63 bit提高到15.26 bit.  相似文献   

11.
高精度流水线ADC的设计需要校准技术来提高其转换精度.基于统计的数字后台校准方法无需校准信号,直接通过对输出的统计得到误差值的大小,将其从数字输出中移除从而消除了ADC输出非线性.将该校准方法应用于14bit流水线ADC中,仿真结果表明校准后信噪失真比SNR为76.9dB,无杂散动态范围SFDR为73.9dB,有效精度ENOB从9bit提高到12.5bit.  相似文献   

12.
This paper introduces a background digital calibration algorithm based on neural network, which can adaptively calibrate multiple non-ideal factors in a single-channel ADC, such as gain error, mismatch, offset and harmonic distortion. It enables an efficient background calibration through a simple feed forward neural network and LM gradient descent algorithm. The simulation results show that in the case of a signal input close to the Nyquist frequency, for a 14-bit 500 MS/s prototype ADC, only about 40,000 data needed, the ENOB of the ADC can be increased from 7.81 to 13.06 and the SFDR from 49.7 dB to 106.8 dB assisted by a lower speed reference ADC.  相似文献   

13.
分析了加扰技术改善ADC性能的基本原理,通过选择合适的扰动信号注入到理想量化器模型中进行仿真,验证了加扰技术能够随机化量化误差的周期性三角形分布。在加扰技术的实际应用中,首先基于10 bit 25 MS/s Pipelined ADC模型完成加扰仿真,仿真得到ADC的SFDR由74.69 dB提高到了85 dB。然后对两种ADC芯片进行加扰实验,该加扰技术使两种ADC芯片的SFDR分别提高了8.29 dB和5.97 dB。理论仿真和实验验证了加扰技术可以明显提高ADC的SFDR,为后期ADC内部集成加扰电路模块做好了准备工作。  相似文献   

14.
提出了一种数字前台校准技术,即电容重组技术,并将该技术与LMS数字后台校准技术相结合,提高了LMS算法的收敛速度。提出的算法使用RC混合结构的14位SAR ADC进行建模。仿真结果表明,LMS算法的收敛速度可以提高到1 k个转换周期内,同时校准后ADC的ENOB平均值从10.59 bit提高到13.79 bit。SFDR平均值从71.33 dB提高到112.93 dB,DNL最大值的平均值从1.88 LSB提高到0.97 LSB。INL最大值的平均值从8.01 LSB提高到0.88 LSB。  相似文献   

15.
分析了流水线A/D转换器采样电容与反馈电容之间的增益失配,探究了运放有限增益与流水线残差输出及A/D转换器输出的关系,建立了精确的系统模型。通过建立14位流水线A/D转换器Verilog-A的行为级模型,在数字域对流水线A/D转换器输出数字码进行分段平移。在第一级级间增益误差达到±0.012 5时,校正前信噪比仅为62 dB,校正后信噪比提升到85 dB。提出的校正方法可有效补偿由流水线级间增益导致的数字输出不连续和线性度下降。  相似文献   

16.
基于65 nm CMOS工艺、1.2 V供电电压,设计了一款结合偏移双通道技术的流水线模数转换器(analog-to-digital convertor,ADC)。芯片的测试结果表明,该校正方法有效地消除和补偿了电容失配、级间增益误差和放大器谐波失真对流水线ADC综合性能的制约。流水线ADC在125 MS/s采样率、3 MHz正弦波输入信号的情况下,信噪失真比(signal-and-noise distortionratio,SNDR)从校正前的28 dB提高到61 dB,无杂散动态范围(spurious-free dynamic range,SFDR)从校正前的37 dB提高到62 dB。ADC芯片的功耗为72 mW,面积为1.56 mm2。偏移双通道数字校正技术在计算机软件上实现,数字电路在65 nm CMOS工艺、125 MHz时钟下估计得出的功耗为12 mW,面积为0.21 mm2。  相似文献   

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