P2O3—B2O3—Al2O3—SrO—BaO玻璃中的Yb^3＋非辐射能量转移下E …

本文研究了共掺Ｅｒ＾３＋／Ｙｂ＾３Ｐ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３－ＳｒＯ－ＢａＯ玻璃的能量转移过程。实验中制备了高掺杂Ｂｂ＾３＋离子的双掺Ｅｒ＾＃＋／Ｙｂ＆＾３＋的磷酸盐玻璃样品。在Ｅｒ＾３＋／Ｙｂ＾３＋掺杂比率〉１：１８（ｍｏｌ％）时,观测到了基于Ｙｂ＾３＋离子至Ｅｒ＾３＋离子能量转移下Ｅｒ＾３＋（＾３Ｉ１３／２→＾４Ｉ１５／２）的增强发射和ｂ＾３＋（＾２Ｆ７１／→＾２Ｆ５／２）发射的减弱,当Ｂ     

高温高压合成的硅酸锶有铕铋的发光特性

用高温高压方法合成了Ｓｒ２ＳｉＯ４Ｅ＾３＋ｕ，Ｂｉ＾３＋和ＳｒＳｉＯ３Ｅｕ＾３＋＿，Ｂｉ＾３＋，研究了合成压力对其发光性能的影响，与用溶胶－凝胶共沉淀法和常压高温法合成的产品作比较，常压制备的ＳｒＳｉＯ３Ｅｕ＾３＋，Ｂｉ＾３＋为六角结构，而在２．３４－４．１０ＧＰａ的合成压力范围内，它转变为赝正交结构；常压下Ｓｒ２ＳｉＯ４；Ｅｕ＾３＋，Ｂｉ＾３＋，为单斜结构，在４．２ＧＰａ的合成压力下，未发现其结     

水基金属有机物分解法制备Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜的研究

制备了水基Ｂａ＾２＋、Ｓｒ＾２＋、Ｔｉ＾４＋三元有机物溶液。根据红外光 谱测定及对比实验分析了溶液配制过程中化学反应机理。采用金属有机物分解法（ＭＯＤ）制备Ｂａ０．５Ｓｒ０．５ＴｉＯ３（ＢＳＴ）薄膜。通过ＸＲＤ、ＳＥ趱 阻抗分析仪等分析测试手段,薄膜的相结构、微观形态及电性能。结果表明,所制备ＢＳＴ薄 数矿晶相结构,结晶完整晶粒小（１０－５０ｎｍ）,显微结构均匀致密,并具有良好的电性能（电容密度为     

TlGaS2和TlGaS2：Er^3＋单晶的光致发光性质

用布里奇曼法生长出ＴｌＧａＳ２单晶和ＴｌＧａＳ２：Ｅｒ＾３＋单晶。生成的单晶，其光致发光与深层能级及Ｅｒ＾３＋离子能级有关。由施主－受主对复合引起的宽发射谱带，对ＴｌＧａＳ２单晶，在５９６、６１０、６９６和７１６ｎｍ处；对ＴｌＧａＳ２：Ｅｒ＾３＋单晶，则在６３２和７５９ｎｍ处。由Ｅｒ＾３＋引起的窄发射谱带，在５５２、５５９、６６６、８１３、８１６和８２７ｎｍ处。     

BaFCl：Eu^2＋,Eu^3＋的光激励发光过程

本文首次报道了ＢａＦＣｌ：Ｅｕ＾２＋,Ｅｕ＾３＋的光激励发光。实验结果发现,在ＢａＦＣｌ：Ｅｕ中Ｅｕ＾３＋对Ｅｕ＾２＋的光激励发光有增强作用。在ＢａＦＣｌ：Ｅｕ的光致发射光谱中同时观察到对Ｅｕ＾２＋、Ｅｕ＾３＋及基质的本征发射,而光激励发射光谱中只观察到Ｅｕ＾２＋的发射,表明光致发光与光激励发光存在着很大的差异。这些结果表明,发光中心Ｅｕ＾２＋、Ｅｕ＾３＋及基质之间存在着相互作用和能量传递。本文提     

液膜分离富集和测定锤液中的微量铅

用二环己基－１８－王冠－６（ＤＣ－１８－Ｃ－６）、表面活性剂ＳＰＡＮ８０、中性油ＳＩＯＯＮ－１和溶剂三氯甲烷乳状液膜体系，研究了Ｐｂ＾２＋的迁移行为。在适宜条件下，８ｍｉｎ内Ｐｂ＾２＋的迁移率达９９．４％以上，相同条件下，许多金属离子（如Ｎｉ＾２＋、Ｌｉ＾＋、Ｋ＾＋、Ｎａ＾＋、Ｃａ＾２＋、Ｍｇ＾２＋、Ｓｒ＾２＋、Ｂａ＾２＋、Ｆｅ＾３＋、ＡＬ＾３＋、Ｃｕ＾２＋、Ｚｎ＾２＋和Ｃｏ＾２＋等）均不被迁移，     

预非晶化离子注入对硅p^＋n结构性能的影响

用Ｓｉ＾＋／Ｂ、Ａｒ＾＋／Ｂ＾＋双注入结合快速退火技术制备出了较浅的ｐ＾＋ｎ结,用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱、二次离子质谱等测试分析手段研究了Ｓｉ＾＋或Ａｒ＾＋预蜚 晶人离子注入的作用。结果表明,适当条件的Ｓｉ＾＋／Ｂ＾＋双注入制备 高硼原子电激活率的Ｐ＾＋薄层且电性能优良,残留二次缺陷少,ｐ＾＋ｎ结二极管反忖电流仅２．０ｎＡ／ｃｍ＾２（－１．４Ｖ）;而Ａｒ＾＋主虽然也能抑制硼原子注入沟道     

高温高压合成的硅酸锶铕铋的发光特性

用高温高压方法合成了Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅ３＋ｕ，Ｂｉ３＋和ＳｒＳｉＯ３：Ｅｕ３＋，Ｂｉ３＋研究了合成压力对其发光性能的影响，与用溶胶－凝胶共沉淀法和常压高温法合成的产品作比较．常压制备的ＳｒＳｉＯ３：Ｅｕ３＋，Ｂｉ３＋为六角结构，而在２．３４—４．１０ＧＰＳ的合成压力范围内，它转变为反正交结构；常压下Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ３＋，Ｂｉ３＋为单斜结构，在４．２ＧＰａ的合成压力下，未发现其结构相变．高压合成产物的发光强度和相对量子发光效率降低，半宽度明显增加，且伴有红移发生．发光强度的改变是压致晶场的变化引起的     

CsCdF3:Cr3+晶格畸变及其Cd2+-空位研究

按照零场分裂（ＺＦＳ）的三阶微扰理论和叠加晶场模型,建立了ＺＦＳ参量Ｄ与ＣｓＣｄＦ３：Ｃｒ＾３＋晶格结构之间的定量关系,同时考虑了晶格畸变和Ｃｄ＾２＋空位对零场分裂参量Ｄ的贡献,计算了ＣｓＣｄＦ３：Ｃｒ＾３＋晶体的零场分裂参量Ｄ,计算结果与实验符合甚好,证明了晶格畸变和Ｃｄ＾２＋空位的存在,同时得到ｒ＾３＋离子的Ｆ＾－离子向中心Ｃｒ＾３＋离子分别移动Ｘ１＝０．００２９１ｎｍ,Ｘ２＝０．００１ｎｍ,     

SiC埋层结构与C^＋注入剂量关系

采用ＭｅｔａｌＶａｐｏｒＶａｃｕｕｍＡｒｃ（ＭＥＶＶＡ）离子源的离子束合成法，往Ｓｉ衬底注入剂量为３．０×１０＾１７～１．６×１０＾１８ｃｍ＾－２的Ｃ＾＋制成ＳｉＣ埋层，Ｃ＾＋离子束的引出能量为５０ｋｅＶ，光电子能谱和红外吸收谱表明ＳｉＣ埋层的结构特征明显地依赖于剂量，采用ＭＥＶＶＡ离子源可以平均衬底温度低于４００℃时得到含有立方结构的ＳｉＣ埋层。     

(Sr_(1-x)Ba_x)_(3-y)SiO_5:y Eu~(2+)橙红色荧光粉的制备与发光性能

采用高温固相法在还原气氛下合成橙红色荧光粉(Sr1-xBa)x3-ySiO5∶y Eu2+,并用X射线衍射仪和荧光分光光度计对合成的样品进行表征。结果表明:合成样品的晶体结构与Sr3SiO5相同,(Sr1-xBa)x3-ySiO5∶y Eu2+的荧光光谱为宽带谱,激发峰发射主峰分别位于365nm和592～609nm。随着Eu2+和Ba2+掺杂浓度的不同,样品的热稳定性和发射峰也发生了相应的变化。最终,并对其机理进行简单讨论。     

白光LED用红色荧光粉MMoO4:Eu3+（M=Ca,Sr,Ba）的制备与表征

采用高温固相法制备了红色荧光粉MMoO4:Eu3+(M=Ca,Sr,Ba),用XRD和荧光分光光度计对其物相及发光性能进行表征和研究。结果表明,在800℃时可得到MMoO4(M=Ca,Sr,Ba)物相结构。分别以395nm的近紫外光和465nm的可见光激发样品,MMoO4:Eu3+(M=Ca,Sr,Ba)荧光粉发红光,对应于Eu3+的4f-4f跃迁,其中以616nm发光最强。荧光粉在395nm和465nm的吸收分别与紫外光和蓝光LED芯片相匹配。     

Spectroscopic characteristics of Olgite (Ba,Sr)(Na,Sr)2Na[PO4]2 crystals doped with Sm ions

Sm³⁺ ions doped Olgite crystals (Ba,Sr)(Na,Sr)₂Na[PO₄]₂ were prepared by high temperature solid-state reaction. Sm²⁺ ions were obtained by X-ray irradiation reduction. The samples were investigated by X-ray diffraction, SEM, photoluminescence and decay curves measurements. In (Ba,Sr)(Na,Sr)₂Na[PO₄]₂, the influence of different mole ratios of Sr to Ba atoms on the crystal structure, reducing efficiencies of Sm³⁺ to Sm²⁺ and luminescence properties of Sm²⁺ ions were discussed. It is found that the conversion of Sm³⁺ → Sm²⁺ after X-ray irradiation is efficient in this phosphate. The emission of Sm²⁺ in this host after excitation into the 4f⁵ 5d¹ levels shows ⁵D₀ → ⁷F_J (J = 0, 1, 2) emission together with a broad emission band. The characteristic of Sm²⁺ ions luminescence was discussed.     

残余氧化硼对钛酸锶钡晶胞参数及相变温度的影响

研究了氧化硼掺杂（B2O3）烧结钛酸锶钡（Ba1-xSrxTiO3，x=0、0．4、1）陶瓷钙钛矿结构的稳定性、晶胞参数以及相变温度．结果表明，随着掺杂量的增加，钛酸锶钡仍保持原来的钙钛矿结构，但晶胞参数有所变化．晶格常数c与a并非单调变化，但轴比c／a单调递减而晶胞体积a^2c却单调增大．和未掺杂钛酸锶钡相比，掺杂钛酸锶钡陶瓷的相变温度有所升高．同一掺杂含量下，随着烧结温度的升高，因钛酸锶与钛酸钡相互固溶引起晶胞体积明显收缩，相变温度逐渐降低．但在同一烧结温度下，随着掺杂量的增加，相变温度几乎不变．说明硼离子半径虽然很小，氧化硼对钛酸锶钡晶胞参数的影响还是存在的，而且只能以填隙方式存在于晶胞，但其固溶能力非常有限．     

Sr0.4Ba0.6Nb2O6物相形成过程的XRD分析

采用X射线衍射技术（Guinier-Hagg相机）分析了Sr0.4Ba0.6Nb2O6（SBN40）原始混合粉料经不同温度煅烧后的相组成，并利用PIRUM程序对不同反应温度下形成铌酸锶钡相的晶胞尺寸进行了计算。结果表明：在Sr0.4Ba0.6Nb2O6的形成过程中将出现中间相Na5Nb4O15、Sr5Nb4O15、SrNb2O6与BaNb2O6，而SrNb2O6与BaNb2O6最终反应生成铌酸锶钡。反应生成的铌酸锶钡的晶胞参数随反应温度的升高而变小。依据这些实验结果，文中提出了Sr0.4Ba0.6Nb2O6相的形成机制。     

(Ba1-xSrx)La4Ti4O15（x=0.8～0.95）陶瓷的微结构及微波介电性能研究

采用固相反应法制备了(Ba1-xSrx)La4Ti4O15(x=0.8~0.95)复合体系微波介质陶瓷,并对其进行物相组成、晶体结构分析以及微波介电性能的研究.研究结果表明,(Ba1-xSrx)La4Ti4O15陶瓷主晶相为SrLa4Ti4O15,并伴随有第二相SrLa8Ti9O15.SEM观察表明,Ba0.2Sr0.8La4Ti4O15陶瓷内部微观结构致密,晶粒尺寸在10~20μm之间,晶界清晰.随着x值逐渐增大,(Ba1-xSrx)La4Ti4O15陶瓷中晶粒形态发生变化,气孔增多.在x=0.8时,(Ba1-xSrx)La4Ti4O15陶瓷具有优良的微波介电性能,即εr=40.86,Q×f≈62806 GHz,τf=20×10 6/℃.随着Ba2+的含量逐渐增加,该陶瓷的介电常数εr单调上升,品质因子Q×f值增加,说明适量的Ba2+替代Sr2+能改善陶瓷的微波介电性能.     

BaWO4/(Ba|Sr)TiO3复合陶瓷的显微结构与介电性能

采用常规的陶瓷工艺制备了BaWO₄/(Ba,Sr)TiO₃复合陶瓷,并通过X射线衍射、扫描电镜及介电性能测试对陶瓷的烧结特性、微结构和介电性能进行了研究。结果表明,BaWO₄/(Ba,Sr)TiO₃复合陶瓷在1250～1300℃ 可以实现致密化烧结,且陶瓷由(Ba,Sr)TiO₃和BaWO₄两相复合而成,未检测到其它物相。随着BaWO₄含量的增加,材料的表观密度逐渐增大,介电常数和可调度逐渐降低,介电损耗变化不大,均在10-3量级。典型样品(60 %BaWO₄/40%Ba 0.5Sr 0.5TiO₃ , 质量分数)介电常数182.7,介电损耗0.0024,在2V·μm-1偏置电场下的可调度为14.7%,具有较好的介电性能。     

Self-assembled monolayer of a redox-active calix[4]arene: voltammetric recognition of the Ba2+ ion in aqueous media

The Redox-active monolayer of a novel calix[4]arene recognizing redox-inactive ionic species by voltammetry is reported. Calix[4]arene-disulfide-diquinone, which is not only redox-active but is also a highly selective ionophore for the Ba2+ ion, spontaneously forms a stable and dense monolayer film on gold. The redox-active calixarene monolayer selectively recognizes Ba2+ ion in aqueous media, and the voltammetric signals are proportional to the ionic concentration. A new voltammetric peak can be detected by square-wave voltammetry upon adding a dilute solution containing Ba2+ ion having a concentration as low as 1.0 x 10(-6) M. The Langmuir plot (1/ip vs 1/[Ba2+]) shows a linear slope in the range from 1.0 x 10(-6) M to 1.0 x 10(-4) M. This modified electrode does not show any significant interference from alkali and alkaline earth metal ions except for Sr2+ and Ca2+. Only 100- and 500-fold concentrations of Sr2+ and Ca2+ ions, respectively, can lead to voltammetric responses comparable to that of Ba2+.     

Sr0.4Pb0.6TiO3基陶瓷晶界组成对热敏特性的影响

采用固相烧结工艺制备出了Ｓｒ_０．４Ｐｂ_０．６ＴｉＯ_３半导体陶瓷元件,其阻温特性具有独特的ＮＴＣＲ和ＰＴＣＲ复合效应,陶瓷室温电阻率及居里点以下的ＮＴＣＲ效应随着烧结温度的升高而提高,适当过量ＰｂＯ则能降低陶瓷室温电阻率及其ＮＴＣＲ效应．利用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＥＤＳ分别对样品的相结构、形貌及成份分布等进行分析,结果显示晶界中的Ｓｒ,Ｔｉ含量相对较高,而Ｐｂ含量相对较低,材料的阻温特性明显受其影响．铅挥发造成的阳离子空位是该类半导体陶瓷在居里点下出现ＮＴＣＲ效应的主要原因之一,同时探讨了Ｙ^３＋离子掺杂（Ｓｒ,Ｐｂ）ＴｉＯ_３陶瓷的半导化机理和热敏特性．     

Dielectric properties of (Ba,Sr)TiO₃ thin films with varied microstructures prepared by the chemical solution deposition method for thin-film capacitors and ferroelectric varactors

We prepared epitaxially grown three-axis-oriented (Ba?.?S?.?)TiO? thin films on (100) platinum-coated (100) MgO single-crystal substrates by the chemical solution deposition method, using a solution derived from Ba(CH?COO)?, Sr(CH?COO)?, and Ti(O-i-C?H?)?. Microstructures of fabricated thin films depend strongly on the fabrication process, especially on the annealing condition. A (Ba,Sr)TiO? thin film fabricated with an annealing temperature of 1073K was found to be a single crystal by transmission electron microscopy. The single-crystal (Ba,Sr)TiO? thin film exhibited a (100) three-axis-orientation, which followed the (100) orientation of the platinum electrode on the MgO single-crystal substrate. A (100) three-axis-oriented (Ba,Sr)TiO? thin film may be useful for preparing a thin-film capacitor.