分析电子通信产品的ESD防护设计

对于电子通信产品而言,静电释放(ESD)是一个隐性杀手。在电子通信产品的生产使用过程中,对电子通信产品静电放电,不但会使产品的正常工作遭到干扰,同时还可能造成电子通信产品电子元器件的损坏,使电子通信产品出现故障,严重者还可能引起事故的发生。因此,加强对电子通信产品的ESD防护设计至关重要。本文在阐述了电子通信产品静电释放的危害及其ESD防护设计要求的基础上,进一步分析了电子通信产品的ESD防护设计的方法。     

基于电子通信产品的ESD防护设计方法研究

电子通信产品ESD防护设计情况直接关系着设备的质量与使用情况,会不同程度的影响着设备经销商对产品的推广,对于企业的经济与社会效益都有着重要影响,这些问题都对产品在市场竞争中的地位及未来的生存与发展起到重要作用。所以,在进行电子产品设计与生产过程中,ESD防护设计是不可忽视的重要环节。因此,本研究主要介绍了ESD对电子通讯产品的危害,电子通信产品ESD防护设计中的缺陷,电子通信产品静电防护设计的要求及注意事项,并探讨了电子通讯产品ESD防护设计的方法。     

浅析电子通信产品的ESD防护设计

ESD对电子通信产品的危害比较大,电子通信产品在工作中较容易产生静电,一旦积累过多,即会发生静电危害。ESD在电子通信产品中被理解为释放的静电,为保障电子通信产品的安全工作,必须防护ESD的危害,为电子通信产品营造安全的环境。因此,本文通过对电子通信产品的ESD进行研究,分析防护方式的设计架构,提出电子通信产品ESD防护的优化的对策,对电子通信产品的ESD防护设计研究具有一定指导意义和借鉴价值。     

分析电子通信产品的ESD防护设计

电子产品在设计、实验、生产、运行、维修过程中通常会有静电释放(ESD),而静电释放是一个隐性杀手,它会干扰产品的正常工作,损坏电子元器件,积累过多会引起火灾、爆炸等事故。因此,必须加强对电子通信产品ESD的防护。本文简单阐述了ESD在电子通信产品中的危害及现有ESD防护设计中存在的不足,提出了ESD设计的改进优化措施。     

电子通信产品的ESD防护设计方法研究

电子通信产品ESD防护设计情况,对产品设备本身的使用以及质量有非常重要的影响。很多电子产品在销售推广过程中,商家都会以产品具有良好防静电能力作为产品卖点。可见ESD防护设计的重要性。对于电子通信产品来说,具有良好的防静电能力,不仅是产品营销的卖点,更重要的是静电防护能力确实对产品使用的安全性发挥着关键影响作用。因此,对于生产厂家来说,要切实做好电子产品的ESD防护设计,提高设备的静电防护能力。文章重点探讨了电子通信产品的ESD防护设计方法。     

分析电子通信产品的ESD防护设计

社会发展和时代进步,推动人们生活发展,提高人们生活质量,加快电子通信产更新换代的速度.电子通信产品是当下人们的生活必需品,对人们的生活起着不可代替的通信作用,是人类发展最具有代表性社会产物,但是电子通信产品中的ESD对人们身体有着一定的危害性,最为典型危害是静电危害.为降低ESD对人们的危害性,本文作者根据自己对电子通信产品的了解,对子通信产品ESD危害找出简要分析,简单分析了ESD的危害性,并提出电子通信产品的ESD防护设计.     

电子通讯产品ESD防护及具体方法浅述

在电子通讯产品具体的设计以及使用的过程中,经常产生静电的释放,简称为ESD,这种静电释放会给产品带来一定的干扰,从而损坏产品内部的元器件,引起严重的故障,甚至会使产品失效。因此,对于ESD防护具体的设计具有重要的意义。本文主要讲述了ESD带来的主要危害以及电子通讯产品使用ESD防护的具体设计方法。     

电子通讯产品的ESD防护设计及方法浅析

如今,越来越多先进的电子通讯设备涌入人们的生活,给人们的生活和工作带来诸多便利.但是一些电子通讯产品因为一些内部或外部因素的影响而产生ESD,即静电释放,从而对电子通讯产品造成损害,更严重的还会给人们的生命安全造成威胁.所以,有效防止ESD现象出现在电子通讯产品中,成为了很对相关研究人员工作的重点.本文就电子通讯产品的ESD防护设计及方法方面的内容进行简单的论述,并提出了一些建设性意见,仅供参考.     

基于工业数据挖掘的ESD软失效分析

针对电子产品出货后出现ESD软失效而导致的退货现象,文章通过机器学习算法分析产品ICT电性能测试参数、生产线ESD防护监控数据和产品ESD软失效的相关性。集成算法模型经过优化,分类准确率达到0.88,可以用于量产电子产品的ESD软失效的识别和出货风险管控。同时,利用ESD防护监控点风险指数数据集可以提高产品ESD软失效的识别准确率（8.6%）。安装部署基于物联网技术的静电放电防护监控系统,对管控电子产品生产过程中的ESD软失效风险以及控制出货风险是很有帮助的,可以提高电子制造业防静电管控的智慧化水平。     

纳米集成电路的静电放电防护

综述了纳米集成电路片上(On-Chip)静电放电防护(ESD)的研究现状;结合自身流片数据,阐述其ESD防护机理和设计要点。从器件ESD防护机理入手,逐步深入分析阐述了纳米集成电路的新特征、纳米器件的失效机制以及基于体硅CMOS工艺和SOI工艺的基本ESD防护器件。在此基础上,对纳米集成电路ESD主要热击穿失效的热量产生机制、热耗散问题,以及边界热电阻对ESD防护带来的影响进行了分析,提出了利用纵向散热路径和工艺整合方案来提高纳米集成电路中ESD防护器件鲁棒性的有效措施。     

ESD对微波组件的危害及其防护

在微波组件的生产过程中,静电放电(ESD)是导致产品失效的主要原因之一。介绍了ESD损伤的失效类型,分析了ESD对微波组件造成的危害特点,阐述了在微波组件设计和生产中静电防护的重要性,以及所采取的ESD防护管理方法和ESD防护的具体技术措施。     

采用容性封装技术提高ESD防护性能研究

提出了一种通过在电源线与地线之间加入外部电容以吸收ESD脉冲的新型集成电路ESD保护方法。分析了这种方法在提高产品ESD防护性能方面的可行性,并用TLP设备测量出了一0.1μF电容在吸收4A TLP ESD电流脉冲时电容两端电压随时间的变化曲线以及不同电容值电容吸收4A TLP ESD电流脉冲后的电压随电容变化曲线,理论分析及测试结果均表明这种ESD防护方法能在集成电路承受6000V HBM ESD脉冲时将VDD与GND之间的电压降钳位在0.5V以下。通过将此ESD防护方法应用在SOI微处理器产品和SOI静态随机存储器产品上,成功地将这两款产品的ESD防护能力从1000V提高到了3000V以上,验证了这种容性封装技术在ESD防护方面的优良性能。     

怎样避免微电子封装生产车间的静电放电（ESD）现象

文章介绍了微电子封装产品生产车间静电放电（ESD）现象的产生途径和对封装电子元器件的危害，并简要叙述了为避免生产车间的静电放电（ESD）现象应采取的相关防护措施。     

电子制造行业ESD接地防护系统的实施方法

随着电子技术的快速发展,产品向小型化、智能化和功能集成化的方向发展,对电子产品制造过程中的ESD防护的要求也越来越高.介绍了在电子制造企业中建立一个ESD等电位接地系统的防护方法,重点介绍了在EPA区域内出现的各类导体的等电位连接的实施方法,以及日常监控、管理和维护的方式.     

电子产品中静电防护问题研究

本文介绍了静电起电、静电放电(ESD)的机理及静电放电的危害,进一步阐述了人体感知静电和产品潜在损伤等问题及其产生的原因.针对静电积聚、静电敏感度和静电耦合能量等产生静电放电的前提条件,按照抑制起电、控制积聚的防护原则,提出了减少静电放电危害,提高电子产品可靠性的具体措施,在设计阶段对产品进行ESD防护网络设计,在生产...     

基于130 nm SOI工艺数字ASIC ESD防护设计

绝缘体上硅(SOI)工艺具有寄生电容小、速度快和抗闩锁等优点,成为低功耗和高性能集成电路(IC)的首选.但SOI工艺IC更易受自加热效应(SHE)的影响,因此静电放电(ESD)防护设计成为一大技术难点.设计了一款基于130 nm部分耗尽型SOI (PD-SOI)工艺的数字专用IC (ASIC).针对SOI工艺ESD防护设计难点,进行了全芯片ESD防护原理分析,通过对ESD防护器件、I/O管脚ESD防护电路、电源钳位电路和ESD防护网络的优化设计,有效减小了SHE的影响.该电路通过了4.5 kV人体模型ESD测试,相比国内外同类电路有较大提高,可以为深亚微米SOI工艺IC ESD防护设计提供参考.     

孙延林主任“电子防静电（ESD）系统及标准体系”

课程背景：随着我国IT产业的崛起和迅速发展，电子行业已经成为我国国民经济的主要产业，静电对高分子材料、微电子器件及相关产品造成的危害日益显著，静电防护工作显得越来越重要，为稳定持续发展电子行业，提高同防、科研、生产领域专业人员和广大职工的防静电技术水平，预防和减少静电危害所造成的损失，提高电子及相关产品的质量与可靠性已经成为电子产品生产企业急迫需解决的问题。为了帮助学员解决ESD实务中的问题及对ESD各标准的对比使企业更好的实施ESD标准使之符合生产及客户的要求，深圳市拓普达资讯公司特推出为期三天的《防静电（ESD）防护技术、标准及体系建设》与大家分享。     

爱普科斯推进保护器件技术的发展

在过去5年,ESD防护市场不断发展,需要用于多样化、复杂应用、稳定且完善的解决方案.爱普科斯大中华区陶瓷元件市场部副主管及市场总监王智娟表示,"高速接口的ESD防护主要有两大趋势:1.因降低成本引起的ASIC的尺寸缩小,导致芯片集成ESD防护的可能性减少.2.不断增加的数据传输速率要求更宽的信号传输带宽.因此,爱普科斯面临的挑战就是提供满足低信号失真要求的产品,同时不减低我们产品出色的ESD防护性能."     

2.4GHz低噪声放大器的全芯片ESD保护设计

设计并流片验证了一种0.18μmRFCMOS工艺的2.4GHz低噪声放大器的全芯片静电放电(ESD)保护方案。对于射频(RF)I/O口的ESD防护,主要对比了二极管、可控硅(SCR)以及不同版图的互补型SCR,经流片与测试,发现岛屿状互补型SCR对I/O端口具有很好的ESD防护综合性能。对于电源口的ESD防护,主要研究了不同触发方式的ESD保护结构,结果表明,RCMOS触发SCR结构(RCMOS-SCR)具有良好的ESD鲁棒性和开启速度。基于上述结构的全芯片ESD保护设计,RF I/O口采用岛屿状布局的互补SCR结构的ESD防护设计,该ESD防护电路引入0.16dB的噪声系数和176fF的寄生电容,在人体模型(HBM)下防护能力可达6kV;电源口采用了RCMOS-SCR,实现了5kV HBM的ESD保护能力,该设计方案已经在有关企业得到应用。     

静电及其防护

静止的电荷有了接地通路时产生静电放电（ESD），在人类的日常生活中这种现象是不可避免地存在的。集成电路技术的发展使电子产品更加小型化和结构复杂性，更易受ESD的攻击，电子制造商每年都因此造成很大的损失。按照防护ESD的五项原则积极防护是电子制造商降低，生产成本，提高产品质量，赢得用户信誉的必由之路。