掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及其应用

研究了Al Ga As层掺1%的In对Al Ga As/Ga As量子阱光致发光谱的半峰宽的影响.2 5 K的光致发光结果表明,In作为表面活化剂能有效改善Al Ga As/Ga As异质界面的粗糙度.将此方法应用到反型Al Ga As/Ga As高电子迁移率晶体管(HEMT)材料结构中,Hall测量表明该方法能有效提高反型HEMT的电学性能     

高台型GaAs—Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器的液相外延

一.引言对于 AlGaAs 双异质结激光器,用液相外延的方法,可以生长出性能十分良好的多层外延片。用此方法,我们在 GaAs 单晶衬底上制备了包括四层结构(n 型 Al_xGa_*(1-x)As,P 型 Al_YGa_(1-Y)As 和 P 型 GaAs)的双异质结构注入型激光器。去年我们制作出能连续工作的激光器,其寿命很短,只几分钟,且性能不稳定。经分析认为,是外延片质量不     

视频唱片用的可见光半导体激光器

荷兰菲利浦公司在日本的分公司正在出售型号为CQL-10,发射波长为780nm的可见光半导体激光器,样品价格为4—5万日元,预计明年年中降到1万日元以下。SOT-148型系密封封装,内含监控用的PIN光电二极管,主要用于光学式视频唱片、数字式声频唱片、激光印刷机以及防盗(报警)系统。此种双异质结半导体激光器的衬底为n型GaAs、有源层为Al_(0.18)Ga_(0.84)As(0.2μm厚)、限制层为Al_(0.46)Ga_(0.54)As(1—2μm厚,n型掺     

多量子阱光开关器件的激子吸收及光调制特性

我们分析了 Ga As/Al Ga As半导体多量子阱 (MQW)光开关器件的室温激子吸收行为及光调制特性 ,优化设计了多量子阱结构 ,研制出常通型和常关型两种类型光开关器件 ,并对器件的光调制特性进行了测量与研究。实验得出的结论与理论计算相符合 ,常通型器件对比度约为 10∶ 1;常关型器件对比度约为 4∶ 1。     

GaAs中碳局域模振动红外吸收的温度依赖关系

砷化镓中C_(As)在582cm~(-1)处的局域振动模(LVM)吸收带于低温下存在精细结构,利用其中同位素效应产生的分裂谱线很锐(25K时半高宽小于0.1cm~(-1))的特点,研究了吸收谱线的频率和半高宽以及整个吸收带的积分吸收随温度的变化关系.在GaAs中,C_(As)LVM与晶格带模振动之间的非简谐耦合虽然比离子性较强的晶体中要弱,但在温度变化引起谱线发生频移和半高宽变化时,非简谐效应起了重要的作用.在一些P型和高阻样品中,C_(As)LVM吸收带的积分吸收在低温下随温度降低而反常减小,可用带负电荷的C_(As)受主中心浓度随温度降低而减少来解释,由此获得C_(As)受主消电离情况的信息.     

碳掺杂In_xGa_(1-x)As的MOMBE生长与特性

本文研究了以TMG、固体In和固体As作为分子束源的碳掺杂In_xGa_(1-x)As(x=0-0.98)的MOMBE生长与特性,发现衬底温度和In分子束强度对样品的生长速率、In组分含量x及载流子浓度具有强烈影响。在x=0-0.8的范围内空穴浓度随x的增大而减小,当x>0.8时导电类型转变为n型。探讨了MOMBE法生长In_xGa_(1-x)As的掺碳机理及其对载流子浓度和导电类型的影响,并用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)等方法分析了外延层质量。     

最大跨导为3000的异质结晶体管

<正> 日本电气公司采用在n型AlGaAs/GaAs二维电子气系统中注入空穴的办法研究成功了g_(mmax)为3000的异质结晶体管。器件制造中采用了平面型自对准技术。器件所需的未掺杂GaAs/n型AlGaAs/n型Al_xGa_(1-x)As/n型GaAa结构是用MBE技术形成的。掺杂剂为Si(p型)和Be(n型)。得到的     

In Ga As/Ga As超晶格的界面研究

In_xGa_(1-x)As/Ga As之间晶格失配度与X成线性关系,其最大值为7％。因而当外延层厚度大于临界厚度时在界面会产生微缺陷,这些缺陷对其材料性能有很大影响。因此对In x Ga_(1-x)As Ga As界面研究就显得很重要。本工作就GaAs衬底上MBE生长In_(0.2)Ga_(0.8)As/Ga As超晶格样品进行平面,断面的TEM研究。实验结果表明超晶格平整,均匀,只看到位错一种微缺陷。GaAs衬底内位错。表面机械损伤会在超晶格层内引入位错。在In Ga As Ga As界面上失配位错情况如图1所示。图1a为[110]方向衬象,可见界面上位错线及露头(箭头所示)倾转约30,在图1b中看到位错网络,箭头所示位错为1a中所示的露头。     

分子束外延生长的GaAs-Al_xGa_(1-x)As多层异质结构中的“精细低维调制条纹”的观察

应用透射式电子显微镜观察了GaAs-Al_xGa_(1-x)As多层异质结结构中的“精细低维调制条纹”。在邻近GaAs-Al_xGa_(1-x)As超晶格层的缓冲层中和与这缓冲层邻近的GaAs-Al_xGa_(1-x)As超晶格层的小区域中发现了等宽度的“精细低维调制条纹”,其宽度为9.1(?)的GaAs条纹,12(?)的Al_xGa_(1-x)As条纹。文中介绍了用显微密度计获得的这些条纹的密度分布结果。同时还给出了GaAs-Al_xGa_(1-x)As 多层异质结结构的晶格像和用X射线能量散射谱技术获得的成分定量分析结果。     

高应变In_xGa_(1-x)As薄膜的结晶质量及光学特性

通过分子束外延(MBE)生长技术,在GaAs(100)基片上生长出单晶In_xGa_(1-x)As薄膜,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控薄膜生长情况。对In_xGa_(1-x)As薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试,结果显示该薄膜为高质量薄膜,且In组分(原子数分数)为0.51。光致发光(PL)光谱测试结果表明,室温下发光峰位约为1.55μm;由于In_xGa_(1-x)As薄膜中存在压应变,光谱峰位出现蓝移。Raman光谱显示GaAs-like横向光学声子(TO)模式的峰出现了明显展宽,验证了In_xGa_(1-x)As薄膜中存在应变。     

硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响

利用同步辐射和铁磁共振研究了使用 CH3CSNH2 硫钝化的 Ga As( 1 0 0 )表面铁超薄膜的电子结构和磁性 .实验结果表明 ,硫钝化能阻止 As向铁薄膜层的扩散 ,减弱 As和 Fe的相互作用并增强了在 Ga As( 1 0 0 )表面生长的铁超薄膜的磁性 .     

半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR)的分子束外延生长

用分子束外延技术 (MBE)生长了以 Ga As/Al As超晶格替代 Alx Ga1 - x As所形成的 P型半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) .此分布布拉格反射镜的反射谱中心波长为 85 0 nm.由实验表明 ,19个周期的反射镜获得了高达 99%以上的高反射率 .与此同时 ,采取自行设计的二次钨丝掩膜质子注入法制成 15 μm× 15 μm的正方形电流注入区 ,以此测定 P型反射镜的串联电阻 ,克服了湿化学腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点 ,实验得出此 P型反射镜的串联电阻仅为 5 0 Ω 左右 .在生长过程中 ,发现在只含一个铝源的分子束外延生长系统中 ,生长这种半     

用MBE法生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结的半绝缘Al_xGa_(1-x)As缓冲层

用分子束外延法生长了以半绝缘Al_xGa_(1-x)As为缓冲层的GaAs外延层,这种缓冲层具有很高的击穿电压。研究了击穿电压与生长条件和Al_xGa_(1-x)As缓冲层组份之间的关系。当Ⅴ族与Ⅲ族元素束流强度比增加时,以Al_(0.4)Ga_(0.6)As层作缓冲层的击穿电压比以GaAs层作缓冲层的击穿电压要高得多,而且在Al_(0.4)Ga_(0.6)As上生长的GaAs有源层具有很高的质量。     

一种高辐射率的GaAs-AlGaAs双异质结侧面发光二极管

永川光电研究所去年研制成功了一种高辐射率的GaAs-AlGaAs双异质结侧面发光二极管,它采用了SiO_2掩蔽的条形电极结构。在掺硅的N型GaAs单晶的<100>面上相继外延生长出N型Al_xGa_(l-x)As,P型Al_yGa_(l-y)As,P型Al_xGa_(l-x)As和P型GaAs四层外延层,所构成的双异质结来实现对光和载流子的纵向限制;在P型面上进行闭管Zn扩散,然后溅射出厚为0.4μm的SiO_2层,光刻出宽度为60μm的电极引线条,这样来实现对光和载流子的横向限制。有源区掺硅的厚度为0.3μm左右。解理出的管芯的宽度对     

氯化物法汽相外延生长In_xGa_(1-x)As/InP异质结构的研究

本文对InP衬底上氯化物法、合金源汽相外延生长多元化合物In_xGa_(1-x)As的规律作了研究。给出了In_xGa_(1-x)As外延层组分、生长速率与工艺参数的关系曲线。用电子计算机首次详细分析了合金源的In-Ga/AsCl_3/H_2系统的热力学平衡状态,获得了一系列理论曲线,并作出修正。对本系统生长的In_xGa_(1-x)As的动力学机理作了分析。实验中获得了与InP衬底晶格相匹配、晶体质量良好的In_xGa_(1-x)As外延层。     

富士通用电子束描画和干法工艺制成高频高电子迁移率晶体管

<正> 日本富士通研究所采用电子束直接描画和选择干法腐蚀工艺制成了具有良好特性的高频高电子迁移率晶体管,这是在九月份举行的1982年秋季第43届应用物理学会学术讲演会上发表的。器件制作过程如下:在掺Cr的半绝缘衬底上,用MBE法连续外延生长非掺杂GaAs层、掺硅的n型Al_xGa_(1-x)As层(x=0.3)、n型Al_xGa_(1-x)As层(x=0～0.3)和n型GaAs层,衬底温度皆为680℃。然后,为了进行器件隔离,用离子束腐蚀台面(Ar500V,～0.3μm),接着再形成AuGe/Au的源一漏电极的剥离层和金属层,再用选择干法腐蚀法腐蚀成凹槽栅,     

金-锗-镍,金-锌及铝对Ⅲ-Ⅴ族化合物的接触电阻

测量了金-锗-镍(Au-Ge-Ni)对掺杂浓度高于～10~(17)-10~(18)厘米~(-3)的n型Al_(0.4)Ga_(0.6)As及P_(0.4)和GaP的接触电阻率。在热处理之后Au-Ge-Ni对这些材料呈现欧姆接触特性。也研究了Au-Zn及Al对载流子浓度为～2×10~(19)厘米~(-3)的P型Al_(04)Ga_(0.6)As、GaAs_(0.6)P_(0.4)和GaP的接触电阻。Au-Zn接触可应用于这三种P型材料,但Al接触材料仅推存使用于P型GaAs_(0.6)P_(0.4)。     

STUDY OF Zn,Zn-Cd DIFFUSION IN In_x Ga_(1-x)As

In this report,the diffusion of Zn,Zn-Cd in In_xGa_(1-x)As is investigated using ZnAs_2and ZnAs_2+Cd as diffusion sources.The effect of the diffusion temperature,diffusion time,a variety of the diffusion source andcomposition x of the material on the relation of the(X_j-t~(1/2))are given.The diffusion velocity X_j~2/t of Zn inIn_xGa_(1-x)As is faster than that of Zn-Cd in In_xGa_(1-x)As,and at 500-600℃,the surface acceptorconcentration is from 1×10~(19)to 2×10~(20)cm~(-3),which is higher than that of Zn in InP.Reduction ofcontact resistance by use of In_xGa_(1-x)As contact layer for 1.3μm LED can be expected.     

采用共面波导的高性能反射型MMIC SPST和SPDT开关芯片系列

众所周知 ,共面波导具有低色散、宽频带的显著优点 ,而 Ga As MMIC开关由于其体积小、重量轻、开关速度快、低功耗、抗辐射、可靠性高等显著优点 ,在当今许多先进的电子系统中获得广泛应用 ,将共面波导和 Ga As MMIC开关的优点结合在一起 ,南京电子器件研究所最近研制出采用共面波导的高性能 DC- 2 0 GHz,DC- 35 GHz Ga As MMIC反射型单刀单掷 ( SPST)和单刀双掷 ( SPDT)开关芯片系列 ,获得了非常优异的电性能和非常高的工艺成品率。这种采用共面波导的 Ga As MMIC反射型 SPST和 SPDT开关芯片系列均采用了反射型宽带开…     

MBE自组织方法生长InGaAs/AlGaAs量子线FET材料

利用分子束外延 (MBE)技术在高指数面 Ga As衬底上自组织生长了应变 In Ga As/Ga As量子线材料。原子力显微镜 (AFM)观测结果表明量子线的密度高达 4× 1 0 5/cm。低温偏振光致发光谱 (PPL)研究发现其发光峰半高宽 (FWHM)最小为 9.2 me V,最大偏振度可达 0 .2 2。以 Al Ga As为垫垒 ,In Ga As/Ga As量子线为沟道 ,成功制备了量子线场效应管 (QWR-FET)结构材料 ,并试制了器件 ,获得了较好的器件结果