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提出了LLC谐振变换器的一种简化时域增益曲线。在一个开关周期内,将LLC谐振变换器分为两种工作模态,通过建立每个工作模态下的时域状态方程,以及初始条件和边界条件,推导得到LLC谐振变换器的简化时域增益曲线。提出了一种基于简化时域增益曲线的宽范围输入的设计方法,该方法以品质因数Q和电感比h为设计关键要素。最后完成了一台200 W的样机制作,样机在120 V~220 V工作电压范围内均能实现高效率功率变换,实验结果验证了该方法的有效性。 相似文献
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电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责,最常见的结构是线性电源和开关电源。开关电源通过控制开关管开通和关断的时间,维持稳定的输出电压,以其高效率、小型化的特点而广泛应用于几乎所有的电子设备。工业控制系统、汽车电子等领域往往存在多个电压轨,在不同工作阶段还存在输入电压瞬间大范围变换的情况,这要求其具有高输入电压的同时,还需要在一个较宽的输入范围内能够高效地给负载供电。文章围绕宽输入电压DC-DC的转换效率提升、快速响应技术及低EMI设计进行了综合阐述,并分析了学术界和业界的一些最新进展。 相似文献
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Jim McLucas 《电子设计技术》2008,15(2):90-91
本设计实例建立在前人的基础上(参考文献1).实现了一个15MHz至30MHz或更高带宽的精密峰值检测器.具体情况要看应用的最大输入信号电平。本设计实例的关键是一个超高速比较器,它提供本应用所需的高转换速率与低传播延迟。 相似文献
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基于TinySwith系列芯片,详细介绍了一款定时计数单元供电的开关电源的设计方法,该电路在宽范围输入电压范围内,采用单端反激式拓扑电路,利用光藕反馈和脉冲宽度调制技术实现电压稳定输出。 相似文献
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基于CSMC 0.5 μm BCD工艺,设计了一种具有高电源抑制比的带隙基准电路。此电路可以在较宽电源电压(4~36 V)范围内实现较小的温度系数变化,-40 ℃~125 ℃范围内的温度系数为8.93×10-6/℃~9.02×10-6/℃。通过将基准参考点设置于负反馈环路中,能够有效地提高基准电路的电源抑制性能。当电源电压为4~36 V时,电源抑制比分别为-132~-98 dB@dc,-54.7~-55.5 dB@1 MHz,线性调整率为0.009%/V,满足DC-DC转换器的应用需求。 相似文献
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针对无载频探地雷达发射单元对电源的要求,采用差分电路和电流源相结合的方法,设计并制作了70V~282V连续可调的线性直流电源。理论上纹波小于5mV,负载电流可以达到1 A。改善了电源对温度的敏感性,降低了放大管的压降,实现了宽范围的输入和输出,并有浪涌、短路、线路滤波全面的保护电路。实际制作并调试了在70V~90V和140V~282 V2个范围内可调的电源,实测时负载电流500mA,纹波小于20mV。该电源可以直接方便的应用在其他系统中,通过并联调整管来满足大功率要求。 相似文献
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设计了一种低功耗、宽电源电压范围的电机驱动器。通过采用高效率泵电路,设计新型的电荷泵供电方式,使得电机驱动电路能够实现宽电源电压范围和低功耗。该驱动器保证功率管在低压下仍具有较低的导通电阻和较大的输出驱动电流,而在高压情况下功率管栅源不会被击穿。设计电荷泵时钟控制电路,使得驱动器具有更低的功耗。基于SMIC 180 nm BCD工艺完成设计。仿真结果表明,该电机驱动器的电机电源输入范围为0~15 V,逻辑电源范围为1.8~5.5 V,且静态功耗为284.5μA。 相似文献
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提出一种可在宽电源电压范围下工作的带隙基准源设计.由于采用了一些新的结构,使得其电源抑制比和温度稳定性有明显提高.为支持电源管理芯片的休眠工作模式以降低待机功耗,电路中专门设置了一个辅助的微功耗基准,在正常模式下为电路提供偏置,在休眠模式中替代主基准以节省功耗.仿真结果表明,该基准源提供的1.27V基准电压在-20至120℃范围内的最大温漂为3.5mV.当供电电压由3V变化至40V时,基准电压的变化为56μV.在低于10kHz的频率范围内基准源具有大于100dB的电源抑制比.芯片采用1.5μm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺设计与实现.实验结果证实上述设计目标已基本实现. 相似文献
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提出一种可在宽电源电压范围下工作的带隙基准源设计.由于采用了一些新的结构,使得其电源抑制比和温度稳定性有明显提高.为支持电源管理芯片的休眠工作模式以降低待机功耗,电路中专门设置了一个辅助的微功耗基准,在正常模式下为电路提供偏置,在休眠模式中替代主基准以节省功耗.仿真结果表明,该基准源提供的1.27V基准电压在-20至120℃范围内的最大温漂为3.5mV.当供电电压由3V变化至40V时,基准电压的变化为56μV.在低于10kHz的频率范围内基准源具有大于100dB的电源抑制比.芯片采用1.5μm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺设计与实现.实验结果证实上述设计目标已基本实现. 相似文献
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在SOC及智能功率集成电路中,对基准电压源的电源电压范围及输出驱动电流都提出了更高的要求.基于csmc 40VBCD工艺设计并实现了一种输出精度高、驱动能力强、电源电压范围宽的5V集成基准电压源电路.设计中通过HV_PMOS实现电源电压和基准核心电路工作电压的隔离,拓宽了电源电压范围,采用双重电流负反馈保证了基准电压的高精度输出.通过Cadence软件平台下的Spectre仿真器对电路的各项电参数进行仿真验证,得到电源电压范围9~30V,在-20~125℃范围内温度系数5.688×10-6/℃,启动时间6.369μs,负载电流0~40mA,输出为5V的集成电压基准源电路. 相似文献
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介绍了一种用于环境温度监测的新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器,采用0.13μm标准CMOS工艺的厚氧器件实现,芯片面积为37μm×41μm。该温度传感器在-20~60°C的温度范围内,采用两点校正方法之后,温度误差为-0.2°C/0.5°C。该温度传感器可以在1.8~3.6V的电源电压范围内安全可靠地工作,并且具有较高的电源抑制比。测试结果表明,其输出电压斜率为3.9mV/°C,1.8V下功耗为1.3μW。 相似文献
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