中科院上海冶金所研制的二氯二氢硅通过市级鉴定

<正> 二氯二氢硅(Sicl_2H_2)是一种新型的外延沉积源,比Sicl_4外延沉积温度低,外延层质量高,是目前国内半导体器件科研和生产单位急需的一种气态源,它还可以用于制备高均匀度的氧化层,廉价太阳能电池和用于生产Si_3N_4薄膜的气态源,具     

扰动硬链理论状态方程式在含有极性溶剂CH_3OH及H_2O的二元汽液相平衡体系中的应用

本文探讨了根据扰动硬链(Perturbed—Hard—Chain)理论建立的状态方程式,对含有极性溶剂CH_3OH及H_2O的CH_3OH—H_2O、以及CO_2、CO、H_2、CH_4、N_2或Ar分別与CH_3OH及H_2O的二元体系的适用性。根据文献发表的测定数据,计算了上列各种物质的有关参数。其中,无论是极性物质对还是极性物质与非极性物质对的调整参数,都与温度有关。在计算中应按温度的单变量多项式取值。为了验证这个状态方程式的适用性以及各项参数的可用性,计算了各体系的汽液相平衡数据。将计算值与文献发表的测定数据进行了比较,得出了令人满意的结果。     

蓝宝石上生长的薄膜硅晶体管

发现了一种在单晶蓝宝石上利用高温分解 SiH_4来淀积硅薄膜的方法。薄膜的电子衍射和劳埃反射检验都示出了单晶花样。硅薄膜的霍尔迁移率在空穴密度10~(17)/厘米~3时为135厘米~2/伏特·秒。制成了电流5毫安时具有1000微姆欧跨导值的绝缘栅场效应晶体管,其尺寸为:源到漏的间距为10微米,作用区宽度为120微米。这跨导值可与在块状硅上制成的同样元件相比较,因此这种晶体管是极有希望的薄膜硅器件。     

Na~_,K~+//Cl~-,SO_4~(2-)-H_2O体系25℃溶解度的预测

本文以盐的溶度积为溶解平衡判据,利用HW公式对Na~+,K+//Cl~-,SO_4~(2-)—H_2O体系以及此体系所包括的三元和二元体系25℃的溶解度、水活度进行了计算,结果令人满意。     

硅苯、1-硅萘及9-硅蒽的[4+4]二聚反应的比较研究

采用密度泛函理论(DFT)在B3LYP/6-31G(d)水平上,研究硅苯、1-硅萘及9-硅蒽的[4+4]二聚反应的微观机理和势能剖面,考察了反应的取代基效应和溶剂效应.计算结果表明,所研究反应均为协同反应,且2个C-Si键同步形成.随反应物分子芳香环从小到大的增加,[4+4]反应在热力学和动力学上均变得越来越有利.硅苯...     

用HNO_3—HF—H_2O三元硅腐蚀系统制造扩散硅电阻应变计

本文论述用化学腐蚀方法制作扩散硅电阻应变计。工艺中采用HNO_3—HF—H_2O作腐蚀剂,根据扩散控制的流体力学要求建立一种实验装置。在腐蚀过程中,气泡撞击硅片表面,保证被腐蚀表面有新鲜的腐蚀液连续供应和生成物的不断清除,快速而均匀地蚀薄硅片,并且在达到需要厚度之前,不需取出芯片观察。用此方法,成功地分离和蚀薄出扩散硅电阻应变计,表面成镜面平整光亮,厚度均匀可控,是一种批量生产扩散硅电阻应变计的好方法。     

硅基微带天线损耗机理分析

硅基微带天线存在损耗大、效率低、增益不足等问题。其成因在于以下五种损耗:1.金属贴片及匹配微带线的导体损耗。2.介质的介电损耗。3.表面波损耗。4.半导体基底的电阻性损耗。5.由基底与绝缘层交界面上的载流子运动导致的界面损耗。在深入分析各种损耗的形成机理的基础上,研究了相应损耗的计算模型及其在总损耗中所占的地位,并提出了降低损耗的有效途径。实验结果显示,采用微机械(MEMS)工艺,在高阻硅与低介电常数介质的混合衬底上,生长一层多晶硅薄膜的方法,可有效降低损耗,使硅基微带天线单元的效率达到87%,增益达到8dB。     

氧化钨纳米线修饰多孔硅结构的制备及NO2气敏性能研究

针对多孔硅气敏传感器在室温下对NO2气体灵敏度较低、选择性不强的问题,采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,然后在多孔硅顶部溅射沉积金属钨薄膜并经高温热处理氧化形成WO3纳米线,制备出WO3纳米线修饰多孔硅结构及其气敏传感器,对WO3纳米线/多孔硅材料进行了SEM和XRD分析,测试了传感器室温下对NO2的气敏特性。结果表明,制备WO3纳米线的最佳热处理条件是700℃,此温度下增加金属钨膜溅射时间可提升WO3纳米线的生长密度? 所制备的传感器对NO2气体表现出反型气敏响应,特别是溅射1min金属钨的样品显示出优异的NO2室温探测能力与选择性,对4×10-6NO的气敏灵敏度是单纯多孔硅样品的 5.8倍。     

硅微陀螺漂移数据滤波方法研究

针对硅微陀螺测量信号特点,建立其测量信号-阶差分后的AR(2)信号模型,得到了硅微陀螺测量系统的状态方程和输出方程,根据该模型,采用鲁棒性很强的H_∞滤波方法,可以将静态漂移测量信号的标准差提高了一个数量级,动态信号的信噪比提高了6 dB,大大提高了硅微陀螺的测量精度.H_∞滤波效果和实时性比小波变换要好.     

化学气相淀积过程的热力学分析—Ga-Al-HCl-NH_3-H_2体系

本文叙述了以Ga—Al—HCl—NH_3—H_2体系淀积Ga_xAl_(l-x)N材料的热力学分析。所提出的计算程序可以予言在各种输入气流组成和淀积温度条件下体系中主要气态物种的平衡分压和固相组成及其淀积速率。并讨论了这些理论计算结果对于Ga_xAl_(l-x)N固溶体材料研制的指导意义。     

化合物C_(12)H_(10)N_4O_2的合成、晶体结构及量子化学研究

以2-吡啶甲酰肼为原料在甲醇和乙酸的混合溶液中合成了标题化合物C_(12)H_(10)N_4O_2。通过采用X射线单晶衍射仪测定了化合物的晶体结构,该晶体属于单斜晶系,空间群为C2/c,晶胞参数为a=1.34782(13)nm,b=1.11699(11)nm,c=0.75678(6)nm,α=90.00°,β=97.7550(10)°,γ=90.00°,V=1.12891(18)nm~2,Z=4,Dc=1.425 Mg.m~(-3),F(000)=504;最终偏差因子R_1=0.0492,wR_2=0.1249[对I>2θ(I)的衍射点]和R_1=0.0659,wR_2=0.1352[对所有衍射点]。该化合物分子由N-N键结合形成直线几何构型,分子间由弱的N—H…O氢键作用形成了二维网状结构。依据晶体结构数据使用程序Guassian 03对化合物进行了量子化学计算,探讨了化合物的分子轨道能量、原子净电荷布居规律和成键特征,分析了其活性原子,并预测了其稳定性。     

用硫化银电极和pH玻璃电极测定土壤和水中的H2S量

自然体系中H_2S对人和动、植物的危害作用已引起广泛的注意,有关这方面的研究工作时有报导。由于体系中H_2S的含量与pH、氧化还原强度、温度、某些金属离子如 Fe~(2+)、Mn~(2+)的存在等因素有关,所以用通常的化学方法较难正确反映体系中 H_2S 含量,而只代表总的硫化物量。前几年,我们曾研制成 H_2S 气敏电极并对土、水体系中的硫化物的化学平衡进行了研究,这方面的研究结果已报导。H_2S 气敏电极的使用既能测得 H_2S 本身的     

SO_4~(2-)微观水合结构DFT研究

运用密度泛函理论(DFT)计算方法系统研究硫酸根阴离子水合团簇,[SO_4(H_2O)_n]~(2-)(n=1-18),微观水合结构。理论计算采用ωB97XD泛函和6-311++G(d,p)基组。每个尺寸团簇结构,尽可能考虑所有合理初始结构,以此进行结构优化和频率分析等。结果表明,气相和液相条件下SO_4~(2-)与H_2O之间的相互作用能和溶剂稳定化能均与团簇尺寸n成线性关系,因此优化得到稳定结构均是合理构型。在[SO_4(H_2O)_n]~(2-)水合团簇稳定结构中,氢键的形式有两种,即溶质-溶剂(SO_4~(2-)…HOH)之间形成的对称双氢键,以及溶剂-溶剂(H_2O... HOH)之间形成的氢键。当SO_4(H_2O)_n]~(2-)水合团簇的尺寸为5个水分子时,由于水分子内氢键的形成,出现氢键环状结构,且团簇结构中出现水分子内氢键时,结构较为稳定。随着n增加,氢键结构逐渐变为网状直至稳定的笼状。通过能量参数和键参数分析可知,当团簇尺寸n≥18时,SO_4~(2-)第一水合层水分子数≥9,而第二水合层还有待进一步研究。同时随着浓度降低SO_4~(2-)与H_2O分子之间总相互作用能增加,溶液中溶剂-溶质相互作用增强。     

多孔硅的I-V特性及NO2气敏特性研究

采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品.利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌,研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向I-V特性及低浓度NO2气敏特性的影响.结果表明,多孔硅的横向I-V特性表现出非整流的欧姆接触;多孔硅的孔隙率及其对低浓度NO2的灵敏度均随腐蚀电流密度的增大而增加.当腐蚀电流密度为90 mA/cm2,腐蚀时间为30 min时,所得多孔硅气敏元件对体积分数为200×10-9的NO2的灵敏度可达到5.25,响应时间与恢复时间约分别为14 min与10 min.     

配合物{Cu[PHBA]2(H2O)3}(H2O)3的水热合成、晶体结构、电化学分析及量化计算

在甲醇和水的混合溶剂中通过水热反应,以对羟基苯甲酸和4,4′-联吡啶为配体合成了配合物{Cu[PHBA]_2(H_2O)_3} (H_2O)_3,并测定了配合物的晶体结构,该晶体属三斜晶系,空间群c2(1),晶胞参数为:a=2.4428(5)nm,b=1.14476(17)nm,c=0.72516(11)nm,α=β=γ=90.00°,V=2.0278(6)nm~3,Dc=1.578g/cm~3,Z=4,F(000)=1004。最终偏离因子R_1= 0.0304,wR_2=0.0796。配合物中Cu(Ⅱ)离子与2个对羟基苯甲酸的2个羧基O原子及3个水分子中的3个氧原子配位,形成三角双锥结构,铜位于结构中心。结合晶体结构对配合物进行了电化学性质分析和量子化学计算。     

应用离子选择性电极进行溶液热力学研究(Ⅰ)——NaX(X=F、Cl、Br、I)由水到甲醇—水及二甲基甲酰胺—水体系标准迁移自由能的测定。

本文采用卤素(F~-,Cl~-,Br~-,I~-)阴离子选择电极与Na~+玻璃电极组成无液接界电池,测定了Nax由H_2O到CH_3OH—H_2O和DMF—H_2O混合溶剂的标准迁移自由能△G_t°。对于卤离子△G_t°的变化规律作了讨论。本文的实验结果与经典的汞齐法比较,符合到±1mv,相当迁移自由能为20calmol~(-1)。对于NaF—CH~3OH—H_2O体系,用氟离子选择电极得到的实验结果与A、K、Covington等的结果能符合得很好。     

多孔硅的Ⅰ-Ⅴ特性及NO2气敏特性研究

采用双槽电化学腐蚀法在p＋单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品。利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌,研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向Ⅰ-Ⅴ特性及低浓度NO2气敏特性的影响。结果表明,多孔硅的横向Ⅰ-Ⅴ特性表现出非整流的欧姆接触;多孔硅的孔隙率及其对低浓度NO2的灵敏度均随腐蚀电流密度的增大而增加。当腐蚀电流密度为90mA／cm^2,腐蚀时间为30min时．所得多孔硅气敏元件对体积分数为200&#215;10^-9的NO2的灵敏度可达到5．25,响应时间与恢复时间约分别为14min与10min。     

三羰基(三甲硅基)环戊二烯基钼负离子及其钼氢化合物的电子结构及化学键研究

用G98W程序和Lanl2dz基组,全结构优化三羰基(三甲硅基)环戊二烯基钼负离子[(Me_3SiC_5H_4)Mo(CO)_3]~-(Ⅰ)及三羰基(三甲硅基)环戊二烯基钼氢化合物[(Me_3SiC_5H_4)MoH(CO)_3](Ⅱ)。振动频率分析和单点能计算结果表明,位于环戊二烯环(Cp)上的钼能形成半夹心结构的"稳定"化合物。其键长、原子电荷、分子轨道成份和前沿轨道能都表明,钼原子与环戊二烯通过p-d作用形成"氢键",Cp环碳上的p电子和Mo原子d轨道的电子,向钼原子的p轨道转移,形成电荷转移配位化合物。     

H_2M(CO)_4(M=Fe,Ru,Os)···CH_3OH/H_2O中弱相互作用的理论研究

金属氢化物因其在有机化学、药物化学及工业生产中发挥着重要作用而备受关注。本文利用量子化学计算方法,使用w B97xd密度泛函,Ru和Os原子采用aug-cc-pVDZ-PP、其它原子采用aug-cc-pVDZ基组,对由金属氢化物H_2M(CO)_4(M=Fe,Ru,Os)和常见小分子CH_3OH/H_2O间形成的复合物H_2M(CO)_4…CH_3OH/H_2O(M=Fe,Ru,Os)中的弱相互作用进行了研究。采用电子密度拓扑分析方法分析了复合物中MH…H键键的作用本质。计算结果表明,此类MH…H相互作用属于闭壳层弱相互作用;对于相同的电子给体,H_2M(CO)_4(M=Fe,Ru,Os)与CH_3OH形成的MH…H作用要强于其与H_2O形成的MH…H作用;对相同的电子受体,MH…H相互作用的强度按照M=Fe,Ru,Os的顺序依次增强。     

1-硅萘和2-硅萘与腈氧化物1,3偶极环加成反应理论研究

采用密度泛函理论(DFT)方法在B3LYP/6-311G(d,p)水平研究了1-硅萘和2-硅萘与腈氧化物的1,3偶极环加成反应的微观机理、势能剖面及取代基对反应势能剖面的影响。计算结果表明,所研究反应均以协同但非同步的方式进行,且总是Si-O键先于C-C键形成。1-硅萘和2-硅萘分子中Si原子上的给电子和吸电子取代基均有利于反应的进行。1-硅萘和2-硅萘具有相似的反应性,且二者的反应性均高于硅苯。