热生长超薄栅氧化层的空穴击穿机理与碰撞电离模型

分析了超薄栅氧化层击穿的碰撞电离模型,并对空穴击穿机理进行了详细描述,为超栅氧化层的击穿机理的深入研究及超薄栅氧化层击穿模型的建立奠定了基础。     

储层岩石的三维逾渗模型研究

研究储层中的石油流通状况与逾渗规律,一直是油田开发领域的重点。基于逾渗理论,运用数值模拟方法建立三维逾渗模型,能够模拟储层岩石的裂缝连通团分布情况、逾渗规律、逾渗阈值,并判断其是否可渗透。结果表明,连通概率从0开始增加时,总簇数增加。连通概率增加到0.17时,总簇数开始减少;连通概率较小时,逾渗概率随着连通概率的增加缓慢增加,连通概率超过第一临界值时,逾渗概率的增长率突然增大,连通概率超过第二临界值时,逾渗概率再次开始缓慢增加并最终趋近于1;渗流集群可以准确地判定多孔介质是否可渗透,精准捕捉逾渗阈值。逾渗阈值的大小与介质的尺寸和形状都有关;最大簇大小与平均簇大小、最大簇大小与总簇数之间的关系没有明显的规律性。结论认为,此三维逾渗模型能够模拟多孔介质中由于连通概率变化所引起的长程联结性突变,可以用它模拟岩石的渗透性与逾渗规律。     

上覆岩层裂隙演化逾渗模型研究

基于裂隙聚团演化过程表现出的临界特征,利用逾渗理论,建立上覆岩层的逾渗模型,并分别分析沿走向和倾向条件下采动裂隙的逾渗特性.根据相似模拟试验结果,分析采动裂隙演化逾渗特性及周期来压之间的关系.结果表明:所建逾渗模型中逾渗概率、裂隙率、逾渗团大小、竖向破断裂隙概率、离层裂隙概率可以较为完备地定量描述裂隙特征,为建立裂隙与渗透率等相关参量的定量关系提供合适的数学载体.     

SITH栅-阴击穿特性分析

分析了SITH沟道与外延层反向耐压承受能力，并通过对不同芯片的栅-阴击穿电压特性的测试结果的分析研究，论述了台面腐蚀是直接影响VGK及器件I-V特性的主要因素。     

薄栅介质的电子俘获击穿机理及物理模型

氧化层的经时击穿是集成电路中一个非常重要的问题．从理论上分析了氧化层经时击穿的电子俘获击穿机理，给出了相关的物理模型，同时指出了一些物理模型中存在的问题，为进一步研究氧化层的经时击穿机理及氧化层经时击穿可靠性的建模提供了理论依据．     

电介质击穿逾渗模型中的标度律

目的电介质材料中的无序对于电介质击穿是非常敏感的．本文将对不均匀电介质中的电击穿特性进行研究．方法建立了一个简单的内含无序的电介质击穿模型,并采用重整化群方法进行研究．结果得到了击穿的逾渗阈值Pc,击穿场强与逾渗阈值Pc的关系式Ec～（Pc－P）v,和分形维数df．结论无序材料电介质的击穿规律满足标度律,并且临界指数是普适的．     

逾渗理论在燃烧科学中的基本用法（二）

本文介绍逾渗理论在燃烧领域的基本用法，着重论述了该理论对燃烧过程中发生的破碎、燃烧和脱硫等重要过程的应用。     

超深亚微米n沟道Si-MOSFET中栅介质的击穿

通过改变Si-MOSFET的栅电压、源电压、漏电压和栅氧化层厚度等参数,分析和求解栅介质下载流子迁移率、沟道内电流密度、电场、雪崩产生密度以及隧穿电流的变化,得出当源、漏偏压分别为0.5V和1.0V时,增大栅极电压到18V时,栅氧化层(3nm)被永久性击穿;而在栅、源、漏偏压分别为5V、0.5V、1.0V不变时,减薄栅氧化层到0.335nm时,栅氧化层被永久性击穿。     

4H-SiC器件击穿特性的新型解析模型

基于4H-SiC材料参数，同时考虑雪崩碰撞和带间隧穿两种机制，建立了一套新型击穿解析模型．模型中首次考虑了雪崩碰撞和带间隧穿两种机制，能够反映温度、掺杂浓度等参数对器件击穿特性的影响．利用这一模型计算得到4H-SiC微波功率MESFET极限功率特性．采用MNlTAB编程工具计算得到的结果与实验结果符合较好．     

大型翻板闸门流体激振的双模型试验研究

针对水工闸门的流激振动普遍存在的情况下，振动强度难以预测的问题，通过双模型试验获得结构振动响应特征，即通过变态相似的水力学模型试验获得流体激振载荷功率谱密度，借助严格比例的结构模型试验获得液固耦合下的结构分析点的传递函数，通过数值计算得到不同工况下闸门过流时的振动随机响应特征.在某大型翻板闸门的应用结果表明，该方法合理有效，通过模型试验与随机响应计算，预测实际流激振动的随机响应特征量；门顶过流时该闸门的振动响应集中在低频段，不会产生共振现象，同时该闸门对波浪载荷作用将是敏感的，必须给予充分关注.     

汗华水电站表孔弧形闸门流激振动试验

采用完全水弹性相似模型试验的方法,对巴基斯坦汗华水电站表孔弧形闸门的流激振动情况进行了研究.动力响应试验结果表明:大弧门和舌瓣门的自振频率均避开了水流脉动压力高能区,运行中可避免因振动频率相近而引发的自激振动.另一方面,闸门振动加速度的大小与止水设置情况密切相关,在闸门运行过程中,应尽量避开加速度最大和动应力最大的工况.     

基于航班间晚点传播的机场停机位分配模型及算法

针对机场航班进入指定停机位的晚点时间分析,以在同一停机位上的两相邻航班间晚点传播时间作为评价机场停机位分配服务质量的标准,建立了机场停机位分配最优化模型。为机场管制人员提供一个停机位分配的优化方案,以期尽量降低延误的后续影响。最后,结合中国某机场的实际数据,利用禁忌搜索算法进行求解,其结果具有一定的实际意义。     

基于网络流理论的停机位实时再分配模型

针对机场停机位再分配的延时性和乘客满意度不高的问题,采用二值整数多商品网络流模型,将不同停机位映射为不同商品,建立了以燃油消耗成本和对乘客舒适度影响最小的双目标停机位实时再分配优化模型.以某大型机场某一天的时刻表为例,模拟两种不同规模停机位实时分配方案.结果表明,二值整数多商品流停机位实时再分配模型在两种规模仿真实验中,停机位再分配时间最长为4. 187 5 s,机位最多调整个数为2,该模型具有良好的时效性和乘客满意度.     

The research of breakdown structure and coding system for construction project

Whether the breakdown structure and coding system of construction projects are reasonable or not determines to a large degree the performance level of the entire project management. We analyze in detail the similarities and differences of two kinds of decomposing methods classified by type of work and construction elements based on the discussion of international typical coding standards system designing. We then deduce the differential coefficient relation between project breakdown structure (PBS) and work breakdown structure(WBS). At the same time we constitute a comprehensive construction project breakdown system including element code and type of work code and make a further schematic presentation of the implementation of the system ‘ s functions.     

Gate oxide punching thru mechanism in plasma dry etching

The punching thru mechanism of gate oxide (thickness about 15A) was investigated. Because of the thin thickness of gate oxide, gate oxide punching thru may easily happen during the plasma process. It was found that what caused the punching thru was not only the selectivity of poly-silicon/oxide but also the pattern topography. We used the basic SRAM pattern to check this topography effect, and found that gate oxide located at the narrow spacing of two parallel serpentine lines was the most easily punched thru. What caused the topography effect was the starvation of oxygen in these places which were induced by the residue of poly-silicon and enhanced by electron shading effect. So, to solve the issue of gate oxide punching thru, firstly the selectivity should be enough, secondly we should pay attention to the etching pattern topography. Supported by the National High-Tech Research and Development Program of China (“863” Project) (Grant No. 2006AA843134) and the National Basic Research Program of China ("973" Project) (Grant No. 2007CB935302)