共查询到20条相似文献,搜索用时 9 毫秒
1.
硅烷气体分别和氮气、氧化亚氮(N_2O)通过射频电场产生辉光放电等离子体,以此增强化学反应降低淀积温度,在常温至350℃的条件下淀积了氮化硅和二氧化硅。 本文给出了在不同射频功率,淀积温度和硅烷气浓度条件下所得的淀积速率,薄膜腐蚀速率、折射率等主要实验数据以及红外透射光谱、俄歇电子能谱分析结果。 相似文献
2.
已经证明,用气相施主分子,可以快速(3O00A/分)的进行光化学淀积二氧化硅。利用ArF激光器(193nm)来激励并离介硅烷(SiH_4)和笑气(M_2O)分子进行淀积,与早期的用汞灯不相干光进行辐照淀积氧化物相比,其淀积速度快,可达到汞灯的20倍的淀积速率,在特定范围内,受离介反应的限制。并受紫外光(UV)对衬底直接碰撞的影响。 相似文献
3.
以化学气相淀积工艺制备二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅薄膜,已成功地用作半导体器件的钝化膜。用低温(L_T)CVD制备SiO_2/InSbMOS器件及红外敏感元件的工艺研究也有不少的报导。但是Vasque以XPS法研究220℃温度下形成的SiO_2/InSb的界面时,发现在淀积过程中,可能由于硅烷氧化不完全,在二氧化硅-自然氧化物的界面形成元素铟,在自然氧化物-锑化铟界面形成元素锑,从而产生了分布不均匀的高浓度的界面态。七十年代中期,随着大型等离子增强化学气相淀积(PECVD)反应器的研制成功,大量的文章介绍了以低温PECVD技术制备半导体器件的钝化膜的基础研究及应用研究。Ta-keo Yoshimi及Pan认为PECVD二氧化硅膜的台阶覆盖比L_TCVD工艺好。Schimi- 相似文献
4.
廖佐 《电子工业专用设备》2003,32(3):55-57
采用液态有机硅源的等离子体增强化学气相淀积设备是通向深亚微米时代的桥梁。介绍研制的液态源化学气相淀积设备的工作原理、结构特点和工艺结果,制备的SiO2薄膜膜厚均匀性±2%,折射率1.452±0.014,生长速率40nm?min。 相似文献
5.
R.P.Vasquez 《激光与红外》1985,(3)
实验为研制不同的界面层来构成MIS结构,制作了若干InSb(?)样品用以代表不同工艺阶段。经标准的清洗后得到了具有天然氧化层的样品。采用立式反应器进行低温化学汽相淀积,在上述样品上淀积了260(?)SiO_2层。淀积时,氧和硅烷(N_2作输运气体)在220℃下在靠近样品处混合,从而只在样品表面上形成SiO_2。对被有氧化层的样品用化学法进行纵向剥蚀,以检测其成份和结构的差异。 相似文献
6.
一、引言窄禁带材料的MOS工艺需要寻找击穿特性合适的、化学稳定性好的高质量介质膜。但是大多数III—V族化合物半导体的原生氧化物化学计量比不稳定,组分不均匀,易水解。因此,近来大量的工作致力于发展与这些半导体的化学性质相适宜的淀积介质膜。低温化学汽相淀积(LTCVD)技术是制备这种介质膜的特别有希望的方法。在InSb单晶衬底上淀积SiO_2得到的化学系统,近来被推荐用于制备红外CCD成象列阵。SiO_2的稳定性、纯度加之工艺简单使这种介质膜颇具吸引力。研究得出的结论是,电性活泼的表面态仍然是因淀积时淀积物与原生氧化物之间的相互作用而引起的。文中采用x射线光电子能谱和较为缓和的化学腐蚀作纵向剖面分布,从而研究考察这种相互作用的化学本质。 相似文献
7.
用同Ebert研制成的类似的氧离子源研究了SiO_2和TiO_2膜的反应淀积。这离子源通过直流气体放电产生负氧离子,然后用石墨出孔把锥形负离子束引向衬底。此源在400V放电电压下产生1.26mA的离子流。淀积所用原料是由电阻加热舟蒸发的SiO和TiO。测得TiO_2膜的光学常数表明,提高离子流就降低了膜的吸收常数,提高了膜的折射率。借助红外衰减全反射率测量研究SiO_2膜的化学配比、潮气含量及悬挂键。这些测量指出,离子流提高时,SiO_2膜的化学配比接近SiO_2。 相似文献
8.
随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小,相应地也对芯片制造工艺提出了更高的要求,其中一个具有挑战性的难题就是绝缘介质在各个薄膜层之间均匀无孔的填充,以提供充分有效的隔离保护,包括浅槽隔离(Shallow-Trench-Isolation),金属前绝缘层(Pre-Met-al-Dielectric),金属层间绝缘层(Inter-Metal-Dielec-tric)等等。本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积(HDPCVD)工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来,以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。图1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD工艺的典型应用。 相似文献
9.
采用红外吸收光谱(TR),俄歇能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS),二次离子质谱(SIMS)及气相色谱等方法对光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行了分析。 相似文献
10.
11.
本文介绍了一种生长磷硅玻璃(PSG)的新方法,即等离子体化学汽相淀积(PCVD),给出了一些基本试验数据,并与一般采用的常规CVD工艺作了对比. 相似文献
12.
在无汞敏化的条件下,采用能发射高能光子的氘灯直接照射激活的方法,进行了在低温光—CVD生长SiO_2薄膜的尝试。业已证实,在衬底温度为84℃时薄膜已开始生长,但要获得高质量薄膜,衬底温度需高于170℃。在170℃左右薄膜的淀积速率约为100(?)/min。折射率为1.44~1.46。在衬底温度高于175℃时,用这种方法淀积的薄膜没有出现与红外吸收峰有关的Si—H键。在相同温度下用热—CVD法淀积的膜有红外吸收峰。 相似文献
13.
本文论述了金刚石薄膜的优点,比较了化学淀积金刚石薄膜的常用方法的优缺点,主要介绍了电容耦合射频化学气相淀积金刚石薄膜的原理和近期国际对典型电容耦合气相淀积设备的改进研究。 相似文献
14.
晓晨 《激光与光电子学进展》2002,39(7):46-49
1 公司概况●1983年从德国亚琛工业大学独立出来;●1987年成立美国AIXTRON公司;●1997年上市;●1999年收购英国ThomasSwan公司;●1999年拥有瑞典EPIGRESS公司70%的股份;●2000年拥有法国J.I.P.电子公司7.4%的股份;●2001年成立韩国AIXTRON台湾AIXTRON和日本AIXTRON公司;●2002年4月成立中国AIXTRON上海办事处。作为半导体外延设备的主要供应商,AIXTRON公司在全世界安装了600多套设备,并在15个国家有常驻代表。公司有大规模的网络支持,能对产品售后及升级换代提供良好的服务。由于在全球范围内有优质的客户… 相似文献
15.
16.
17.
18.
19.