钝化膜的低温等离子体淀积

硅烷气体分别和氮气、氧化亚氮(N_2O)通过射频电场产生辉光放电等离子体,以此增强化学反应降低淀积温度,在常温至350℃的条件下淀积了氮化硅和二氧化硅。 本文给出了在不同射频功率,淀积温度和硅烷气浓度条件下所得的淀积速率,薄膜腐蚀速率、折射率等主要实验数据以及红外透射光谱、俄歇电子能谱分析结果。     

激光诱导化学气相淀积SiO_2薄膜

已经证明,用气相施主分子,可以快速（3O00A/分）的进行光化学淀积二氧化硅。利用ArF激光器（193nm）来激励并离介硅烷（SiH_4）和笑气（M_2O）分子进行淀积,与早期的用汞灯不相干光进行辐照淀积氧化物相比,其淀积速度快,可达到汞灯的20倍的淀积速率,在特定范围内,受离介反应的限制。并受紫外光（UV）对衬底直接碰撞的影响。     

等离子增强化学气相淀积钝化膜在红外探测器中的应用

以化学气相淀积工艺制备二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅薄膜,已成功地用作半导体器件的钝化膜。用低温(L_T)CVD制备SiO_2/InSbMOS器件及红外敏感元件的工艺研究也有不少的报导。但是Vasque以XPS法研究220℃温度下形成的SiO_2/InSb的界面时,发现在淀积过程中,可能由于硅烷氧化不完全,在二氧化硅-自然氧化物的界面形成元素铟,在自然氧化物-锑化铟界面形成元素锑,从而产生了分布不均匀的高浓度的界面态。七十年代中期,随着大型等离子增强化学气相淀积(PECVD)反应器的研制成功,大量的文章介绍了以低温PECVD技术制备半导体器件的钝化膜的基础研究及应用研究。Ta-keo Yoshimi及Pan认为PECVD二氧化硅膜的台阶覆盖比L_TCVD工艺好。Schimi-     

液态源化学气相淀积制备SiO_2薄膜的设备研制

采用液态有机硅源的等离子体增强化学气相淀积设备是通向深亚微米时代的桥梁。介绍研制的液态源化学气相淀积设备的工作原理、结构特点和工艺结果,制备的SiO2薄膜膜厚均匀性±2%,折射率1.452±0.014,生长速率40nm?min。     

InSb上化学汽相淀积SiO_2界面形成的X射线光电子谱研究

实验为研制不同的界面层来构成MIS结构,制作了若干InSb(?)样品用以代表不同工艺阶段。经标准的清洗后得到了具有天然氧化层的样品。采用立式反应器进行低温化学汽相淀积,在上述样品上淀积了260(?)SiO_2层。淀积时,氧和硅烷(N_2作输运气体)在220℃下在靠近样品处混合,从而只在样品表面上形成SiO_2。对被有氧化层的样品用化学法进行纵向剥蚀,以检测其成份和结构的差异。     

InSb与化学汽相淀积SiO_2间界面的X射线光电子能谱研究

一、引言窄禁带材料的MOS工艺需要寻找击穿特性合适的、化学稳定性好的高质量介质膜。但是大多数III—V族化合物半导体的原生氧化物化学计量比不稳定,组分不均匀,易水解。因此,近来大量的工作致力于发展与这些半导体的化学性质相适宜的淀积介质膜。低温化学汽相淀积(LTCVD)技术是制备这种介质膜的特别有希望的方法。在InSb单晶衬底上淀积SiO_2得到的化学系统,近来被推荐用于制备红外CCD成象列阵。SiO_2的稳定性、纯度加之工艺简单使这种介质膜颇具吸引力。研究得出的结论是,电性活泼的表面态仍然是因淀积时淀积物与原生氧化物之间的相互作用而引起的。文中采用x射线光电子能谱和较为缓和的化学腐蚀作纵向剖面分布,从而研究考察这种相互作用的化学本质。     

离子辅助淀积SiO_2和TiO_2膜的特性

用同Ebert研制成的类似的氧离子源研究了SiO_2和TiO_2膜的反应淀积。这离子源通过直流气体放电产生负氧离子,然后用石墨出孔把锥形负离子束引向衬底。此源在400V放电电压下产生1.26mA的离子流。淀积所用原料是由电阻加热舟蒸发的SiO和TiO。测得TiO_2膜的光学常数表明,提高离子流就降低了膜的吸收常数,提高了膜的折射率。借助红外衰减全反射率测量研究SiO_2膜的化学配比、潮气含量及悬挂键。这些测量指出,离子流提高时,SiO_2膜的化学配比接近SiO_2。     

高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)工艺

随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小,相应地也对芯片制造工艺提出了更高的要求,其中一个具有挑战性的难题就是绝缘介质在各个薄膜层之间均匀无孔的填充,以提供充分有效的隔离保护,包括浅槽隔离(Shallow-Trench-Isolation),金属前绝缘层(Pre-Met-al-Dielectric),金属层间绝缘层(Inter-Metal-Dielec-tric)等等。本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积(HDPCVD)工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来,以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。图1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD工艺的典型应用。     

光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——Ⅱ光化学气相淀积氮化硅膜的性质

采用红外吸收光谱(TR)，俄歇能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)，二次离子质谱(SIMS)及气相色谱等方法对光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行了分析。     

InP上等离子增强化学汽相淀积SiO_2膜及其MIS结构C-V特性研究

本文研究了利用正硅酸乙酯在InP上等离子增强化学汽相淀积SiO_2膜的方法.研究了InP表面处理对SiO_2-InP界面的影响.测量分析了SiO_2膜的性质,InP-MIS结构的C-V特性及其滞后、频散效应.结果指出,用这种方法可获得性能较好的SiO_2膜和SiO_2-InP界面.     

等离子体化学汽相淀积磷硅玻璃

本文介绍了一种生长磷硅玻璃(PSG)的新方法,即等离子体化学汽相淀积(PCVD),给出了一些基本试验数据,并与一般采用的常规CVD工艺作了对比.     

氘灯光致SiO_2薄膜化学汽相淀积

在无汞敏化的条件下,采用能发射高能光子的氘灯直接照射激活的方法,进行了在低温光—CVD生长SiO_2薄膜的尝试。业已证实,在衬底温度为84℃时薄膜已开始生长,但要获得高质量薄膜,衬底温度需高于170℃。在170℃左右薄膜的淀积速率约为100(?)/min。折射率为1.44～1.46。在衬底温度高于175℃时,用这种方法淀积的薄膜没有出现与红外吸收峰有关的Si—H键。在相同温度下用热—CVD法淀积的膜有红外吸收峰。     

RF化学气相淀积金刚石薄膜

本文论述了金刚石薄膜的优点，比较了化学淀积金刚石薄膜的常用方法的优缺点，主要介绍了电容耦合射频化学气相淀积金刚石薄膜的原理和近期国际对典型电容耦合气相淀积设备的改进研究。     

AIXTRON化学气相淀积系统工程公司简介

1 公司概况●1983年从德国亚琛工业大学独立出来；●1987年成立美国AIXTRON公司；●1997年上市；●1999年收购英国ThomasSwan公司；●1999年拥有瑞典EPIGRESS公司70%的股份；●2000年拥有法国J.I.P.电子公司7.4%的股份；●2001年成立韩国AIXTRON台湾AIXTRON和日本AIXTRON公司；●2002年4月成立中国AIXTRON上海办事处。作为半导体外延设备的主要供应商，AIXTRON公司在全世界安装了600多套设备，并在15个国家有常驻代表。公司有大规模的网络支持，能对产品售后及升级换代提供良好的服务。由于在全球范围内有优质的客户…     

低压化学气相淀积计算机模拟

讨论了一个二驱动模型,分析气体在淀积过程中的反应机理,将气体的淀积过程分为各向同性和各向异性的结合,在此基础上提出一个LPCVD二维淀积模型,模型考虑了中间产物的作用,将粘滞系数转换为各向同性和各向异性（Runi／Rd）的比值,这个模型在结构上比较简单,计算方便,因此能得到与实际较为符合的结构．通过C语言编程将模型变为程序,使用线算法使得程序较为简单,计算速度非常快。利用该软件在给定的工艺条件下模拟得到符合实验数据的结果.     

等离子体淀积氮化硅膜的含氢量分析

采用弹性反冲法分析等离子体淀积氮化硅薄膜中的氢含量,并结合运用RBS和核反应~(16)O(d,p)~(17)O法给出了氮化硅膜中硅、氮组分比及杂质氧的含量。文中指出了基体温度从室温到560℃范围变化时,氮化硅膜的硅、氮、氢组成比例的变化,及与其它特性(折射率、密度、腐蚀速率)的相关性。     

激光化学气相淀积铁薄膜

用氯化氙准分子激光分解Fe(CO)_5在石英片上沉积铁薄膜.研究了激光能量密度、淀积时间对膜层特性的影响,获得最大淀积速率1.7nm/脉冲     

液态源PECVD淀积SiO_2和PSG膜用于硅大功率晶体管台面钝化的探索

本工作首次采用液态源在200℃低温下PECVD淀积SiO_2和PSG膜,用于3DD系列功率晶体管的台面钝化.通过台面钝化和表面局部剥离钝化膜的工艺,晶体管的电学特性明显地变好,较大幅度地提高了烧结工艺的成品率,并对钝化过程中出现的问题进行了理论分析.钝化膜具有较好地抗Na~+、Cu~(++)离子沾污的能力,全面地通过了例行实验的考核,这种新工艺必将对晶体管生产效率和稳定性产生可观的影响.     

半导体材料的激光化学气相淀积

半导体材料的激光化学气相淀积即光CVD(Pheto-Chemical Vaporous Deposition)是近几年发展起来的低温淀积技术。它具有淀积温度低、薄膜均匀、光电性能优良、选择性好和易于控制等特点。本文着重于介绍光CVD的原理、特点、工艺、设备及在氢化非晶硅、二氧化硅、氮化硅及其它半导体材料中的应用。