LD抽运的Nd∶YLF /Cr4 + ∶YAG被动调Q激光器

报道了激光二极管(LD ) 抽运的Nd ∶YLF 激光器, 采用平凹腔结构, 分别用两片 Cr4 + ∶YAG可饱和吸收晶体,实现了被动调Q,输出激光波长为1053nm。采用厚度为0. 5mm小信号透过率为90%的Cr4 + ∶YAG,在泵浦功率最大为17W时,输出脉冲宽度为60. 6ns,平均功率为1. 5W,重复频率为9. 5kHz,单脉冲能量为157. 9mJ;采用厚度为0. 55mm小信号透过率为95%的Cr4 + ∶YAG,在泵浦功率最大为17W时,输出脉冲宽度为68. 6ns,平均功率为1. 35W,重复频率为14kHz,单脉冲能量为96. 4mJ。     

国外简讯

由Siemens Matsushita公司生产的F4957型SAW滤波器,其3dB通带为10.6MHz,适用信道间隔为12MHz,插损为24dB.群延迟波纹为±25ns.残余边带宽度为750kHz.滤波器采用的外壳为SIP5L.体积为19.9mm×12mm×5.5mm.另由该公司在F4957基础上研制而成的F4962M型SAW滤波器,其3dB通带为11.6MHZ.信道间隔为12MHZ.插损值为26dB.群延迟波纹为±25ns,残余边带宽度为400kHz,封装外壳为SIP5K.体积为8.7mm×17.3mm×4mm.     

W波段InP DHBT宽带高功率压控振荡器（英文）

成功实现了一款具有高输出功率和宽频率调谐范围的基波压控振荡器.其制作工艺为0. 8μm InP DH-BT工艺,晶体管的最大fT和fmax分别为170和250 GHz.电路核心部分采用了为高频应用改进的平衡式考毕兹拓扑,在后面添加一级缓冲放大器来抑制负载牵引效应,并提升了输出功率. DHBT的反偏CB结作为变容二极管来实现频率调谐.芯片测试结果表明,压控振荡器的频率调谐范围为81～97. 3 GHz,相对带宽为18. 3%.在调谐频率范围内最大输出功率为10. 2 dBm,输出功率起伏在3. 5 dB以内.在该压控振荡器的最大调谐频率97. 3 GHz处相位噪声为-88 dBc/Hz@1MHz.     

一种具有高填充因子吸收层和低失调低噪声读出电路的红外探测系统

使用红外探测器及读出电路,研制成功非制冷红外探测系统.探测器用二极管作为温度传感器,使其与集成电路工艺相兼容.采用了新的器件结构,使得填充因子从20%提高到80%.器件的微机械结构面积为35μm×35μm.读出电路的失调电压为3μV.探测器的输出噪声为2μV.探测器的电压响应率为7 894.7 V/W,黑体探测率D*为1.56×109cmHz1/2/W,噪声等效温差为330 mK,响应时间为27 ms.     

980nm氧化物限制的垂直腔面发射激光器

采用低压金属有机化合物气相外延(L P- MOCVD) ,制备了顶端发射氧化物限制、内腔接触结构980 nm的垂直腔面发射激光器.应用了选择氧化和自对准工艺来实现电流限制.在2 8m A脉冲电流驱动下,器件的输出功率为10 .1m W,斜率效率为0 .4 6 2 m W/ m A.脉冲工作下,最高输出功率为13.1m W.室温连续工作下,输出功率为7.1m W,发射波长为974 nm ,光谱半宽为0 .6 nm.研究了氧化孔径对阈值电流和微分电阻的影响,结果表明较小的氧化孔径可以获得低的阈值电流.     

高速SOIMOS器件及环振电路的研制

设计了一种 1 0位 50 MS/s双模式 CMOS数模转换器 .为了降低功耗 ,提出了一种修正的超前恢复电路 ,在数字图象信号输出中 ,使电路功耗降低约 30 % .电路用 1μm工艺技术实现 ,其积分线性误差为 0 .46LSB,差分线性误差为 0 .0 3LSB.到± 0 .1 %的建立时间少于 2 0 ns.该数模转换器使用 5V单电源 .在 50 MS/s时全一输入时功耗为 2 50 m W,全零输入时功耗为 2 0 m W,电路芯片面积为 1 .8mm× 2 .4mm.     

光电器件

低功耗的激光器UMFL491二极管泵浦光纤激光器的发射波长为491nm,输出功率为10mW,光谱宽度小于1nm,平均光束直径为0.75mm±10%,光束的不对称度小于1.2:1,尺寸为70mm×34mm×125mm,10Hz～10MHz的光噪声小于1%rms,功率稳定度小于±2%,工作温度为4～50℃。Unique-m.o.d.e.http://www.unique-mode.com波长为527nm的绿色LEDXT-290的发射波长为527nm,适用于RGB光照、交通灯和标签等应用,典型前向电压为3.2V,电流为20mA时的发光功率为9mW。Creehttp://www.cree.com抗弯曲的LCD新型LCD采用6.5和8.4英寸VGA和12.1英寸SVGATFTLCD面板,…     

重要声明

<正>近期,我们在网上发现域名为http:∥www.xinxijs.cn、http:∥www.zazhitougao.com等的《信息技术》期刊网站,并附有投稿须知,在线投稿及邮箱投稿等内容。我编辑部特此声明:以上网站非我编辑部官方网站,《信息技术》的官网网址为:http:∥www.hein.com.cn,投稿邮箱为hein@mail.hein.com.cn,且本刊目前只接受邮箱投     

1986年南京邮电学院硕士研究生入学试题及题解

试题名称:数字通信原理 一、填充题:(每个空格1分,共30分) 1.以ZMb/,为基群的PCM系统中,其二次群、三次群、四次群的速率分别为 启.PCM为过载冲M为过载、 3.选择传输码型的主要条件是 _一,一,一0 4.POM传偷码型主要有:,,—6.再生中继器的主要功能是_,_,6.数字复接系统采用的码速调整技术主要有_7.数字复接系统中,PLL的主要特性是_, 8.帧同步码的插入方式有 捕捉帧同步码的主要方法为 如帧同步码为,位,则信码中出现假同步码的概率为_。由于信道误码(误码率为八)而出现假失步的概率为_。 9.数字调制主要有:,_,一一。 功.”级移位寄存器…     

机要局北京厦门MSTP专线电路时延大案例分析

1案例介绍 厦门市政府开通了一条到北京MSTP电路,速率6Mbit/s.该电路为汇聚型专线电路,汇聚口在北京,为GE口.中国电信集团相关部门发现,厦门到北京的这条电路,前期测试的时延达到110ms,相比其他省份,时延明显太大.电路信息见表1. 厦门采用华为3500设备,主控版本为5.21.18.50;板卡为N1EFT8,版本为7.54.前期的测试仪表为Acterna(JDSU) FST-2802以太网测试仪. 按照中国电信集团和福建电信的要求,进行进一步的分析、测试,问题处理过程和结论如下.     

Bi_2Cu_(0.1)V_(0.9)O_(5.35-δ)固态电解质化学溶液法的合成与性能

用化学溶液法合成了Bi2Cu0.1V0.9O5.35-δ(BICUVOX.10)材料,研究了材料的物相、表面形貌和电学特性.BICUVOX.10薄膜具有室温稳定的高电导γ相.在LaNiO3/Si衬底上,BICUVOX.10薄膜具有(001)择优取向,平均晶粒大小约为200nm.低频范围的介电损耗来源于氧空位的短程扩散,BICUVOX.10薄膜主要表现为晶粒电导特性.BICUVOX.10薄膜中氧离子电导激活能约为0.3 eV,氧离子电导率约为5×10-2S.cm-1.     

8bitCMOS高速电流型数模转换器设计

系统分析了高速电流型CMOS数模转换器的设计方法.设计了一种采样率为100ms/s,分辨率为8bit,电源电压为3.3v的CMOS电流型DAC.采用同步锁存技术增加了转换速度.电路仿真结果表明在采样率为100Ms/s,输入信号从直流到Nyquist频率,无杂散动态范围(SFDR)为59dB.积分线性误差(INL)和微分线性误差(DNL)分别为±0.5LSB和±0.3LSB.在采样率为100Ms/s,电源电压为3.3v时的功耗小于300mw.电路采用0.3um标准CMOS工艺实现.     

一种NCITS 256协议超高频无源射频识别标签

设计了一种符合NCITS 256协议的无源超高频射频识别标签.标签携带2kbit的标准商用EEPROM.在读卡器发射功率为915MHz 4W EIRP的情况下,芯片的读距离为1.5m,写距离为0.3m.芯片在SMIC 0.18μm EEPROM CMOS工艺下流片实现,面积为1mm×1mm.标签使用Dickson倍压电路从读卡器发射的电磁波中提取能量.Dickson倍压电路使用肖特基管实现,转换效率为25%.     

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一种NCITS 256协议超高频无源射频识别标签

设计了一种符合NCITS 256协议的无源超高频射频识别标签.标签携带2kbit的标准商用EEPROM.在读卡器发射功率为915MHz 4W EIRP的情况下,芯片的读距离为1.5m,写距离为0.3m.芯片在SMIC 0.18μm EEPROM CMOS工艺下流片实现,面积为1mm×1mm.标签使用Dickson倍压电路从读卡器发射的电磁波中提取能量.Dickson倍压电路使用肖特基管实现,转换效率为25%.     

国外简讯

美国安德森实验室推出的体声波(BAW)延迟线,中心频率为5—150MHz,延迟为125ns—2μs.器件标准延迟误差为±5ns,最佳可达±1ns.3dB的最小带宽为12MHz.插损为3—12dB,取决于频率和延迟时间.该BAW延迟线使用 21dBm的输入功率,组件可使用更高的功率电平.     

980nm氧化物限制的垂直腔面发射激光器

采用低压金属有机化合物气相外延(LP-MOCVD),制备了顶端发射氧化物限制、内腔接触结构980nm的垂直腔面发射激光器.应用了选择氧化和自对准工艺来实现电流限制.在28mA脉冲电流驱动下,器件的输出功率为10.1mW,斜率效率为0.462mW/mA.脉冲工作下,最高输出功率为13.1mW.室温连续工作下,输出功率为7.1mW,发射波长为974nm,光谱半宽为0.6nm.研究了氧化孔径对阈值电流和微分电阻的影响,结果表明较小的氧化孔径可以获得低的阈值电流.     

平板形电机

日本研制成电枢绕组为齿轮状,最大效率为35.7%的平板形无刷开槽电机.其绕组用蚀刻法(腐蚀铜箔)制造,为非螺旋形的齿轮状,据称能高效率地产生转向力.径向布线为放射状,垂直于转子转向,是为了增大转矩.新研制的这种电机直径为34mm,绕组与转子的间隙为1.5mm.电压为5V时的最大效     

1 024元线列PtSi肖特基势垒红外CCD

介绍了我们研制的1 024元线列PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD).器件采用最小2微米设计规则,两层多晶硅结构.器件的像元尺寸为30 μm×30 μm.器件采用品字形排列,占空比为100%.1 024位探测器存储的电荷分两路CCD到同一个浮置扩散放大器上输出.器件在80 K温度下工作.在积分时间为4毫秒及镜头为F/1条件下,器件噪声等效温差为0.1 K.用1 000 K黑体测得探测率D·为9.8×109 cm·Hz1/2·W-1.器件响应不均匀性为4.8%.介绍器件设计及性能测试结果.     

新产品

日本一家电子公司生产一种SLM701小型YAG激光点焊接机.该机的技术指标:波长为1064nm,最大脉冲能量为5J,脉冲频率为1Hz,脉冲宽为1.5ms,可根据用户需要变更.带有光纤导光部分.内装冷却器,不需供应水.其尺寸很小,为270(宽)×500(长)×870(高)mm,占地面积小.光纤导光后的加工头可根据用途随意使用.适合于小型部件的组装或者薄板的精密点焊接.