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14MeV中子引发SRAM器件单粒子效应实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在中国原子能科学研究院的高压倍加器装置上开展了SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应实验研究。介绍了中子的产生、中子注量率的测量和调节以及中子单粒子效应的测试等的实验方法,获得了HM628512BLP型和R1LV1616HSA型SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应截面。前者与文献的单粒子效应截面在误差范围内一致,验证了实验方法的科学性和可行性。后者与由效应机制出发获得的理论分析结果在量级上一致,对实验结果给出了定性的解释。 相似文献
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用几种阈能活化探测器测量了14MeV中子穿过不同厚度铁圆柱体的绝对活化反应率径向分布。利用MCNP4A/5程序和FENDL-2、ENDF/B-Ⅵ数据库对实验进行了模拟计算,并将计算结果与实验进行了比较。实验不确定度为6.1-7.1%。 相似文献
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在大体积贫化铀装置中,测量了一个14MeV中子与~(238)U作用产生的平均裂变数——p_f~(238U)(R_∞~贫)=0.897±0.036,测量了14MeV中子通量分布和贫化铀球中~(235)U同位素的平均裂变数。在系列球中完成了p_f~(238U)(R~贫)值的测量。对于φ600球,p_f~(238U)(R_(300)~贫)=0.823±0.041。贫化铀装置的密度ρ=18.8g/cm~3,总重2.8t。 相似文献
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利用Monte Carlo粒子输运计算程序Super MC对厚度1-5 cm的多种材料进行中子反射和屏蔽性能分析计算。这些材料包括金属材料铍、铅、铜、含硼钢以及~(238)U和非金属材料聚乙烯、氢化锂、混凝土,中子能段选取10~(-5) e V-20 MeV。结果显示,中子反射能力和屏蔽性能都会随着材料厚度而增加,但增加的幅度逐渐减小。铍和聚乙烯在中子反射和屏蔽方面性能优越,而常用来屏蔽γ射线的铅在这两方面性能都是8种材料中最差的。~(238)U只在材料厚度很小时性能卓著,随着材料厚度增加,其性能便远不如大部分材料。考虑到聚乙烯的力学性能较差,在屏蔽材料的选择上有很大的限制,所以在8种材料中,铍的综合性能相对较好。 相似文献
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基于MCNP程序模拟计算了不同孔隙度二氧化硅介质地层14 Me V中子慢化长度与中子迁移长度。首先,模拟计算了241Am-Be中子源条件下不同孔隙度Si O2介质地层的中子通量空间分布,并利用源距均方值公式计算得到了对应的中子慢化长度LS和中子迁移长度LM。与文献结果对比:中子特征长度LS与LM结果相对误差均值分别为1.20%与-2.60%;该结果验证了源距均方值公式计算中子特征长度的有效性和可行性。同样地,计算得到了不同孔隙度Si O2介质地层14 Me V中子的中子特征长度LS和LM;计算结果表明:14 Me V中子的中子特征长度同样随地层孔隙度的增加而降低;其中水的14Me V中子特征长度为LS=12.73 cm、LM=13.00 cm,Si O2的14 Me V中子特征长度为LS=30.08 cm、LM=34.31 cm;中子慢化长度LS结果与文献结果的相对偏差≤±3.1%。 相似文献
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我们利用600kV中子发生器,自制快速跑兔系统和高纯锗探测器(体积为75cm~3),对三个样品中的15种元素的14MeV中子活化分析灵敏度进行了测定。在本实验中灵敏度计算公式为: 相似文献
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[民主德国《同位素实践》1986年第7期第239页报道]埃及开罗大学及亚历山大大学的A.M.埃尔-卡蒂伯等三位科学工作者,在题目如上的论文中,介绍了用中活化分析方法研究某些样品,其中包括铁硅合金、锡石、铬铁矿、方铅矿和黄铁矿等所得的结果,并将它们与常规方法做了比较。他们用菲利浦公司的 相似文献