60GHz宽调谐范围推—推压控振荡器设计

基于65nmCMOS工艺实现了60GHz推—推压控振荡器（VCO）设计。采用互补交叉耦合去尾电流源结构以降低相位噪声。压控振荡器输出包含两级缓冲放大器,第二级缓冲放大器偏置在截止区附近以增大二次谐波的输出功率。在1.2/0.8V电源电压下,压控振荡器核心和缓冲放大器分别消耗2.43mW和2.95mW。在偏离中心频率1MHz处相位噪声为-90.7dBc/Hz。输出功率为-2.92dBm。特别的,压控振荡器的调谐范围达到9.2GHz（15.3%）,与调谐范围相关的性能指标FOMT为-182.7dBc/Hz。该压控振荡器可应用于57GHz～64GHz开放频段超高速短距离无线通信。     

8 GHz～12 GHz推-推压控振荡器设计

文章介绍了利用推-推的方法实现宽带低相噪压控振荡器,论述了其基本原理和分析方法,并利用计算机辅助设计(CAD)对该方法进行了分析.根据分析结果制作了8 GHz～12 GHz压控振荡器.测试结果表明,分析结果较好地反映了实际结果.推-推的方法能有效提高晶体管的工作频率,同时还可以改善压控振荡器的负载牵引能力.这种方法适用不同形式的器件,对高频率、宽频带压控振荡器的制作有一定指导意义.     

8GHz～12GHz推-推压控振荡器设计

文章介绍了利用推-推的方法实现宽带低相噪压控振荡器,论述了其基本原理和分析方法,并利用计算机辅助设计(CAD)对该方法进行了分析。根据分析结果制作了8GHz～12GHz压控振荡器。测试结果表明,分析结果较好地反映了实际结果。推-推的方法能有效提高晶体管的工作频率,同时还可以改善压控振荡器的负载牵引能力。这种方法适用不同形式的器件,对高频率、宽频带压控振荡器的制作有一定指导意义。     

微波固态FM压控振荡器的设计

本文介绍了微波固态ＦＭ压控振荡器的电路构成和工作原理，设计理论和分析方法。文中还给出了一个具体设计实例和实验结果。本文对从事微波发射源研制工作具有一定的理论指导意义和实际应用价值。     

闭环压控振荡器的设计

压控振荡器在许多电子设备中得到应用。平显火控系统中的f_d信号发生器实际上可以认为是一个压控振荡器。其输入信号是—控制电压即频偏调制电压,输出是频率与输入电压成线性关系的正弦波。开环压控振荡器对于输出频率与输入电压之间的线性关系难以保证。现在采用的ICL8038是一集成压控振荡器,其线性度在10倍程的频率范围内较好,而在更大范围内则有所下降。另外,该器件输出频率的温度稳定性不够高,特别是国产5G8038尽管价格较进口的ICL8038便宜近十倍,但温度稳定性更差。本文介绍一种闭环压控振荡器电路,以稳定输出频率与输入电压间的线性度。     

8-12GHz场效应管压控振荡器

<正>WZB862型高稳定度8-12GHz场效应管压控振荡器已研制成功并获得应用.该振荡器由砷化镓微波场效应管和砷化镓超突变结变容管组成,根据整机需要,兼有电调频带宽、调谐速度快、线性较好、工作稳定、直流至交流的转换效率高的特点,可用于各种微波系统中作为宽带振荡源.     

微带压控振荡器设计与仿真

介绍了S波段微带压控振荡器的设计方法,并使用微波仿真软件Serenade8.5对振荡器进行仿真分析,给出了仿真和实际电路的结果。     

基于单片机控制的微波压控振荡器设计

微波压控振荡器是一种常见的微波频率源,广泛应用于通信、测量等领域.由于压控振荡器自身的特性限制,很难得到线性可预知的频率输出.设计了一种基于单片机控制的微波压控振荡器,该系统实现频率的数字可控线性输出.系统同时考虑了环境温度对系统的影响,由单片机处理分析温度传感器获取的温度值,将其结果和用户输入电压叠加,经数/模转换、运算放大后控制微波压控振荡器的偏置电压,控制输出频率.经实际测试,系统达到了微波数控压控振荡器的技术要求.     

K波段推-推介质振荡器设计

为了满足现代通信系统对于高频率与高稳定性信号源的需求,提出一种K波段介质振荡器。该振荡器通过推-推结构将两路子振荡器合二为一,使其能够在一个电路中同时实现振荡器和倍频器。在介质谐振器的两条耦合微带线上增加变容二极管模块,通过改变变容二极管的偏置电压调整谐振器中传输信号的相位。变容二极管模块的加入能够有效降低有源器件不一致性对电路的影响,减少两个子振荡器在基频处对输出信号的干扰,同时让振荡器获得200 MHz左右的输出信号频率可调范围。测试结果表明:在输出频率为20.96 GHz时,输出功率约为-4.59 dBm,在10 kHz时达到-66.50 dBc/Hz的相位噪声,在100 kHz时达到-94.31 dBc/Hz的相位噪声,基波抑制度达到-25.42 dBc。     

宽带HBT VCO单片电路的设计和制作

针对传统采用的VCO设计理论,分析了VCO的基本结构及其工作原理,分析了负阻法和反馈法的优缺点,采用虚地法对VCO电路进行了分析和设计,从而简化了VCO的设计。同时利用EDA工具对微波宽带VCO单片电路进行优化和仿真,采用多种方法提高芯片性能。基于HBT工艺,设计出了宽带、低相位噪声的VCO单片电路,芯片工作电压为5V,工作电流为50～58mA,VCO振荡频率为3.2～6.2GHz,相噪为-73dBc/Hz@10kHz,输出功率11～14dBm。同时还阐述了采用片上外加变容管的优缺点以及改进方法。     

一种简易微波VCO的设计*

描述了一种高性能简易微波VCO器件的设计和实验。该器件基于负阻原理设计,利用微波FET和变容二极管等分立元件制作,具有高性价比的特点。设计过程中利用ADS软件进行电路的匹配和优化,通过合适的外电路设计对变容二极管VCO的调频线性度进行改善,同时,降低了VCO的相位噪声。实际电路的测试结果表明,当该VCO的中心频率为4.3GHz时,其调谐范围大于200MHz,输出功率大于5.2dBm,相位噪声优于-112dBc/Hz@1MHz和-83dBc/Hz@100kHz。     

宽带LC压控振荡器的相位噪声优化设计

采用0.35 μm BiCMOS工艺,设计了一款基于开关电容阵列结构的宽带LC压控振荡器.同时分析了电路中关键参数对相位噪声的影响.基于对VCO中LC谐振回路品质因数的分析,优化了谐振回路,提高了谐振回路的品质因数以降低VCO的相位噪声.采用噪声滤波技术,减小了电流源晶体管噪声对压控振荡器相位噪声的影响.测试结果表明,优化后的压控振荡器能够覆盖1.96～2.70 GHz的带宽,频偏为100 kHz和1 MHz的相位噪声分别为-105和-128 dBc/Hz,满足了集成锁相环对压控振荡器的指标要求.     

由RTD/MOSFET构成的压控振荡器的设计与实现

提出了一种基于负阻器件共振隧穿二极管(RTD)与MOSFET结合的新型压控振荡器(VCO),并利用了高级设计系统(ADS)软件对该振荡器的可行性进行了电路仿真,利用分立RTD、MOSFET器件实现了此种VCO,实际调频范围在20～26 MHz之间。RTD与三端器件的连接方式不同可呈现不同的调制I-V特性,这种调制特性对基于RTD的振荡电路的频率也会产生影响。通过深入研究这种调制对振荡电路频率产生的影响,得到多种不同于常规方法的电压控制频率方式,其中一些具有很好的线性度。因此该电路的研究对于RTD在高频、高速振荡电路中的进一步应用具有重要意义。     

低电调电压全集成10~20GHz VCO的设计与实现

研制了一款低电调电压、多频段压控振荡器(VCO)微波单片集成电路(MMIC),MMIC主要由6频段振荡电路、控制电路、译码电路等组成。将10~20 GHz的频率范围分为6个频段覆盖,从而将电调电压控制在5 V以内。基于GaAs异质结双极晶体管(HBT) 2μm工艺对所设计的VCO进行了流片验证,芯片面积为3.4 mm×3.2 mm。测试结果表明,在室温下,当电源电压为5 V、电调电压在0~5 V时,每个频段VCO可覆盖的频率为9.58~11.6 GHz、11.06~13.23 GHz、12.77~14.89 GHz、14.21~16.48 GHz、16~18.48 GHz和17.7~20.17 GHz;当电调电压为2.5 V、频偏为100 kHz时,每个频段VCO的相位噪声分别为-91.8、-90.5、-90.3、-90、-88.2和-87.1 dBc/Hz。因此,该6频段VCO覆盖了10~20 GHz的频率范围,且每段VCO的相位噪声指标良好,可满足低压电子系统的应用需求。     

一种高工作频率、低相位噪声的CMOS环形振荡器

采用全开关状态的延时单元和双延时路径两种电路技术设计了一种高工作频率、低相位噪声的环形振荡器。环路级数采用偶数级来获得两路相位相差90°的正交输出时钟,芯片采用台湾TSMC0.18μmCMOS工艺。测试结果表明,振荡器在5GHz的工作频率上,在偏离主频10MHz处相位噪声可达-89.3dB/Hz。采用1.8V电源电压时,电路的功耗为50mW,振荡器核芯面积为60μm×60μm。     

一种锁相频率合成系统的设计

描述了以MC145152和MC1648芯片为核心,采用锁相频率合成技术来实现电压控制LC振荡器的设计思路、方法及指标测试。本系统可以产生高稳定度的正弦信号,输出频带在5~25 MHz范围内,并实时显示;输出频率的稳定度达到10-3以上。该系统在通信领域有广泛的应用前景。     

一种施密特触发器型压控振荡器的设计与仿真

传统施密特型压控振荡器存在输入电压下限值较高、最高振荡频率较低等缺点。针对这两个问题,文中介绍了一种具有新型充放电电路结构的施密特型压控振荡器,并在0.18 μm工艺下对电路进行了仿真。结果表明,相对于传统施密特型压控振荡器,新型振荡器输入电压下限值有所下降,且最高振荡频率也有明显提升。     

高频宽调节范围压控振荡器设计研究

设计了一种基于0.18μm CMOS工艺模型的超高频宽调节范围的压控振荡器.系统采用3级环形压控振荡器结构,每级采用调节尾电流的方式,实现了2.5 GHz至5 GHz以上的高频宽调节范围.系统在输出频率为5 GHz时,在5 MHz频偏处的相位噪声为-89.26 dBc/Hz.此次设计的压控振荡器可广泛应用于各种嵌入式系统或ADC中,为其提供在大范围内可调节的时钟.