基于0.18 μm CMOS工艺的超高速比较器

给出了基于TSMC 0．18μm CMOS工艺的1．8V超高速比较器的设计方案；对比较器速度和失调进行综合，设计了一个1GHz超高速低失调比较器；通过Monte Carlo仿真，验证该比较器的失调电压分布范围为-4．5～4．5mV，并进行了版图设计。该比较器应用于低电压A／D转换器设计中，可达到6位以上的精度。     

工作时钟1GHz超高速电压比较器设计

超高速模数转换电路是现代高速通信和信号处理电路中的重要组成部分,而超高速比较器的设计是超高速模数转换器设计中的关键环节.文中通过综合考虑比较器的传输延时和失调电压等因素,讨论了超高速比较器的设计方法,并在基于1.8V电源电压、TSMC0.18μm CMOS工艺下设计了一个工作时钟为1GHz的超高速电压比较器,经过芯片测试,证明该比较器可以在1GHz时钟下稳定工作,失调电压仅为70μV.该比较器可以用于超高速模数/数模转换器的设计.     

f＝210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管

成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP/InGaAs单异质结晶体管制作工艺中.在Vce=1.1V,Ic=33.5mA的偏置条件下,发射极尺寸为1.4μm×1.5μm的器件,其ft达到210GHz.这种器件非常适合高速低功耗方面的应用,例如超高速数模混合电路以及光学通信系统等.     

f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管

成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP/InGaAs单异质结晶体管制作工艺中.在Vce=1.1V,Ic=33.5mA的偏置条件下,发射极尺寸为1.4μm×1.5μm的器件,其ft达到210GHz.这种器件非常适合高速低功耗方面的应用,例如超高速数模混合电路以及光学通信系统等.     

一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型

从物理机制上分析了超高速InP/InGaAs SHBT碰撞电离与温度的关系,通过加入表示温度的参数和简化电场计算,得到一种改进的碰撞电离模型. 同时针对自有工艺和器件特性,采用SDD (symbolically defined device）技术建立了一个包括碰撞电离和自热效应的InP/InGaAs SHBT的直流模型. 模型内嵌入HP-ADS中仿真并与测试结果进行比较,准确地拟合了InP/InGaAs SHBT的器件特性.     

一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型

从物理机制上分析了超高速InP/InGaAs SHBT碰撞电离与温度的关系,通过加入表示温度的参数和简化电场计算,得到一种改进的碰撞电离模型.同时针对自有工艺和器件特性,采用SDD(symbolically defined device)技术建立了一个包括碰撞电离和自热效应的InP/InGaAs SHBT的直流模型.模型内嵌入HP-ADS中仿真并与测试结果进行比较,准确地拟合了InP/InGaAs SHBT的器件特性.     

超薄硅基介质膜的制备技术与表征方法研究

在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,采用等离子体氧化和等离子体氮化的方法,在单晶硅表面上成功制备厚度小于10nm的超薄硅基介质膜。通过X射线光电子谱(XPS)分析了超薄介质膜的化学结构,利用椭圆偏振仪测量了厚度以及折射率,同时对超薄介质膜进行了电容电压(C-V)和电流电压(I-V)特性的测量,研究其电学性质,探讨了C-V测量模式对超薄介质膜性质表征的影响,最后对两种介质膜的优缺点进行了比较。     

超细Co/Cu纳米多层膜磁性研究

利用磁控溅射方法制备了纳米Co/Cu多层膜。利用扫描探针显微镜(SPM)观测了其表面形貌和磁畴结构,并通过振动样品磁强计(VSM)测量了磁性。结果表明,薄膜的微结构和磁性随非磁性层厚度的变化有着非常显著的变化。超细Co颗粒构造的多层膜样品,颗粒尺寸逐渐增大,磁畴尺寸先减小后增大,最后发生明显的聚集。磁性金属和非磁性金属的比例对多层膜之间的交换耦合相互作用有显著影响。平行膜面方向上的饱和场明显小于垂直膜面方向。当体积比约为1∶80时,平行膜面方向饱和场为95.9 kA/m,垂直方向饱和场为328.1 kA/m。此时两个方向上的饱和场、剩磁、矫顽力和磁滞损耗均为最小值。     

基于偏心Preissmann格式的高速互连线分析

 将偏心Preissmann格式应用于高速电路互连线分析,导出一种互连线离散模型.通过调整偏心参数,可以获得二阶精度的差分格式.数值仿真表明,该方法能够应用于一般互连线的瞬态分析,改善间断之后的数值扰动现象,并与特征法进行了比较,说明了方法的有效性.     

Dynamic Analysis of a High-Speed Train

Studies in modern high-speed traction need to develop detailed equations to formulate a complete electromechanical model that represents the dynamic coupling of electrical and mechanical phenomena. Starting from Lagrange and Park theories, and after recalling the general criteria for the setup of the two distinct mechanical and electrical subsystems, the new formalization of a complete dynamic model with specific reference to a train dedicated to high-speed services is hereby presented. Simulations are carried out with relation to two conditions of particular interest in the application side, i.e., the steady-state condition and the three-phase short-circuit fault at a speed of 100 km/h. Representative of the dynamics of each single component, the investigation in particular focuses on the transmission organs (rotor, Cardan joint, and gear case) and the relevant torques associated with the short-circuit dynamics.     

浅析高速多媒体数据广播

从技术的角度，对有线电视网络上的一种增值业务一高速多媒体数据广播从内容、业务、运营各方面进行了介绍分析，最后简单介绍了太原有线电视网络中心开展数据广播业务的情况，     

高速PCB 信号完整性仿真与分析

针对如何能缩短电路设计开发流程和提高设计人员工作效率,本文主要提出了如何有效解决信号完整性问题。 介绍了一种信号完整性分析的方法,使用IBIS 模型进行信号完整性分析,通过加载芯片的IBIS 模型对高速PCB 板进行 仿真,并对仿真结果进行优化分析,达到验证设计的目的。     

Ultra Low‐k Films Derived from Hyperbranched Polycarbosilanes (HBPCS)

Dense and porous hyperbranched carbosiloxane thin films (HBCSO) are obtained by sol–gel processing using methylene‐bridged hyperbranched polycarbosilanes (HBPCSs) with the general compositional formula {(OMe)₂Si(CH₂)}. Introduction of porosity is achieved using a porogen templating approach, allowing the control of the films' dielectric constant from 2.9 to as low as 1.8. Over the entire dielectric range, the HBCSO films exhibit exceptional mechanical properties, 2–3 times superior to those obtained for non‐alkylene bridged organosiloxanes such as methylsilsesquioxanes (MSSQs) of similar densities and k‐values.     

超高真空化学气相沉积外延生长锗硅材料及其应用

综述了硅基锗硅薄膜的外延生长技术、设备及其在光电子器件上的应用,其中着重介绍了超高真空化学气相沉积系统(UHVCVD)。目前来说,UHVCVD是产业化制备高质量锗硅材料的最佳选择。     

超高清HDR技术解析

在超高清的技术参数中,HDR是其中尤其重要的组成部分,它提供了更多的画面细节和层次,能够同时展现极亮和极暗的亮度范围,提供更好的“沉浸感”;可在不同亮度级上提供更好的局部对比度,提升边缘锐度;搭配宽色域的扩展,可以提供丰富的色彩数量和更鲜亮的颜色.     

Voltage-Polarity-Independent and High-Speed Resistive Switching Properties of V-Doped SrZrO3 Thin Films

In this paper, nonpolar resistive switching behavior is reported for the first time in a SZO-based memory device. The electrode materials used which have different conductivities affect the resistive switching properties of the device. The Al/V:SZO-LNO/Pt device shows nonpolar switching behavior, whereas the Al/V:SZO/LNO device has bipolar switching property. The resistance ratios of these two devices are quite distinct owing to the difference between the resistance of low resistance states. The Al/V:SZO-LNO/Pt device with lower resistive switching voltages (mnplus7 V turn on and mnplus2 V turn off) and higher resistance ratio is more suitable for practical applications compared to the Al/V:SZO/LNO device. The switching speed of the Al/V:SZO-LNO/Pt device is 10 ns, which is the fastest speed that has ever been reported. The conduction mechanisms, nondestructive readout property, retention time, and endurance of this device are also reported in this paper.     

A Light-Scattering System for High-Speed Cell Analysis

A flow-system instrument is described in which the light scattered by a biological cell is detected simultaneously at 32 angles in the forward direction as the cell passes through a focused laser beam at 10 m/s. Cluster analysis is applied to the scatter pattern data to enable discrimination among cell types.     

高速高密度PCB电源完整性分析

随着集成电路开关速度的提高以及PCB密度的增加,电源完整性分析已成为高速PCB设计中不可忽略的问题.针对电源完整性问题产生的原因和解决方法,以一个8层高密度数模混合PCB为例,采用Ansoft SIwave仿真软件,对多层高速PCB的电源完整性进行了详尽的分析,并提出了优化电源分配网络PDN的设计.仿真结果表明:添加去耦电容后的PDN设计满足了设计需要.     

Analysis of High-Speed GaAs Source-Coupled FET Logic Circuits

A source-coupled FET logic (SCFL) circuit is proposed for gigabit rate digital signaf processing. FET threshold voltage tolerance in the SCFL circuit and the SCFL circnit performance are presented. The speed of the SCFL gate depends on the operating region of the FET. For high-speed operation, FET's drain-to-source voltage fdgher than a pinchoff voltage has to be suppfied. The SCFL gate, which is composed of 1.5-pm gate-length FET's, showsthat the minimum propagation time is predicted to be 25 ps/gate. Mhimum rise time and fall time are expected to be S4 ps and 51 ps, respectively. Maximum RZ data rate is expected to be 5.6 Gb/s. The SCFL circnit is applicablefor high-speed dlgitaf sigmd processing.     

高速CMOS电路的单元延时模型分析

由于互连线电阻引起的时序问题对IC设计带来了越来越大的影响，选取精确的模型来计算延时变得非常重要。本文结合传统延时模型的特点，对有效电流源模型(ECSM)作了改进，通过分段线性方法精确地匹配了负载激励点波形的非线性特性，有效地解决了原模型中存在的不足。经理论分析和实验验证，该模型能快速有效地求解延时，能很好地应用于超深亚微米工艺下的时序分析。